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·凌力爾特公司推出 USB 微型模塊 (μModule®) LTM2884 (2014/5/23 11:27:24)
帶電源的 USB μModule 隔離器可保護集線器和外設端口 凌力爾特公司 (Linear Technology Corporation) 推出 USB 微型模塊 (μModule®) LTM2884,該器件整合了 USB 數據通信和 USB 電源,并針對地至地電位差和大共模瞬...
帶電源的 USB μModule 隔離器可保護集線器和外設端口 凌力爾特公司 (Linear Technology Corporation) 推出 USB 微型模塊 (μModule®) LTM2884,該器件整合了 USB 數據通信和 USB 電源,并針對地至地電位差和大共模瞬...
·IR 推出StrongIRFET功率MOSFET系列適合要求超低導通電阻的工業應用 (2012/12/7 10:48:17)
全球功率半導體和管理方案領導廠商 – 國際整流器公司 (International Rectifier,簡稱IR) 近日推出具有超低導通電阻 (RDS(on)) 的 StrongIRFET功率MOSFET系列,適合各種工業應用,包括電池組、逆變器、不間斷電源 (UPS) 、太陽能逆變器、叉車、電動...
全球功率半導體和管理方案領導廠商 – 國際整流器公司 (International Rectifier,簡稱IR) 近日推出具有超低導通電阻 (RDS(on)) 的 StrongIRFET功率MOSFET系列,適合各種工業應用,包括電池組、逆變器、不間斷電源 (UPS) 、太陽能逆變器、叉車、電動...
·IR 推出第八代 1200V IGBT技術平臺提供適合工業應用的基準效率和耐用性 (2012/11/16 18:27:05)
全球功率半導體和管理方案領導廠商 – 國際整流器公司 (International Rectifier,簡稱IR) 推出新一代絕緣柵雙極型晶體管 (IGBT) 技術平臺。全新第八代 (Gen8) 1200V IGBT技術平臺采用IR的新一代溝道柵極場截止技術,為工業及節能應用提供卓越性能。
全球功率半導體和管理方案領導廠商 – 國際整流器公司 (International Rectifier,簡稱IR) 推出新一代絕緣柵雙極型晶體管 (IGBT) 技術平臺。全新第八代 (Gen8) 1200V IGBT技術平臺采用IR的新一代溝道柵極場截止技術,為工業及節能應用提供卓越性能。
·德州儀器推出支持較低待機功耗的適配器電源控制器 (2012/11/15 11:17:11)
德州儀器 (TI) 宣布推出一款具有 700V 啟動開關的電源管理控制器,可在智能手機及平板電腦使用的 5 至 10 瓦立方體適配器中實現低于 10 mW 的“空載”待機功耗。除低功耗之外,較新 UCC28710 原邊調節穩壓反激式控制器還可幫助設計人員創建更小的立方體適配器與交流供電設備。如欲了...
德州儀器 (TI) 宣布推出一款具有 700V 啟動開關的電源管理控制器,可在智能手機及平板電腦使用的 5 至 10 瓦立方體適配器中實現低于 10 mW 的“空載”待機功耗。除低功耗之外,較新 UCC28710 原邊調節穩壓反激式控制器還可幫助設計人員創建更小的立方體適配器與交流供電設備。如欲了...
·德州儀器 LED 驅動器率先提供頻率同步、PWM 調光及溫度折返功能 (2012/11/6 13:07:32)
具備寬泛輸入電壓工作范圍與集成型 MOSFET 的 1.5A 恒流 DC/DC 降壓轉換器可驅動高亮度 LED 2012 年 11 月 6 ...
具備寬泛輸入電壓工作范圍與集成型 MOSFET 的 1.5A 恒流 DC/DC 降壓轉換器可驅動高亮度 LED 2012 年 11 月 6 ...
·安森美半導體擴充用于電機控制、太陽能及不斷間電源應用的 高性能溝槽型場截止IGBT陣容 (2012/10/25 12:32:30)
應用于高能效電子產品的首要高性能硅方案供應商安森美半導體(ON Semiconductor,美國納斯達克上市代號:ONNN)擴充NGBTxx系列1,200伏(V)溝槽型場截止(FS) 絕緣門雙極晶體管(IGBT)器件,推出9款新的高能效方案。
應用于高能效電子產品的首要高性能硅方案供應商安森美半導體(ON Semiconductor,美國納斯達克上市代號:ONNN)擴充NGBTxx系列1,200伏(V)溝槽型場截止(FS) 絕緣門雙極晶體管(IGBT)器件,推出9款新的高能效方案。
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