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·配備數(shù)字接口并為節(jié)能DC/DC轉(zhuǎn)換器提供超高系統(tǒng)精度的輸入功率監(jiān)控器IC (2009/3/31 10:01:05)
全球功率半導(dǎo)體和管理方案領(lǐng)導(dǎo)廠商 – 國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 推出IR3725輸入功率監(jiān)控器IC。新器件配備數(shù)字I²C接口，適用于節(jié)能型中央處理器、服務(wù)器及存儲(chǔ)應(yīng)用所采用的低電壓DC/DC轉(zhuǎn)換器。 IR3725是為12V電源而設(shè)的...
全球功率半導(dǎo)體和管理方案領(lǐng)導(dǎo)廠商 – 國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 推出IR3725輸入功率監(jiān)控器IC。新器件配備數(shù)字I²C接口，適用于節(jié)能型中央處理器、服務(wù)器及存儲(chǔ)應(yīng)用所采用的低電壓DC/DC轉(zhuǎn)換器。 IR3725是為12V電源而設(shè)的...
·極快的寬輸入范圍降壓型 DC/DC 控制器 (2009/3/26 15:27:10)
凌力爾特公司 (Linear Technology Corporation) 推出高效率 No RSENSETM 同步降壓型 DC/DC 控制器 LTC3878 和 LTC3879。它們的恒定接通時(shí)間谷值電流模式控制和很短的 43ns 較短接通時(shí)間允許非常小的占空比，非常適用于高降壓比和極快瞬態(tài)...
凌力爾特公司 (Linear Technology Corporation) 推出高效率 No RSENSETM 同步降壓型 DC/DC 控制器 LTC3878 和 LTC3879。它們的恒定接通時(shí)間谷值電流模式控制和很短的 43ns 較短接通時(shí)間允許非常小的占空比，非常適用于高降壓比和極快瞬態(tài)...
·有效延長電池壽命的MicroFET™ MOSFET (2009/3/19 11:58:22)
專業(yè)提供可提升能效的高性能產(chǎn)品全球領(lǐng)先供應(yīng)商飛兆半導(dǎo)體公司 (Fairchild Semiconductor) 推出FDMA1024NZ和FDMA410NZ 雙N溝道和單N溝道MOSFET器件，可為手機(jī)、電動(dòng)牙刷和須刨等應(yīng)用延長電池壽命。 這兩款產(chǎn)品采用具有高熱效的2mm x 2mm x 0...
專業(yè)提供可提升能效的高性能產(chǎn)品全球領(lǐng)先供應(yīng)商飛兆半導(dǎo)體公司 (Fairchild Semiconductor) 推出FDMA1024NZ和FDMA410NZ 雙N溝道和單N溝道MOSFET器件，可為手機(jī)、電動(dòng)牙刷和須刨等應(yīng)用延長電池壽命。 這兩款產(chǎn)品采用具有高熱效的2mm x 2mm x 0...
·飛兆半導(dǎo)體的初級端調(diào)節(jié)PWM控制器簡化設(shè)計(jì)并減少線路板空間 (2009/3/10 9:23:34)
飛兆半導(dǎo)體公司 (Fairchild Semiconductor) 推出全新初級端調(diào)節(jié) (primary-side regulation, PSR) 脈寬調(diào)制 (PWM) 控制器系列，實(shí)現(xiàn)精簡又高效的電池充電器和電源電路設(shè)計(jì)。這些EZSWITCH™ 初級端調(diào)節(jié)控制器集成了一個(gè)初級端調(diào)...
飛兆半導(dǎo)體公司 (Fairchild Semiconductor) 推出全新初級端調(diào)節(jié) (primary-side regulation, PSR) 脈寬調(diào)制 (PWM) 控制器系列，實(shí)現(xiàn)精簡又高效的電池充電器和電源電路設(shè)計(jì)。這些EZSWITCH™ 初級端調(diào)節(jié)控制器集成了一個(gè)初級端調(diào)...
·可簡化設(shè)計(jì)并減少線路板空間的初級端調(diào)節(jié)PWM控制器 (2009/3/5 14:40:36)
飛兆半導(dǎo)體公司 (Fairchild Semiconductor) 推出全新初級端調(diào)節(jié) (primary-side regulation, PSR) 脈寬調(diào)制 (PWM) 控制器系列，實(shí)現(xiàn)精簡又高效的電池充電器和電源電路設(shè)計(jì)。這些EZSWITCH™ 初級端調(diào)節(jié)控制器集成了一個(gè)初級端調(diào)...
