恩智浦BLF888A晶體管打造強大、高效的數字廣播發(fā)射機

中國上海，2010年9月28日訊 - 恩智浦半導體NXP Semiconductors N.V. (Nasdaq: NXPI)今天宣布推出廣播發(fā)射機和工業(yè)用600W LDMOS超高頻(UHF)射頻功率晶體管BLF888A。恩智浦BLF888A是目前市場上功能較強大的LDMOS廣播發(fā)射機晶體管，支持470 - 860MHz完整超高頻帶DVB-T信號，平均輸出功率120W，效率可達31%以上。21dB高增益、出色的線性度和耐用性（駐波比VSWR＞ 40:1）使BLF888A成為DVB-T等高級數字發(fā)射機應用的理想選擇。恩智浦將在2010年9月26日至10月1日法國巴黎舉辦的歐洲微波展（European Microwave Week）上正式推出BLF888A（展位號：194）。

恩智浦50V高壓LDMOS工藝技術和先進的熱管理概念為BLF888A帶來了卓越的性能表現，實現了前所未有的功率密度和0.15K/W超低熱阻新突破。借助BLF888A晶體管，廣播設備制造商可以對現有以及新裝的發(fā)射機系統(tǒng)實施優(yōu)化，提高產品性能，降低總擁有成本。此外，BLF888A與BLF881驅動器晶體管優(yōu)化整合可以滿足全系列功率放大器產品需求。

恩智浦半導體公司射頻功率產品營銷總監(jiān)Mark Murphy表示：“BLF888A是一款非常特別的產品，實現了耐用性、寬帶功率與工作效率的優(yōu)化整合。過去設計人員只能對這些參數進行優(yōu)化平衡，始終無法提出較佳解決方案。現在有了BLF888A，全球廣播發(fā)射機工程師可以放心優(yōu)化自己的射頻系統(tǒng)性能，無需再擔心功率晶體管問題。”

BLF888A提供兩個封裝版本：螺栓式封裝(BLF888A)和無耳式封裝(BLF888AS)，新封裝使PCB設計更加緊湊。另外，BLF888AS還能在更低的結溫條件下焊接。

恩智浦每年射頻器件出貨量超過40億件，是高性能射頻領域的領軍企業(yè)，恩智浦領先的LDMOS技術和先進的封裝概念創(chuàng)造了一流的射頻功率晶體管，為各種廣播技術對大功率和耐用性器件需求提供了完美解決方案。

上市時間

BLF888A和BLF888AS目前已有樣品供應。

有關BLF888A(S)詳情，請登錄http://www.nxp.com/pip/BLF888A.html。

有關恩智浦高性能射頻產品詳情，請登錄http://www.nxp.com/HPRF。

關于恩智浦半導體

恩智浦半導體NXP Semiconductors N.V. (Nasdaq: NXPI)以其領先的射頻、模擬、電源管理、接口、安全和數字處理方面的專長，提供高性能混合信號（High Performance Mixed Signal）和標準產品解決方案。這些創(chuàng)新的產品和解決方案可廣泛應用于汽車、智能識別、無線基礎設施、照明、工業(yè)、移動、消費和計算等領域。公司總部位于歐洲，在全球超過25個國家擁有大約28,000名員工，2009年公司營業(yè)額達到38億美元。更多信息，請訪問www.nxp.com

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前瞻性陳述

本新聞稿中可能包含有關恩智浦半導體財務狀況、營運與業(yè)務成效的前瞻性陳述，以及恩智浦半導體關于這些內容的計劃與目標。由于其特性,前瞻性陳述中將包含風險和不確定性，其涉及到一些事件，并且依賴未來的環(huán)境，同時很多因素也會影響較終結果和進展，使之偏離這些前瞻性陳述的論述與暗示。