——德州儀器推出面向高電流DC/DC應(yīng)用、顯著降低上表面熱阻的功率MOSFET

德州儀器（TI）中國(guó)區(qū)電源產(chǎn)品業(yè)務(wù)拓展工程師吳濤在北京發(fā)布其面向高電流DC/DC應(yīng)用、顯著降低上表面熱阻的功率MOSFET時(shí)表示：“縮小DC/DC解決方案尺寸是一個(gè)發(fā)展趨勢(shì)。首先，許多標(biāo)準(zhǔn)架構(gòu)（PCI、ATCA）、電信及服務(wù)器機(jī)柜設(shè)備都具有固定的支架/機(jī)柜尺寸和電源預(yù)算；其次，PCB密度的日益提高支持設(shè)計(jì)人員實(shí)現(xiàn)其產(chǎn)品的獨(dú)樹(shù)一幟；而較大的需求是在不降低效率和性能的情況下提高POL的功率密度。

吳濤說(shuō)，德州儀器此次發(fā)布的DualCool™ NexFET™功率MOSFET使得功率轉(zhuǎn)換產(chǎn)生的熱量能通過(guò)對(duì)流冷卻從頂端散出，不但提高了功率密度、電流承受能力，同時(shí)增強(qiáng)了系統(tǒng)穩(wěn)定性�！�

第一個(gè)頂部散熱的標(biāo)準(zhǔn)尺寸功率MOSFET

DualCool™ NexFET™ 功率MOSFET是業(yè)界第一個(gè)通過(guò)封裝頂部散熱的標(biāo)準(zhǔn)尺寸功率MOSFET產(chǎn)品系列。相對(duì)其它標(biāo)準(zhǔn)尺寸封裝的產(chǎn)品，它有助于縮小終端設(shè)備的尺寸，同時(shí)還可將MOSFET允許的電流提高50%，并改進(jìn)散熱管理。

該系列包含的5款NexFET器件支持計(jì)算機(jī)與電信系統(tǒng)設(shè)計(jì)人員使用具有擴(kuò)充內(nèi)存及更高電流的處理器，同時(shí)顯著節(jié)省板級(jí)空間。這些采用高級(jí)封裝的MOSFET可廣泛用于各種終端應(yīng)用，其中包括臺(tái)式個(gè)人計(jì)算機(jī)、服務(wù)器、電信或網(wǎng)絡(luò)設(shè)備、基站以及高電流工業(yè)系統(tǒng)等。

圖1：通過(guò)封裝比較凸顯頂端散熱能力

吳濤指出：“我們的客戶需要具有更小體積和更高電流的DC/DC電源，以滿足各種基礎(chǔ)設(shè)施市場(chǎng)對(duì)處理器功能提出的更高要求。DualCool NexFET功率MOSFET能夠以不變的幾何尺寸傳輸更多的電流，可充分滿足這一需求�！�

頂端散熱的優(yōu)勢(shì)

·DualCool NexFET功率MOSFET作為單相35A同步降壓轉(zhuǎn)換器的MOSFET，采用一個(gè)MOSFET即可滿足高電流DC/DC應(yīng)用中的高、低側(cè)兩種開(kāi)關(guān)需求；增強(qiáng)型封裝技術(shù)可將封裝頂部熱阻從10-15℃/每瓦降至1.2℃/每瓦，從而將該封裝所能承受的功耗提升80%；高效的雙面散熱技術(shù)可將允許通過(guò)FET的電流提高50%，設(shè)計(jì)人員無(wú)需增加終端設(shè)備尺寸，即可高度靈活地使用需要更高電流驅(qū)動(dòng)的處理器；業(yè)界標(biāo)準(zhǔn)5毫米x6毫米SON封裝可簡(jiǎn)化設(shè)計(jì)、降低成本，與使用兩個(gè)標(biāo)準(zhǔn)5x6封裝相比，可節(jié)省30mm²的空間。

圖2：實(shí)際運(yùn)行條件下的散熱比較（CSD16321Q5C）（PD= 2.1W，空氣流量= 300LFM）

收購(gòu)節(jié)能技術(shù)，開(kāi)發(fā)高效電源解決方案

較近，德州儀器還宣布收購(gòu)了高頻率高效率電源管理半導(dǎo)體領(lǐng)先設(shè)計(jì)商CICLON半導(dǎo)體器件公司。通過(guò)此次收購(gòu)，TI將進(jìn)一步改進(jìn)包括高功率計(jì)算與服務(wù)器系統(tǒng)等在內(nèi)的眾多終端設(shè)備設(shè)計(jì)的用電效率。

CICLON半導(dǎo)體器件公司是一家高頻率、高效功率MOSFET與RF LDMOS無(wú)晶圓供應(yīng)商，其半導(dǎo)體解決方案可充分滿足高性能應(yīng)用的需求。

采用CICLON業(yè)界先進(jìn)電源管理技術(shù)的設(shè)計(jì)人員可將電源系統(tǒng)的工作頻率進(jìn)行倍頻，實(shí)現(xiàn)高達(dá)90％以上的效率，而封裝外形則比當(dāng)前電源縮減了20%。該公司名為NexFET™ 的金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管（MOSFET）技術(shù)可通過(guò)大幅減少柵極電荷提高上述性能并優(yōu)化尺寸。

吳濤告訴記者：“CICLON精深而廣博的專業(yè)技術(shù)與TI業(yè)界領(lǐng)先的電源管理半導(dǎo)體產(chǎn)品系列強(qiáng)勢(shì)結(jié)合，使我們能夠在解決客戶復(fù)雜電源設(shè)計(jì)技術(shù)難題方面獲得巨大優(yōu)勢(shì)。”

www.ti.com.cn