推動高能效創新的安森美半導體(ON Semiconductor，美國納斯達克上市代號：ONNN)獲中國主要半導體行業雜志之一的《電子產品世界》2013年度電源技術及產品獎之功率元器件類較佳產品獎。這每年一度的獎項表彰六個不同類別的優秀產品。

安森美半導體的高性能第二代場截止型(FSII) IGBT系列擴充了額定電流范圍，為不間斷電源系統(UPS)、電火鍋、電飯煲及微波爐等電源應用提供高能效、高速開關能力。獲獎器件NGTBxxN120IHRWG及NGTBxxN135IHRW具有優異的開關性能及更低的導電損耗，用于15至30 千赫茲(kHz)中等頻率工作的電磁加熱及軟開關應用。這些器件在大電流時提供極佳的強固性和優異的導通狀態特性，根據系統要求經過優化，以提供更高能效及降低系統損耗。

安森美半導體的FSII IGBT技術進一步擴充， 還包括NGTBxxN120FL2WG和NGTBxxN135FL2WG系列器件，專門設計用于太陽能逆變器、UPS及變頻焊機應用。這些器件提供增強的熱性能，結點工作溫度范圍達-55到+175°C，并將額定電流能力提升至采用TO-247封裝條件下 的100 A。

安森美半導體提供高品質及可靠IGBT的實力悠久，其中通過汽車AEC-Q認證的IGBT量產已超過10年。2011年，公司開始開發新的高壓/大電流IGBT，用于不斷增長、持續需求高能效方案的工業及消費類市場。2012年，公司發布采用專有溝槽場截止型技術的首個完整IGBT產品系列，媲美同類技術。此次獲獎的FSII IGBT產品系列于2013年5月發布，進一步鞏固安森美半導體的技術領先者地位，現又獲得了《電子產品世界》讀者投票及專家評審小組的認可。

《電子產品世界》的年度電源技術及產品獎已踏入第11屆，接受世界各地的嵌入式系統供應商提名。《電子產品世界》頒授較佳產品獎及較佳應用獎予六個產品類型，得獎產品由網友投票及《電子產品世界》委任的業界專家評審選出。

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安森美半導體(ON Semiconductor，美國納斯達克上市代號：ONNN)致力于推動高能效電子的創新，使客戶能夠減少全球的能源使用。公司全面的高能效電源和信號管理、邏輯、分立及定制方案陣容，幫助設計工程師解決他們在汽車、通信、計算機、消費電子、工業、LED照明、醫療、軍事/航空及電源應用的獨特設計挑戰。公司運營敏銳、可靠、世界一流的供應鏈及品質項目，及在北美、歐洲和亞太地區之關鍵市場運營包括制造廠、銷售辦事處及設計中心在內的業務網絡。更多信息請訪問http://www.onsemi.cn。