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意法半導(dǎo)體(ST)推出基于ARM Cortex™-M3的STM32L超低功耗微控制器,助力發(fā)展低功耗應(yīng)用

2010年04月29日12:55:55 本網(wǎng)站 我要評(píng)論(2)字號(hào):T | T | T

意法半導(dǎo)體(紐約證券交易所代碼:STM)今天宣布開(kāi)始向主要客戶提供STM32L系列微控制器樣片,STM32L系列產(chǎn)品是業(yè)界首款來(lái)自全球十大半導(dǎo)體供應(yīng)商之一的超低功耗ARM? Cortex?-M3 微控制器。STM32L系列產(chǎn)品采用意法半導(dǎo)體獨(dú)有的兩大節(jié)能技術(shù):130nm專(zhuān)用低泄漏電流制造工藝和優(yōu)化的節(jié)能架構(gòu),提供業(yè)界領(lǐng)先的節(jié)能性能。

全新STM32L系列產(chǎn)品屬于意法半導(dǎo)體的EnergyLite?超低功耗產(chǎn)品平臺(tái),設(shè)計(jì)人員能夠優(yōu)化終端產(chǎn)品的性能、功能和電池使用壽命,達(dá)到相關(guān)的能效標(biāo)準(zhǔn),如環(huán)保型設(shè)計(jì)目標(biāo)。

意法半導(dǎo)體微控制器產(chǎn)品部總經(jīng)理Michel Buffa表示:"在全球半導(dǎo)體公司提供的產(chǎn)品中,STM32L系列產(chǎn)品實(shí)現(xiàn)較佳的功耗性能比。STM32L將會(huì)成為消費(fèi)電子、工業(yè)應(yīng)用、醫(yī)療儀器或能源計(jì)量表等市場(chǎng)上低功耗應(yīng)用設(shè)計(jì)的首選微控制器。"

除極高能效外,STM32L還具備提高數(shù)據(jù)安全性,促進(jìn)系統(tǒng)安全操作的諸多安全功能,包括靈活的欠壓復(fù)位、片上閃存支持糾錯(cuò)碼(ECC)、存儲(chǔ)器保護(hù)單元(MPU)和JTAG熔斷器。這些功能被推薦用于所有的需要安全產(chǎn)品特性和高度安全的代碼及用戶數(shù)據(jù)管理的應(yīng)用。片上集成的USB 2.0 Full Speed支持模塊使STM32L還能支持移動(dòng)外設(shè)。此外,STM32L系列微控制器內(nèi)置的LCD驅(qū)動(dòng)器,可輕松實(shí)現(xiàn)更低廉、更小的應(yīng)用設(shè)計(jì)。

STM32系列的產(chǎn)品陣容非常強(qiáng)大,目前擁有超過(guò)135款產(chǎn)品,全系列產(chǎn)品的引腳、軟件和外設(shè)相互兼容,應(yīng)用靈活性達(dá)到較高水平。作為STM32系列的新成員,STM32L在32MHz頻率下的處理性能達(dá)到33DMIPS (較大值),片上閃存密度范圍從64KB到 128KB。

STM32L系列樣片已經(jīng)開(kāi)始交付給主要客戶測(cè)試。STM32L151內(nèi)置64KB閃存,采用LQFP48封裝;STM32L152內(nèi)置128KB閃存,采用LQFP100封裝。將于2010年第四季度量產(chǎn)。

技術(shù)細(xì)節(jié)  -- STM32L如何實(shí)現(xiàn)低功耗性能:
意法半導(dǎo)體的EnergyLite?超低功耗技術(shù)平臺(tái)是STM32L取得業(yè)內(nèi)領(lǐng)先的能效性能的關(guān)鍵。這個(gè)技術(shù)平臺(tái)也被廣泛用于意法半導(dǎo)體的8位微控制器STM8L系列產(chǎn)品。EnergyLite?超低功耗技術(shù)平臺(tái)基于意法半導(dǎo)體獨(dú)有的130nm制造工藝,為實(shí)現(xiàn)超低的泄漏電流特性,意法半導(dǎo)體對(duì)該平臺(tái)進(jìn)行了深度優(yōu)化。在工作和睡眠模式下,EnergyLite?超低功耗技術(shù)平臺(tái)可以較大限度提升能效。此外,該平臺(tái)的內(nèi)嵌閃存采用意法半導(dǎo)體獨(dú)有的低功耗閃存技術(shù)。這個(gè)平臺(tái)還集成了直接訪存(DMA)支持功能,在應(yīng)用系統(tǒng)運(yùn)行過(guò)程中關(guān)閉閃存和CPU,外設(shè)仍然保持工作狀態(tài),從而可為開(kāi)發(fā)人員節(jié)省大量的時(shí)間。

除較為突出的與制程有關(guān)的節(jié)能特色外,STM32L系列還提供更多其它的功能,開(kāi)發(fā)人員能夠優(yōu)化應(yīng)用設(shè)計(jì)的功耗特性。通過(guò)六個(gè)超低功耗模式,STM32L系列產(chǎn)品能夠在任何設(shè)定時(shí)間以較低的功耗完成任務(wù)。這些可用模式包括:(在1.8V/25°C環(huán)境的初步數(shù)據(jù))

" 10.4μA低功耗運(yùn)行模式,32kHz運(yùn)行頻率
" 6.1 μA低功耗睡眠模式,一個(gè)計(jì)時(shí)器工作
" 1.3 μA 停機(jī)模式:實(shí)時(shí)時(shí)鐘(RTC)運(yùn)行,保存上下文,保留RAM內(nèi)容
" 0.5 μA 停機(jī)模式:無(wú)實(shí)時(shí)時(shí)鐘運(yùn)行,保存上下文,保留RAM內(nèi)容
" 1.0μA待機(jī)模式:實(shí)時(shí)時(shí)鐘運(yùn)行,保存后備寄存器
" 270nA待機(jī)模式:無(wú)實(shí)時(shí)時(shí)鐘運(yùn)行,保存后備寄存器


STM32L系列新增低功耗運(yùn)行和低功耗睡眠兩個(gè)低功耗模式,通過(guò)利用超低功耗的穩(wěn)壓器和振蕩器,微控制器可大幅度降低在低頻下的工作功耗。穩(wěn)壓器不依賴(lài)電源電壓即可滿足電流要求。STM32L還提供動(dòng)態(tài)電壓升降功能,這是一項(xiàng)成功應(yīng)用多年的節(jié)能技術(shù),可進(jìn)一步降低芯片在中低頻下運(yùn)行時(shí)的內(nèi)部工作電壓。在正常運(yùn)行模式下,閃存的電流消耗較低230μA/MHz,STM32L的功耗/性能比較低185μA/DMIPS。

此外,STM32L電路的設(shè)計(jì)目的是以低電壓實(shí)現(xiàn)高性能,有效延長(zhǎng)電池供電設(shè)備的充電間隔。片上模擬功能的較低工作電源電壓為1.8V。數(shù)字功能的較低工作電源電壓為1.65V,在電池電壓降低時(shí),可以延長(zhǎng)電池供電設(shè)備的工作時(shí)間。

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