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·飛兆半導(dǎo)體Motion-SPM™產(chǎn)品為美的銀河系列低功耗直流變頻空調(diào)優(yōu)化功率設(shè)計(jì) (2009/3/5 14:07:50)
飛兆半導(dǎo)體公司 (Fairchild Semiconductor, 專業(yè)提供可提升能效的高性能產(chǎn)品的全球領(lǐng)先半導(dǎo)體器件供應(yīng)商) 獲中國較大家用電器生產(chǎn)商和出口商之一美的集團(tuán)選為主要的直流變頻空調(diào)逆變器解決方案供應(yīng)商。 飛兆半導(dǎo)體的Motion-SPM器件來實(shí)現(xiàn)功率電路優(yōu)化并簡化設(shè)計(jì)，將用于美的集團(tuán)...
飛兆半導(dǎo)體公司 (Fairchild Semiconductor, 專業(yè)提供可提升能效的高性能產(chǎn)品的全球領(lǐng)先半導(dǎo)體器件供應(yīng)商) 獲中國較大家用電器生產(chǎn)商和出口商之一美的集團(tuán)選為主要的直流變頻空調(diào)逆變器解決方案供應(yīng)商。 飛兆半導(dǎo)體的Motion-SPM器件來實(shí)現(xiàn)功率電路優(yōu)化并簡化設(shè)計(jì)，將用于美的集團(tuán)...
·針對3V～20V工作電壓提供高靈活保護(hù)熱插拔管理器 (2009/3/3 19:30:37)
德州儀器 (TI) 于 2009 年應(yīng)用電力電子技術(shù)國際會(huì)議 (APEC 2009) 上宣布推出三款新型熱插拔管理器，可針對工作電壓介于 3 V～20 V 的電壓軌提供過電流保護(hù)，工作電流可達(dá) 5A。TPS2420 采用微型 16 引腳 QFN 封裝，而 TPS2421-1 與 TPS2421-...
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·新型初級側(cè)控制離線式開關(guān)IC系列 (2009/3/3 19:26:41)
用于高能效功率轉(zhuǎn)換的高壓集成電路業(yè)界的領(lǐng)導(dǎo)者Power Integrations公司（納斯達(dá)克股票代號：POWI）今日宣布推出LNK632DG器件，為其廣受歡迎的LinkSwitch-II產(chǎn)品系列再添新品。新器件針對較高輸出功率3.1 W的電源應(yīng)用而設(shè)計(jì)，使制造商能夠滿足包括能源之星â ...
用于高能效功率轉(zhuǎn)換的高壓集成電路業(yè)界的領(lǐng)導(dǎo)者Power Integrations公司（納斯達(dá)克股票代號：POWI）今日宣布推出LNK632DG器件，為其廣受歡迎的LinkSwitch-II產(chǎn)品系列再添新品。新器件針對較高輸出功率3.1 W的電源應(yīng)用而設(shè)計(jì)，使制造商能夠滿足包括能源之星â ...
·凌力爾特推出 LTC3803 的 H 級版本 (2009/3/2 17:27:46)
2009年3月2日，凌力爾特公司 (Linear Technology Corporation) 推出 LTC3803 的 H 級版本，該器件是一個(gè)電流模式反激式 DC/DC 控制器，采用纖巧 6 引腳 ThinSOTTM 封裝，規(guī)定的工作結(jié)溫范圍為 -40oC 至 +150oC。該器件以其超低 4...
2009年3月2日，凌力爾特公司 (Linear Technology Corporation) 推出 LTC3803 的 H 級版本，該器件是一個(gè)電流模式反激式 DC/DC 控制器，采用纖巧 6 引腳 ThinSOTTM 封裝，規(guī)定的工作結(jié)溫范圍為 -40oC 至 +150oC。該器件以其超低 4...
·在650V額定電壓下取得較佳單位面積導(dǎo)通電阻、能效和功率密度的MDmesh™ V功率MOSFET (2009/2/26 9:21:31)
功率半導(dǎo)體產(chǎn)品的全球領(lǐng)導(dǎo)者意法半導(dǎo)體（紐約證券交易所代碼：STM）宣布，功率MOSFET芯片性能方面取得巨大突破，較新的MDmesh™ V技術(shù)達(dá)到業(yè)內(nèi)較低的單位芯片面積導(dǎo)通電阻。MDmesh V讓新一代650V MOSFET將RDS(ON)降到0.079Ω以下，采用緊湊型功率封裝，使能效...
功率半導(dǎo)體產(chǎn)品的全球領(lǐng)導(dǎo)者意法半導(dǎo)體（紐約證券交易所代碼：STM）宣布，功率MOSFET芯片性能方面取得巨大突破，較新的MDmesh™ V技術(shù)達(dá)到業(yè)內(nèi)較低的單位芯片面積導(dǎo)通電阻。MDmesh V讓新一代650V MOSFET將RDS(ON)降到0.079Ω以下，采用緊湊型功率封裝，使能效...
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