IR 推出第八代 1200V IGBT技術平臺提供適合工業(yè)應用的基準效率和耐用性
全球功率半導體和管理方案領導廠商 – 國際整流器公司 (International Rectifier,簡稱IR) 推出新一代絕緣柵雙極型晶體管 (IGBT) 技術平臺。全新第八代 (Gen8) 1200V IGBT技術平臺采用IR的新一代溝道柵極場截止技術,為工業(yè)及節(jié)能應用提供卓越性能。
全新的Gen8設計可讓高性能Vce(on) 降低功耗及增加功率密度,并可提供超卓的耐用性。IR亞太區(qū)銷售副總裁潘大偉表示:“通過開發(fā)全新基準技術及頂尖的IGBT硅平臺,彰顯出IR在數(shù)十年來致力提升功率電子技術的承諾。我們期望為所有電動馬達提供百分之百變頻,以期更有效地使用電能及綠化環(huán)境。”
新技術針對電機驅(qū)動應用提供更好的軟關斷功能,有助于把dv/dt降到較低,從而減少電磁干擾、抑制過壓,從而提升可靠性與耐用性。這個平臺的參數(shù)分布較窄,在高電流功率模塊內(nèi)并聯(lián)起多個IGBT之時,可提供出色的電流分配。薄晶圓技術則改善了熱電阻和達到
潘大偉補充道:“IR的Gen8 IGBT平臺旨在為工業(yè)應用提供卓越技術。該IGBT平臺憑借高性能Vce(on)、超卓的耐用性及一流的開關功能,使工業(yè)市場中的艱巨難題迎刃而解。”
欲了解更多信息,請瀏覽IR網(wǎng)站 www.irf.com。
產(chǎn)品規(guī)格
IR 器件編號 |
VCES |
IC (NOM) |
VCE(ON) (典型) |
封裝 |
IRG8CH15K |
1200V |
|
1.7 |
膜上裸片 |
IRG8CH20K |
|
|||
IRG8CH29K |
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IRG8CH38K |
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IRG8CH42K |
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IRG8CH50K |
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IRG8CH76K |
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IRG8CH97K |
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IRG8CH137K |
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IRG8CH182K |
|
產(chǎn)品供應
IR Gen8 1200V IGBT平臺的樣本已開始提供給各大原始設備制造商 (OEM) 及原始設計制造商 (ODM) 合作伙伴。
商標
IR®是國際整流器公司 (International Rectifier Corporation) 的注冊商標。文中所提及其它產(chǎn)品名稱均為對應持有人所有的商標。
- 完 -
IR簡介
國際整流器公司 (簡稱 IR,紐約證交所代號 IRF) 是全球功率半導體和管理方案領導廠商。IR 的模擬及混合信號集成電路、先進電路器件、集成功率系統(tǒng)和器件廣泛應用于驅(qū)動高性能計算設備及降低電機的能耗 (電機是全球較大耗能設備) ,是眾多國際知名廠商開發(fā)下一代計算機、節(jié)能電器、照明設備、汽車、衛(wèi)星系統(tǒng)、宇航及國防系統(tǒng)的電源管理基準。
IR 成立于 1947 年,總部設在美國洛杉磯,在二十個國家設有辦事處。IR 全球網(wǎng)站:www.irf.com,中國網(wǎng)站:www.irf.com.cn。
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