東芝為基站和服務(wù)器推出30V電壓功率MOSFET

2013年06月20日09:38:21 本網(wǎng)站我要評論(2)字號：T | T | T

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實現(xiàn)較高級別[注1]低導(dǎo)通電阻性能和高速轉(zhuǎn)換

東芝公司（Toshiba Corporation）（TOKYO:6502）今天宣布為專用于基站和服務(wù)器的通用DC-DC轉(zhuǎn)換器推出30V電壓功率MOSFET系列。這些產(chǎn)品采用了較新的第八代低壓溝槽結(jié)構(gòu)，實現(xiàn)了較高級別的[注1]低導(dǎo)通電阻和高速轉(zhuǎn)換。該系列產(chǎn)品計劃于6月底投入量產(chǎn)。

特性

采用了第八代低壓溝槽結(jié)構(gòu)，實現(xiàn)了較高級別的[注1]低導(dǎo)通電阻
實現(xiàn)了較低的內(nèi)部門極電阻和較低的門極電容比（Cgd/Cgs），有助于預(yù)防自啟動現(xiàn)象


規(guī)格
封裝	產(chǎn)品型號	VPSS （V）	VGSS （V）	RDS（ON）（mΩ）				Crss （標(biāo)準(zhǔn)值）（pF）	Ciss （標(biāo)準(zhǔn)值）（pF）	Qg （VGS=4.5V）（標(biāo)準(zhǔn)值）（nC）	rg （標(biāo)準(zhǔn)值）（Ω）
				VGS=10V		VGS=4.5V
				標(biāo)準(zhǔn)值	較大值	標(biāo)準(zhǔn)值	較大值
SOP Advance	TPH11003NL	30	±20	9.4	11.0	12.6	16.0	18	510	3.3	1.3
	TPH8R903NL	30	±20	7.6	8.9	10.2	12.7	21	630	4.4	1.1
	TPH6R003NL	30	±20	5.2	6.0	6.8	8.3	37	1050	8.2	1.1
TSON Advance	TPN11003NL	30	±20	9.4	11.0	12.6	16.0	18	510	3.3	1.3
	TPN8R903NL	30	±20	7.6	8.9	10.2	12.7	21	630	4.4	1.1
	TPN6R003NL	30	±20	5.2	6.0	6.8	8.3	37	1050	8.2	1.1
SOP-8	TP89R103NL	30	±20	7.8	9.1	10.4	12.9	21	630	4.4	1.1
SOP-8	TP86R203NL	30	±20	5.4	6.2	7.0	8.5	37	1050	8.2	1.1

有關(guān)該產(chǎn)品的更多信息，敬請查看產(chǎn)品頁面。
http://www.semicon.toshiba.co.jp/eng/product/new_products/transistor/1323894_37649.html

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東芝為基站和服務(wù)器推出30V電壓功率MOSFET

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