IR推出增強型25V及30V MOSFET
全球功率半導體和管理方案領導廠商 – 國際整流器公司 (International Rectifier,簡稱IR) 推出一系列新型 25V 及 30V N通道溝道 HEXFET 功率 MOSFET 。它們針對同步降壓轉換器和電池保護增強了轉換性能,適用于消費和網絡領域的計算應用。
新 MOSFET 系列采用了 IR 經過驗證的硅技術,可提供基準通態電阻 (RDS(on)) ,并且提高了轉換性能。新器件的低傳導損耗改善了滿載效率及熱性能,即使在輕負載條件下,低轉換損耗也有助于實現高效率。
IR 亞洲區銷售副總裁潘大偉表示:“這些新型 MOSFET 采用 Power QFN 封裝,可比 SO-8封裝提供更高的功率密度,同時保持相同的引腳排列配置。新型雙 SO-8 MOSFET 還可通過‘二合一’交換來減少元件數目,滿足不同應用的要求!
單雙 N通道 MOSFET 現已開始供應。除了 D-PAK、I-PAK 和 SO-8 封裝之外,單個 N通道器件也可在高量產時實現優化,采用 PQFN 5×6mm 和 3×3mm 封裝,而雙 N通道器件則采用 SO-8 封裝。新器件符合電子產品有害物質管制規定 (RoHS) ,可以不含鹵素。
產品的基本規格如下:
單個 N通道
器件編號 |
Bvdss (V) |
封裝 |
在10Vgs下的 較大RDS(on) (mΩ) |
在4.5Vgs下的 較大RDS(on) (mΩ) |
在TC=25°C 下的Id (A) |
在TA =25°C 下的Id (A) |
典型Qg (nC) |
IRL(R,U)8256(TR)PBF |
25 |
D-Pak/I-PAK |
5.7 |
8.5 |
81 |
N/A |
10 |
IRL(R,U)8259(TR)PBF |
25 |
D-Pak/I-PAK |
8.7 |
12.9 |
57 |
N/A |
6.8 |
IRF8252(TR)PBF |
25 |
SO-8 |
2.7 |
3.7 |
N/A |
25 |
35 |
IRL(R,U)8743(TR)PBF |
30 |
D-Pak/I-PAK |
3.1 |
3.9 |
160 |
N/A |
39 |
IRL(R,U)8726(TR)PBF |
30 |
D-Pak/I-PAK |
5.8 |
8.0 |
86 |
N/A |
15 |
IRL(R,U)8721(TR)PBF |
30 |
D-Pak/I-PAK |
8.4 |
11.8 |
65 |
N/A |
8.5 |
IRL(R,U)8729(TR)PBF |
30 |
D-Pak/I-PAK |
8.9 |
11.9 |
58 |
N/A |
10 |
IRFH3702(TR,TR2)PBF |
30 |
PQFN 3 x 3 |
7.1 |
11.8 |
N/A |
16 |
9.6 |
IRFH3707(TR,TR2)PBF |
30 |
PQFN 3 x 3 |
12.4 |
17.9 |
N/A |
12 |
5.4 |
IRFH7932(TR,TR2)PBF |
30 |
PQFN 5 x 6 |
3.3 |
3.9 |
N/A |
24 |
34 |
30 |
PQFN 5 x 6 |
3.5 |
5.1 |
N/A |
24 |
20 | |
IRFH7936(TR,TR2)PBF |
30 |
PQFN 5 x 6 |
4.8 |
6.8 |
N/A |
20 |
17 |
IRFH7921(TR,TR2)PBF |
30 |
PQFN 5 x 6 |
8.5 |
12.5 |
N/A |
15 |
9.3 |
IRFH7914(TR,TR2)PBF |
30 |
PQFN 5 x 6 |
8.7 |
13 |
N/A |
15 |
8.3 |
IRF8788(TR)PBF |
30 |
SO-8 |
2.8 |
3.8 |
N/A |
24 |
44 |
IRF7862(TR)PBF |
30 |
SO-8 |
3.7 |
4.5 |
N/A |
21 |
30 |
30 |
SO-8 |
3.5 |
5.1 |
N/A |
21 |
20 | |
IRF8736(TR)PBF |
30 |
SO-8 |
4.8 |
6.8 |
N/A |
18 |
17 |
IRF8721(TR)PBF |
30 |
SO-8 |
8.5 |
12.5 |
N/A |
14 |
8.3 |
IRF8714(TR)PBF |
30 |
SO-8 |
8.7 |
13 |
N/A |
14 |
8.1 |
IRF8707(TR)PBF |
30 |
SO-8 |
11.9 |
17.5 |
N/A |
11 |
6.2 |
N/A = 不適用
雙 N通道
器件編號 |
封裝 |
配置 |
Bvdss (V) |
在10Vgs下 的 較大RDS(on) (mΩ) |
較大Vgs (V) |
典型Qg (nC) |
IRF8313PBF |
SO-8 |
獨立 對稱 |
30 |
15.5 |
± 20 |
6.0 |
IRF8513PBF |
SO-8 |
半橋 非對稱 |
30 |
12.7 |
± 20 |
7.6 |
15.5 |
5.7 |
新器件現已開始供應。產品詳細數據可以瀏覽IR網頁www.irf.com。
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