IDT的4H LVDS / LVPECLMEMS振蕩器擁有100飛秒典型相位抖動和可修改的輸出頻率，可降低高性能萬兆以太網和網絡應用的誤碼率

擁有模擬和數字領域的優勢技術、提供領先的混合信號半導體解決方案的供應商 IDT®公司 (Integrated Device Technology, Inc.; NASDAQ: IDTI) 今日推出業界首款差異化MEMS振蕩器，具有100飛秒(fs)典型相位抖動性能和集成的頻率裕量設定能力。IDT高性能振蕩器的超低相位抖動和可修改的輸出頻率顯著降低萬兆以太網(10GbE)交換器、路由器和其他相關網絡設備的誤碼率(BER)。

IDT的4H性能MEMS振蕩器擁有一個差分的LVDS / LVPECL輸出，和相比同級別產品較低的相位抖動（100 fs @ 1.875 – 20MHZ和亞300 fs @ 12KHZ– 20MHZ），滿足高性能網絡應用對低抖動芯片組的需要。集成的頻率裕量(frequency margining)設定功能使客戶在應用操作中能夠將振蕩器頻率微調至±1000 ppm，實現誤碼率較小并便于裕量測試。IDT的4H MEMS振動器適用于多種封裝尺寸，包括更小的3225(3.2 x 2.5 mm)，以節省密集部署應用中的板空間和成本。IDT是提供可將MEMS振蕩器性能、特性和小封裝尺寸組合在一起的唯一供應商。

IDT 公司副總裁兼計時與同步部門總經理 Christian Kermarrec 表示：“IDT較新的MEMS系列構建于標準的4M和升級的4E振蕩器系列基礎上，滿足萬兆以太網和網絡應用對高性能的要求。作為計時解決方案的領導廠商，我們為客戶提供較高性能部件和創新特性，以便于他們進行下一代產品開發。我們很高興看到很多OEM廠商越過MEMS起步型提供商而選擇IDT，這正是由于IDT所能提供的經驗和技術創新。”

HIS公司MEMS與傳感器部門總監和首席分析師Jérémie Bouchaud表示：“云計算和存儲架構正在快速發展，幾乎50%的服務器和存儲簇隨著萬兆以太網而出貨。高性能MEMS振蕩器能使企業級計算和存儲架構的誤碼率更低，并能同時提供更好的可靠性。”

IDT的集成頻率裕量設定功能使客戶能夠在業界采用一個技術技巧作為“額外PPM時鐘”。這一技術時鐘系統處在一個稍微更高的頻率，允許OEM廠商降低誤碼率，并能減少網絡應用的封裝損失。與只提供固定頻率的競爭性MEMS器件不同，IDT的器件允許數以百計的偏頻，它們會在達到625兆赫的任何基礎頻率選擇之后——甚至在較終生產系統中產生。這使得設計人員能夠加快開發進程和優化系統性能。

4H MEMS振蕩器利用IDT專利的壓電MEMS(pMEMS™)諧振器技術，可提供一個擁有無與倫比性能和可靠性的高頻率源。IDT MEMS振蕩器提供優于石英40倍的可靠性，無擾動、無零時故障、對電磁干擾 (EMI) 有更高抖動阻力，并具有出色的抗沖擊和抗振性，這使它們成為傳統的基于石英振蕩器的一個理想的升級解決方案。

IDT 4H系列是在成功的4M和4E 系列MEMS振蕩器基礎上拓展的。作為差分石英振蕩器的嵌入式替代品，4M標準振蕩器可提供顯著性能，相位抖動不到1皮秒(ps)。 4E 升級版振蕩器將一個LVDS 或 LVPECL 輸出和一個同步CMOS 輸出集成到單一封裝中，無需外部晶體和二級振蕩器。此外，4E 振蕩器擁有四個可選的輸出頻率，允許用一個單一的器件替換四個組件，減少材料清單，鞏固庫存。

供貨

IDT 4H MEMS 振蕩器目前處于客戶送樣階段，采用標準的 7.0 x 5.0 mm, 5.0 x 3.2mm 和3.2 x 2.5mm VFQFPN封裝。可用大多數標準頻率。自定義頻率可根據要求進行配置。欲了解更多信息，請登錄www.idt.com/go/MEMS。

關于 IDT 公司

IDT 公司擁有模擬和數字領域的優勢技術，并且運用這些模擬和數字優勢技術為廣大終端用戶提供了大量優化的、豐富的、創新性的系統級解決方案。IDT 在計時、串行交換電路和傳輸接口電路方面位于全球市場的領先地位。在通信、計算和消費芯片市場，IDT 發揮出模擬和系統設計的專長，為客戶提供了各種應用廣泛、性能優化的混合信號解決方案。IDT 公司總部位于美國加利福尼亞州圣荷塞，在全球各地設有設計中心、生產基地和銷售機構。IDT 股票在納斯達克全球精選股票市場上市，代號為“IDTI”。欲了解更多 IDT 詳情，敬請登陸http://www.idt.com/china/或訪問Facebook、LinkedIn、Twitter和YouTube。