全球先進(jìn)半導(dǎo)體解決方案的領(lǐng)導(dǎo)品牌三星電子股份有限公司，今天在臺(tái)北六�；蕦m酒店舉辦的第六屆三星行動(dòng)解決方案論壇中，正式宣布已開始量產(chǎn)512-Megabit (Mb)相位變化隨機(jī)存取記憶體晶片(PRAM, phase change random access memory)。 PRAM這種新型的非揮發(fā)性記憶體技術(shù)兼具了高效能及低耗電的特色，預(yù)期將可使行動(dòng)裝置的記憶體技術(shù)進(jìn)入新的階段。

高密度及高效能乃是智能手機(jī)較主要的技術(shù)要求，然而這兩種特性都會(huì)使耗電量大幅增加。而相位變化隨機(jī)存取記憶體晶片(PRAM)則大幅簡化了資料存取的邏輯，對DRAM的支持仰賴程度較低，因此其用電效率極高。在使用PRAM的情況下，手機(jī)電池的使用時(shí)間將可延長20%以上。

三星電子公司記憶體事業(yè)部行動(dòng)記憶體企劃處副總裁Sei-Jin Kim表示：“我們相信PRAM可為手機(jī)效能的設(shè)計(jì)做出極大貢獻(xiàn)，尤其是多媒體手機(jī)以及智慧型手機(jī)。三星預(yù)期PRAM將成為公司未來的核心記憶體產(chǎn)品之一�！�

這種512MbPRAM能在80毫秒內(nèi)消除64KW(千字單位)，此速度比NOR快閃記憶體要快上十倍；而在大小為500萬位元組(MB)的資料段落中，PRAM消除及重寫資料的速度也要比NOR快閃記憶體快上七倍。

PRAM比目前正在研發(fā)當(dāng)中的其他各種記憶體架構(gòu)都更具規(guī)模彈性，一方面利用RAM極快的處理速度提供操作功能，同時(shí)又利用快閃記憶體的非揮發(fā)特性儲(chǔ)存資料。

三星這項(xiàng)第一款PRAM產(chǎn)品是運(yùn)用60奈米級(jí)技術(shù)生產(chǎn)，而這也正是目前用以生產(chǎn)NOR快閃記憶體的技術(shù)。至于未來的新世代PRAM則將采用更先進(jìn)的技術(shù)節(jié)點(diǎn)制造，以加速產(chǎn)品的商業(yè)化應(yīng)用。