新型2Gb 50納米DDR2內(nèi)存

為即將上市的英特爾Intel^® 凌動™平臺帶來關(guān)鍵優(yōu)勢

2010年7月29日，北京訊

美光科技 (Micron Technology, Inc.) 今日宣布推出新型2Gb 50納米的DDR2內(nèi)存，支持英特爾即將對平板電腦和上網(wǎng)本推出基于Intel^® 凌動™ 的Oak Trail平臺。尺寸和電池壽命對于平板電腦市場十分重要，因此，小尺寸、高容量、低功耗的50納米的2Gb DDR2內(nèi)存將成為該市場的 理想存儲解決方案。

美光的2Gb DDR2產(chǎn)品過渡到更先進的 50 納米制程節(jié)點， 反映出美光對市場所需的技術(shù)的承諾和持續(xù)投資。從1Gb升級到2Gb 的元件除了容量提高，采用50納米制程更有助于降低功耗，并減少內(nèi)存占用（memory footprint）。

美光DRAM營銷副總裁Robert Feurle指出： “美光2Gb 50納米DDR2器件正是英特爾將推的基于Intel® 凌動™ 的Oak Trail 平臺的較佳搭配。它功耗低、 內(nèi)存容量高和高性能特性適合繁榮的平板電腦市場。除此之外，美光也正不遺余力地開發(fā)50納米系列產(chǎn)品，以繼續(xù)支持客戶在這項技術(shù)上的創(chuàng)新。”

英特爾移動事業(yè)群（Mobile Product Group）總監(jiān) Erik Reid 認(rèn)為，“即將推出的 Intel® 凌動™ ” Oak Trail 平臺是為平板電腦和上網(wǎng)本的輕巧設(shè)計而量身打造的。Oak Trail 耗電低且具備適合多任務(wù)、豐富媒體（rich media）和互聯(lián)網(wǎng)環(huán)境的性能，這些特性和優(yōu)勢結(jié)合美光的2Gb 50納米DDR2內(nèi)存，為滿足雙方客戶的設(shè)計需求提供了強大的解決方案。”

美光為客戶開發(fā)的DDR2內(nèi)存維持一貫對質(zhì)量的高要求，提供優(yōu)異的性能和多種配置、容量和封裝的選擇。較新型50納米DDR2系列產(chǎn)品包括：

• 從512Mb到2Gb多種容量器件可供選擇，提供X4/X8/X16封裝
• 從1GB到4GB的UDIMM及SODIMM 高容量模塊配置
• 傳輸率高達800 MT/s，為更高的總線速度（Bus Speed）提供遷移路徑
• 支持1.55伏特電壓，降低內(nèi)存系統(tǒng)耗電

供貨情況：

美光預(yù)計于2010年9月開始提供2Gb 50納米DDR2內(nèi)存樣片，計劃于2010年第四季度正式 量產(chǎn)。

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關(guān)于美光科技 (Micron Technology, Inc.)

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