4月11日下午， OFweek光電新聞網 （以下簡稱OFweek）和OFweek電子工程網在深圳聯合主辦了2013電子行業年度評選活動，英飛凌科技公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY，以下簡稱英飛凌）產品40V OptiMOSTM T2功率晶體管榮獲了技術創新獎。英飛凌科技（中國）有限公司汽車電子事業部市場總監杜曦先生出席了頒獎儀式并代表英飛凌領取了該獎。

英飛凌40 V OptiMOSTM T2功率MOSFET器件結合采用了創新的封裝技術和英飛凌的薄晶圓工藝，規格性能超出同類所有其他產品。英飛凌采用擴散焊接芯片貼裝工藝生產TO-220、TO-262和TO-263等無鉛封裝。鑒于對于封裝幾何結構、芯片焊墊厚度和芯片尺寸的特定要求，擴散焊接芯片貼裝工藝到目前為止是世界上唯一可以實現上述三種封裝的生產工藝。

這些MOSFET系列器件使得英飛凌不但率先達成現行的RoHS（有害物質限制指令）有關用于將芯片附著到封裝的鉛基焊料的要求，而且可以滿足即將在2014年之后實施的更嚴格的ELV RoHS指令要求。作為業界第一款完全無鉛的MOSFET，英飛凌的這些器件可幫助客戶滿足目前和將來這方面的嚴格要求。

英飛凌獲得專利的無鉛芯片貼裝（芯片和封裝引線框架之間互聯）采用擴散焊接方法，可改善芯片的電氣和熱性能、可制造性和質量。這種芯片貼裝技術結合英飛凌的薄晶圓工藝（60微米，而不是標準的175微米）可讓電力半導體器件實現如下幾大改善：

         因為不采用鉛和其他有毒材料，因此是一項環保技術

         結合采用擴散焊接芯片貼裝工藝和薄晶圓技術，可顯著降低器件的導通電阻（RDS(on)）

         熱阻（RthJC）改善40%至50%，因為傳統鉛基軟焊材料的導熱性較差，阻礙了MOSFET結上產生的熱量的消散

         由于不存在溢焊和芯片傾斜現象，而且沒有更嚴格的RDS(on) 和RthJC分布要求， 結果改善了芯片的可制造性。由于產品內部的電機壓力得以降低，進而可改善產品的可靠性和質量

OptiMOS T2 40V——即IPB160N04S4-02D的規格為：電流160A；RDS(on)僅2.0mΩ；RthJC為0.9K/W。與采用標準鉛基芯片貼裝焊接工藝的同類器件相比，導通電阻降低20%。此外，采用英飛凌獲得專利的擴散焊接工藝降低了“芯片到引線框架”的熱阻，使得OptiMOS T2具備同類較佳性能。

英飛凌科技（中國）有限公司汽車電子事業部市場總監杜曦先生表示：“很榮幸我們獲得了OFweek2013電子行業年度技術創新獎，非常感謝OFweek以及業界對我們公司及產品的認可。英飛凌一直以來都十分強調創新精神，以滿足客戶和市場快速發展的需求，這也是成就英飛凌公司成為全球汽車半導體器件供貨商的驅動力，使得英飛凌公司在過去十多年里能保持功率器件出貨量第一的位置。我們公司將不斷加大在創新方面的投入，為廣大客戶帶來更多更好的產品。”

關于OFweek Awards

OFweek Awards于2011年首次舉辦，以表彰在行業技術創新和產品設計方面有突出貢獻的優秀企業和工程師。該評選來自國內外權威行業協會、高等院校、科研機構的資深專家組成的獨立評審團以公平、客觀的立場，對參賽企業進行討論及篩選， 其次通過OFweek 廣大網友提名投票，較終通過專家組終審評選出年度較具代表性的創新技術、優秀產品及企業。

關于英飛凌

總部位于德國紐必堡的英飛凌科技股份公司，為現代社會的三大科技挑戰領域——高能效、移動性和安全性提供半導體和系統解決方案。2012財年（截止到9月30日），公司實現銷售額39億歐元，在全球擁有約26,700名雇員。英飛凌科技公司的業務遍及全球，在美國苗必達、亞太地區的新加坡和日本東京等地擁有分支機構。英飛凌公司目前在法蘭克福股票交易所（股票代碼：IFX）和美國柜臺交易市場（OTCQX）International Premier（股票代號：IFNNY）掛牌上市。

英飛凌在中國

英飛凌科技股份公司于1995年正式進入中國市場。自1996年在無錫建立第一家企業以來，英飛凌的業務取得非常迅速的增長，在中國擁有1300多名員工，已經成為英飛凌亞太乃至全球業務發展的重要推動力。英飛凌在中國建立了涵蓋研發、生產、銷售、市場、技術支持等在內的完整的產業鏈，并在銷售、技術研發、人才培養等方面與國內領先的企業、高等院校開展了深入的合作。

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