聯(lián)發(fā)科技 MT6236 解決方案海內(nèi)外市場雙豐收
全球無線通訊及數(shù)字媒體IC設(shè)計領(lǐng)導(dǎo)廠商聯(lián)發(fā)科技股份有限公司(MediaTek,Inc.)宣布，其較新EDGE手機(jī)芯片解決方案MT6236于年初推出后，已在海內(nèi)外市場獲得極大回響。該方案集成強(qiáng)大的CPU，支持精致流暢的3D墻...2011年06月27日
TriQuint全新基站放大器集成獨特保護(hù)功能，適用于數(shù)據(jù)密集型移動設(shè)備網(wǎng)絡(luò)
降低功耗、防止網(wǎng)絡(luò)系統(tǒng)靜電放電(ESD)、射頻過激及直流電超壓故障的新方法全球射頻產(chǎn)品的領(lǐng)導(dǎo)廠商和晶圓代工服務(wù)的重要供應(yīng)商TriQuint半導(dǎo)體公司（納斯達(dá)克：TQNT）今天宣布，推出全新的集成式射頻產(chǎn)品系列的首批...2011年06月26日
意法半導(dǎo)體（ST）推出整合五個自由度的較新運(yùn)動感應(yīng)模塊
陀螺儀-加速度計二合一芯片讓運(yùn)動感應(yīng)應(yīng)用擁有更高的精確度和可靠性橫跨多重電子應(yīng)用領(lǐng)域、全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體供應(yīng)商及全球第一大消費電子和便攜應(yīng)用MEMS（微機(jī)電系統(tǒng)）傳感器供應(yīng)商[1]意法半導(dǎo)體（STMicroelectroni...2011年06月26日
意法半導(dǎo)體（ST）通過CMP為大專院校、研究實驗室及企業(yè)提供28納米CMOS制程
半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)導(dǎo)廠商與CMP攜手助力大專院校、研究實驗室以及企業(yè)開發(fā)下一代系統(tǒng)級芯片設(shè)計意法半導(dǎo)體（STMicroelectronics，簡稱ST；紐約證券交易所代碼：STM）與CMP（CircuitsMultiProjets®）攜手宣布，大專...2011年06月26日
科銳展示業(yè)界首款用于衛(wèi)星通信的 C 波段 GaN HEMT 單片式微波集成電路（MMIC） 高功率放大器
科銳公司（納斯達(dá)克：CREE）日前在巴爾的摩舉行的2011年IEEE國際微波研討會上展出業(yè)界首款面向衛(wèi)星通信應(yīng)用的GaNHEMTMMIC高功率放大器(HPA)。與現(xiàn)有商用GaAsMESFET晶體管或基于行波管的放大器相比，該產(chǎn)...2011年06月26日
意法半導(dǎo)體（ST）發(fā)布全新強(qiáng)大FingerTip觸摸屏技術(shù)，進(jìn)一步實現(xiàn)卓越的抗噪性能
橫跨多重電子應(yīng)用領(lǐng)域、全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體供應(yīng)商及全球第一大消費電子和便攜設(shè)備MEMS（微機(jī)電系統(tǒng)）供應(yīng)商[1]意法半導(dǎo)體（STMicroelectronics，簡稱ST；紐約證券交易所代碼：STM）發(fā)布新一代FingerTip觸摸屏技術(shù)，只...2011年06月26日
Vishay的PLTT精密低TCR高溫薄膜電阻進(jìn)一步擴(kuò)大工作溫度范圍和阻值范圍
新器件阻值范圍擴(kuò)大至250Ω～3MΩ，提供1206、2010和2512三種外形尺寸日前，VishayIntertechnology,Inc.（NYSE股市代號：VSH）宣布，其PLTT精密低TCR高溫薄膜電阻現(xiàn)可提供0805、1206、2010和2512外形尺寸，阻值...2011年06月23日
美國國家半導(dǎo)體推出業(yè)界首款針對增強(qiáng)型氮化鎵功率FET的100V半橋柵極驅(qū)動器
高度集成的半橋柵極驅(qū)動器提高了高壓應(yīng)用的功率密度和效率美國國家半導(dǎo)體公司（NationalSemiconductorCorp.）（美國紐約證券交易所上市代碼：NSM）今天宣布，推出業(yè)界首款針對高壓電源轉(zhuǎn)換器的增強(qiáng)型氮化鎵（GaN...2011年06月23日
凌力爾特公司推出1.5A 負(fù)低壓差線性穩(wěn)壓器 LT3015
1.5A負(fù)LDO提供快速瞬態(tài)響應(yīng)、低輸出噪聲和精確電流限制凌力爾特公司(LinearTechnologyCorporation)推出1.5A負(fù)低壓差線性穩(wěn)壓器LT3015，該器件具快速瞬態(tài)響應(yīng)、低噪聲和精確電流限制。憑借其-1.8Vto-30...2011年06月22日
Marvell推出Prestera CX高密度交換芯片橫向擴(kuò)展云設(shè)施
新一代包處理器支持多達(dá)96個10GbE端口和多達(dá)32個40GbE端口全球整合式芯片解決方案的領(lǐng)導(dǎo)者美滿電子科技（Marvell，Nasdaq交易代碼：MRVL)日前宣布推出Marvell®Prestera®CX8297包處理器，支持多達(dá)96個10...2011年06月21日
