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·具內置開關的大功率受電設備控制器 (2009/6/30 11:04:12)
凌力爾特公司 (Linear Technology Corporation) 推出 IEEE 802.3at 兼容的以太網供電 (PoE+) 接口控制器 LTC4269-1、LTC4269-2 和 LTC4278，這些器件具有集成的開關穩壓器，面向高達 25.5W 及更高功率的大功率受電設備 (...
凌力爾特公司 (Linear Technology Corporation) 推出 IEEE 802.3at 兼容的以太網供電 (PoE+) 接口控制器 LTC4269-1、LTC4269-2 和 LTC4278，這些器件具有集成的開關穩壓器，面向高達 25.5W 及更高功率的大功率受電設備 (...
·Vishay Siliconix推出業界首款采用SO-8占位面積的30V P溝道功率MOSFET器件 (2009/6/30 10:00:14)
Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出業界首款采用SO-8占位面積的30V P溝道功率MOSFET器件 --- Si7145DP，將10V、4.5V柵極驅動下的較大導通電阻降至
Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出業界首款采用SO-8占位面積的30V P溝道功率MOSFET器件 --- Si7145DP，將10V、4.5V柵極驅動下的較大導通電阻降至
·Vishay Siliconix首創將高、低MOSFET集成在同一封裝 (2009/6/25 10:23:24)
Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出在一個封裝內集成一對不對稱功率MOSFET系列的首款產品 --- SiZ700DT。該款器件的推出將有助于減少DC-DC轉換器中高邊和低邊功率MOSFET所占的空間。SiZ700DT采用6 mm×3....
Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出在一個封裝內集成一對不對稱功率MOSFET系列的首款產品 --- SiZ700DT。該款器件的推出將有助于減少DC-DC轉換器中高邊和低邊功率MOSFET所占的空間。SiZ700DT采用6 mm×3....
·三菱電機攜第4代DIPIPMTM 亮相PCIM中國展 (2009/6/2 17:25:29)
三菱電機一直致力推動環保，將攜同第4代DIPIPMTM（雙列直插式智能功率模塊），在6月2日至4日于上海光大會展中心舉行的PCIM中國展（展位號W2-P209）中亮相，向參觀者推介越來越受市場歡迎的變頻家電節能技術。 近年來，為了節能和獲得更好的性能，變頻電機驅動系統已得到廣泛應用，其電流應用由大...
三菱電機一直致力推動環保，將攜同第4代DIPIPMTM（雙列直插式智能功率模塊），在6月2日至4日于上海光大會展中心舉行的PCIM中國展（展位號W2-P209）中亮相，向參觀者推介越來越受市場歡迎的變頻家電節能技術。 近年來，為了節能和獲得更好的性能，變頻電機驅動系統已得到廣泛應用，其電流應用由大...
·英飛凌推出采用自動壓接裝配工藝的SmartPIM和SmartPACK功率模塊 (2009/5/18 9:47:01)
在2009年紐倫堡PCIM展會上，英飛凌科技股份公司（FSE：IFX / OTCQX：IFNNY）宣布推出全新的Smart系列IGBT（絕緣柵雙極晶體管）模塊。Smart 模塊封裝采用自動壓接裝配工藝，僅需一個螺釘通過單步安裝流程可將模塊安裝到印刷電路板和散熱器上。通過提供高可靠性壓接技術，英飛凌滿...
在2009年紐倫堡PCIM展會上，英飛凌科技股份公司（FSE：IFX / OTCQX：IFNNY）宣布推出全新的Smart系列IGBT（絕緣柵雙極晶體管）模塊。Smart 模塊封裝采用自動壓接裝配工藝，僅需一個螺釘通過單步安裝流程可將模塊安裝到印刷電路板和散熱器上。通過提供高可靠性壓接技術，英飛凌滿...
·IR推出增強型25V及30V MOSFET (2009/5/18 9:39:56)
全球功率半導體和管理方案領導廠商 – 國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 推出一系列新型 25V 及 30V N通道溝道 HEXFET 功率 MOSFET 。它們針對同步降壓轉換器和電池保護增強了轉換性能，適用于消費和網絡領域的計算應用。 新 MOSF...
全球功率半導體和管理方案領導廠商 – 國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 推出一系列新型 25V 及 30V N通道溝道 HEXFET 功率 MOSFET 。它們針對同步降壓轉換器和電池保護增強了轉換性能，適用于消費和網絡領域的計算應用。 新 MOSF...
·意法半導體（ST）創新高壓晶體管技術，協助開發更可靠的高能效電源 (2009/5/13 10:19:25)
功率半導體技術的世界領導者意法半導體（紐約證券交易所代碼：STM）推出全新系列功率MOSFET晶體管，新產品的擊穿電壓更高，抗涌流能力更強，...
功率半導體技術的世界領導者意法半導體（紐約證券交易所代碼：STM）推出全新系列功率MOSFET晶體管，新產品的擊穿電壓更高，抗涌流能力更強，...
·飛兆半導體100V MOSFET為電源設計帶來低達50%的RDS(ON) (2009/5/13 10:08:25)
飛兆半導體公司 (Fairchild Semiconductor) 為隔離式DC-DC應用設計人員提供一款新型100V MOSFET器件FDMS86101，具有低達50% 的RDS(ON) 和出色的品質因數 (figure of merits, FOM)，有效提高電源設計的效率。FDMS8610...
飛兆半導體公司 (Fairchild Semiconductor) 為隔離式DC-DC應用設計人員提供一款新型100V MOSFET器件FDMS86101，具有低達50% 的RDS(ON) 和出色的品質因數 (figure of merits, FOM)，有效提高電源設計的效率。FDMS8610...
·新LED驅動器系列削減元件開銷 (2009/4/2 17:39:28)
Diodes公司推出全新LED驅動器集成電路（IC）系列AP880X，以顯著減少驅動電路所需的外部元件數目和尺寸。AP880X降壓式DC-DC轉換器只需4個元件支持，能在高達600kHz的開關頻率下工作，從而可以使用體積更小、成本更低的電感器和電容器。 Diodes 亞太區技術市場總監梁后權表...
Diodes公司推出全新LED驅動器集成電路（IC）系列AP880X，以顯著減少驅動電路所需的外部元件數目和尺寸。AP880X降壓式DC-DC轉換器只需4個元件支持，能在高達600kHz的開關頻率下工作，從而可以使用體積更小、成本更低的電感器和電容器。 Diodes 亞太區技術市場總監梁后權表...
·研諾的AAT1282閃光驅動器芯片入選EDN創新獎較佳提名 (2009/3/5 10:06:34)
電源管理集成電路開發商研諾邏輯科技有限公司(AnalogicTech™，納斯達克股票市場代碼：AATI），今日宣布研諾AAT1282閃光驅動器芯片已入選EDN雜志電源芯片較佳三款產品之一：即聲望極高的EDN創新獎驅動器類。研諾邏輯于2008年4月推出AAT1282，該款產品為業界第一款2...
電源管理集成電路開發商研諾邏輯科技有限公司(AnalogicTech™，納斯達克股票市場代碼：AATI），今日宣布研諾AAT1282閃光驅動器芯片已入選EDN雜志電源芯片較佳三款產品之一：即聲望極高的EDN創新獎驅動器類。研諾邏輯于2008年4月推出AAT1282，該款產品為業界第一款2...
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