雙方稱該業界容量較大、尺寸較小的 NAND 設備

為眾多消費存儲應用帶來成本優勢

2010年8月17日， 北京訊

美光科技公司 (Micron Technology Inc.) 和英特爾公司 (Intel Corporation)今天聯合推出25納米 (nm) 制程的3-bit-per-cell (3bpc) NAND 閃存，該 NAND 設備擁有業界較大的容量和較小的尺寸。兩家公司已將初始產品樣品送到部分客戶手中。美光與英特爾預計在今年年底時量產該產品。 

與競爭對手 USB、SD （Secure Digital） 閃存卡和消費電子產品相比，新推出的 25nm 64Gb 3bpc 存儲設備的性價比更高且存儲量更大。閃存主要用于存儲數據、照片或其它多媒體，如計算機應用和數碼設備（數碼相機、便攜式媒體播放器、便攜式數碼攝像機和各類個人電腦）之間的數據捕捉和傳輸。這些市場一直處在以更低成本提供更高存儲容量產品的壓力之下。

由雙方合資組建的 NAND 閃存公司IM Flash Technologies（簡稱 IMFT） 所開發的這項 64Gb（或8GB）25nm 光刻技術，可提供每單位3比特的信息容量，而傳統技術只能提供1比特（單層存儲單元）或2比特（多層存儲單元）。業內也將3bpc稱為三層存儲單元（triple-level cell, 簡稱 TLC）。

該設備的尺寸與美光和英特爾容量相同的 25nm MLC（多層存儲單元）相比，體積要小20%以上，是目前市場上較小的單個 8GB 設備。從產品固有的緊湊型設計上看，小尺寸閃存對消費終端產品閃存卡顯得尤為重要。芯片面積為131平方毫米，符合行業標準 TSOP（薄型小尺寸封裝）封裝。

美光 NAND 解決方案事業部副總裁 Brian Shirley 說：“鑒于 NAND 閃存對消費電子產品的重要性日益顯著，我們將及早向 25nm TLC 過渡視為不斷擴大 NAND 存儲產品組合的一大競爭優勢。我們已經在努力根據包括 Lexar Media（雷克沙）和美光的更高容量終端產品的設計，來打造符合要求的 8GB TLC NAND 閃存產品。”

英特爾副總裁兼NAND 解決方案事業部總經理 Tom Rampone 表示：“自業界尺寸較小的 25nm 芯片在1月問世，25nm 3bpc 產品也緊隨其后，我們將繼續加速向前發展，為客戶提供一系列卓越的領先產品。Intel 計劃在新推出的 8GB TLC 25nm NAND 設備的基礎上，利用 IMFT 在設計和制造上的優勢，為我們的客戶打造更高密度、更具成本競爭力的產品。”

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