意法半導(dǎo)體（ST）推出2-Mbit串口EEPROM，寫下存儲容量新記錄
市場領(lǐng)先的1-kbit至2-Mbit存儲器為系統(tǒng)設(shè)計人員提供更多的選擇和更高的設(shè)計靈活性橫跨多重電子應(yīng)用領(lǐng)域、全球領(lǐng)先的EEPROM存儲器供應(yīng)商意法半導(dǎo)體（STMicroelectronics，簡稱ST；紐約證券交易所代碼：STM）率先...2011年06月21日
自主創(chuàng)新比發(fā)明更重要——訪NI亞太區(qū)銷售副總裁Victor Mieres
NI亞太區(qū)銷售副總裁VictorMieresNI亞太區(qū)銷售副總裁VictorMieres在關(guān)于創(chuàng)新的主題演講中表示，中國政府把創(chuàng)新提升到戰(zhàn)略高度，而NI的PXI測試測量技術(shù)可幫助中國的科學(xué)家和工程師進(jìn)行自主創(chuàng)新。Mieres在接受記者采...2011年06月17日
精彩演繹測試、控制和設(shè)計創(chuàng)新理念——訪NI研發(fā)部副總裁Robert Canik
作為業(yè)內(nèi)廣受認(rèn)可的年度技術(shù)盛會，PXI技術(shù)和應(yīng)用論壇（PXITAC）八年來一直地致力于在中國地區(qū)推廣PXI在各行業(yè)的應(yīng)用，為中國地區(qū)的自動化測試、控制和設(shè)計領(lǐng)域的工程師和專家提供一個專業(yè)的技術(shù)交流平臺。5月26日...2011年06月17日
Vishay發(fā)布12個用于太陽能電池旁路保護(hù)的新款45V TMBS® Trench MOS勢壘肖特基整流器
器件采用TO-220AB、ITO-220AB和TO-263AB封裝,具有10A至60A的寬電流等級，在10A時的典型VF低至0.33VVishayIntertechnology,Inc.（NYSE股市代號：VSH）宣布，推出12個具有三種功率封裝的45V器件，這些器件具有10A...2011年06月17日
意法半導(dǎo)體（ST）推出創(chuàng)新型太陽能充電器IC，可支持各種移動設(shè)備充電
微型電池單元陣列采用較大功率點跟蹤系統(tǒng)技術(shù)，太陽能電池充電器大幅延長便攜設(shè)備的工作時間橫跨多重電子應(yīng)用領(lǐng)域、全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體供應(yīng)商意法半導(dǎo)體（STMicroelectronics，簡稱ST；紐約證券交易所代碼：STM）推...2011年06月17日
Marvell推出超低功耗40納米四端口10GBASE-T PHY芯片
新芯片性能穩(wěn)健，支持節(jié)能以太網(wǎng)標(biāo)準(zhǔn)，可為新一代云基礎(chǔ)架構(gòu)提供極具競爭力的接入方案全球整合式芯片解決方案的領(lǐng)導(dǎo)者美滿電子科技（Marvell，Nasdaq交易代碼：MRVL)日前宣布推出88X3140和88X3120Alaska®X...2011年06月17日
凌力爾特公司推出一款大功率、I2C 控制、高效率電源通路 (PowerPathTM) 管理器、理想二極管控制器和鋰離子電池充電器 LTC4155
15WI2C電源管理器以3.5A電流給平板電腦、UMPC和便攜式電源系統(tǒng)的鋰離子電池充電凌力爾特公司(LinearTechnologyCorporation)推出一款大功率、I2C控制、高效率電源通路(PowerPathTM)管理器、理想二極管控...2011年06月17日
凌力爾特公司推出 LT1952/-1、LTC3900 和 LT4430 的高可靠性 (MP 級) 版本
隔離式正向轉(zhuǎn)換器集成電路規(guī)定在-55°C至125°C的節(jié)溫范圍內(nèi)工作凌力爾特公司(LinearTechnologyCorporation)推出LT1952-1是一款具有源變壓器復(fù)位功能的單開關(guān)正激式控制器，可向副端的LTC3900同步整流...2011年06月16日
Gartner：2011年全球半導(dǎo)體資本設(shè)備支出將增長10.2%
全球技術(shù)研究和咨詢公司Gartner指出，2011年全球半導(dǎo)體資本設(shè)備支出將達(dá)到448億美元，與2010年406億美元的支出相比，增長10.2%。然而，Gartner分析師也指出，半導(dǎo)體庫存出現(xiàn)修正，再加上晶圓設(shè)備制造供過于求，將導(dǎo)...2011年06月16日
IR新款超小型PQFN2x2功率MOSFET為低功率應(yīng)用擴(kuò)展封裝組合
全球功率半導(dǎo)體和管理方案領(lǐng)導(dǎo)廠商國際整流器公司(InternationalRectifier，簡稱IR)擴(kuò)展其封裝系列，推出新款的PQFN2mmx2mm封裝。新的封裝采用IR較新的HEXFETMOSFET硅技術(shù)，為一系列的低功耗應(yīng)用，包括智能手...2011年06月16日