RON較現(xiàn)有產(chǎn)品降低了30%，反向恢復時間為現(xiàn)有產(chǎn)品的三分之一

東芝公司(Toshiba Corporation)(TOKYO: 6502)推出了基于第四代600V系統(tǒng)超級結(jié)(super junction)MOSFET“DTMOSIV”系列的高速二極管。新系列采用較新的單外延工藝打造，其每單位面積導通電阻(RON•A)較現(xiàn)有產(chǎn)品降低了約30%(注1)，處于業(yè)界領先水平。(注2)另外，高速寄生二極管的反向恢復時間約為現(xiàn)有產(chǎn)品的三分之一(注3)，降低了損耗并有助于提高功效。

(注1) 與此前的“DTMOSIII”系列比較。東芝數(shù)據(jù)。
(注2) 截至2013年4月2日。東芝數(shù)據(jù)。
(注3) 與現(xiàn)有的“TK16A60W”產(chǎn)品比較。截至2013年4月3日。東芝數(shù)據(jù)。

應用
開關電源，微逆變器，適配器和光伏逆變器

主要特性
1. RON•A較現(xiàn)有產(chǎn)品（DTMOSIII系列）降低了30%。
2. 高速寄生二極管的反向恢復時間約為現(xiàn)有產(chǎn)品的三分之一。
3. 采用單外延工藝打造，確保高溫時的導通電阻和反向恢復時間只會小幅增加。
4. 寬廣的導通電阻范圍（0.65-0.074Ω）
5. 多種封裝

*通過下方鏈接了解該產(chǎn)品詳情。
http://www.semicon.toshiba.co.jp/eng/product/transistor/selection/topics/1267582_2470.html

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