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Diodes集成式汽車(chē)電感負(fù)載驅(qū)動(dòng)器可節(jié)省空間及成本

2015年09月22日16:33:05 本網(wǎng)站 我要評(píng)論(2)字號(hào):T | T | T
關(guān)鍵字:應(yīng)用 汽車(chē) 

Diodes公司 (Diodes Incorporated) 推出DMN61D8LVTQ雙通道電感負(fù)載驅(qū)動(dòng)器,適用於汽車(chē)電感負(fù)載開(kāi)關(guān)應(yīng)用,包括窗戶、門(mén)鎖、天線繼電器、螺線管及小型直流電機(jī)。片上集成式齊納二極管和偏置電阻器可排除對(duì)多個(gè)外部元件的需求,有效節(jié)省成本及縮減印刷電路板占位面積。

 

電感負(fù)載開(kāi)關(guān)一般需要續(xù)流二極管來(lái)抑制在開(kāi)關(guān)啟動(dòng)時(shí)出現(xiàn)的電壓尖峰,而DMN61D8LVTQ電感負(fù)載驅(qū)動(dòng)器則利用低側(cè)電路配置免除了對(duì)續(xù)流二極管的需求。這種配置使用反向齊納二極管,提供內(nèi)部MOSFET的有源過(guò)壓漏極箝位。只要確保箝位電壓設(shè)定在低于MOSFET的雪崩擊穿電壓,就可防止MOSFET受到破壞性瞬態(tài)電壓的損害。

                                    

由標(biāo)準(zhǔn)邏輯器件、微控制器及現(xiàn)場(chǎng)可編程門(mén)陣列直接驅(qū)動(dòng)的輸入有效簡(jiǎn)化系統(tǒng)設(shè)計(jì)。這些輸入具有由位置較遠(yuǎn)的齊納堆疊提供的防靜電能力。MOSFET以60V漏-源電壓 (VDS) 及較高達(dá)±12V的柵-源電壓 (VGS) 設(shè)定額定值。

 

全新DMN61D8LVTQ TSOT-26雙通道電感負(fù)載驅(qū)動(dòng)器以三千個(gè)為出貨批量。如欲了解進(jìn)一步產(chǎn)品信息,請(qǐng)?jiān)L問(wèn)www.diodes.com。

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