全球電子設計創新領先企業Cadence設計系統公司（NASDAQ: CDNS）今天宣布，立即推出基于臺積電16納米FinFET制程的DDR4 PHY IP（知識產權）。16納米技術與Cadence創新的架構相結合，可幫助客戶達到DDR4標準的較高性能，亦即達到3200Mbps的級別，相比之下，目前無論DDR3還是DDR4技術，較高也只能達到2133Mbps的性能。通過該技術，需要高內存帶寬的服務器、網絡交換、存儲器結構和其他片上系統（SoC）現在可以使用Cadence® DDR4 PHY IP完成設計，并能在有更高速DRAM可用時利用它們。

Cadence DDR4 PHY IP具有循環冗余校驗（CRC）、數據總線倒置（DBI）等可靠性、可用性、可服務性（RAS）功能， 支持無緩沖雙通道內存模塊(UDIMM)/ 帶寄存器的雙通道內存模塊(RDIMM)。全新DDR4 PHY IP實現了4倍時鐘（clocking）等架構創新，以減少占空比失真和多頻電源隔離（multi-band power isolation），以增加抗擾度，實現帶有電壓轉換速率控制的I/O。Cadence DDR4 PHY IP和Cadence DDR4控制器一起在臺積電16納米FinFET制程中經過了實際芯片的驗證。

“對基于16納米FinFET的設計的需求不斷增長，推動對補充性DDR4 IP產品的市場需求，”臺積電公司設計基礎架構營銷事業部資深協理Suk Lee表示，“我們很早就和Cadence公司在該技術上保持緊密協作，因此我們的客戶能夠看到該設計的芯片成果，他們對采用Cadence從工具到IP全面的16納米支持將更有信心。”

“我們很多客戶擔心，因為內存系統的瓶頸，他們的下一代設計不能達到性能目標，”Cadence 高級副總裁兼IP集團總經理Martin Lund表示，“使用Cadence DDR4 IP，相信我們的客戶必將更加堅定地認為，他們的產品一定能匹配未來面向更高速度的DRAM。” 

DDR4 PHY IP已經過芯片驗證，現已推向市場。欲了解更多關于DDR IP的信息，敬請訪問http://ip.cadence.com/knowledgecenter/customize-main/ddr4-16ff

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