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恩智浦全波段UHF Doherty射頻方案和Power-SO8 MOSFET方案獲得“2013中國年度電子成就獎”

2013年03月15日17:38:40 本網站 我要評論(2)字號:T | T | T

 

很高興為大家帶來捷報!恩智浦半導體業界首款Doherty架構超寬帶射頻解決方案和雙通道Power-SO8 MOSFET方案,近日分別榮獲業界殊榮,摘得由環球資源(Global Sources)旗下《電子工程專輯》于今年31日頒發的 “2013中國年度較佳射頻/無線產品獎“2013中國年度較佳功率器件/電壓轉換器產品獎。

 

《電子工程專輯》頒發的中國年度電子成就獎,在業內具有極高的知名度和權威性。本屆年度較佳產品獎,不僅表彰年度為工程師帶來重要設計效益的半導體或元件產品,更旨在通過較佳半導體產品評選,推動中國電子產業發展。環球資源旗下企業聯盟 eMedia Asia Limited總裁石博廉 (Brandon Smith) 先生表示:“‘中國年度電子成就獎旨在表彰對中國大陸電子產業及技術發展做出貢獻的人士及企業,所有得獎者及入圍者在提升中國電子產品的設計及性能方面都起到了非常重要的作用。

 

該較佳產品獎項由《電子工程專輯》評審小組評選出入圍名單,并由中國大陸工程師社群在網上投票而得出,真實反映了業界對于獲獎產品的褒獎與肯定。恩智浦全波段UHF Doherty架構射頻方案以其獨一無二的技術,令數字發射機制造商用戶能夠享受到Doherty功率放大器提供的高效率增益,并得到極大擴展的帶寬。Power-SO8 MOSFET具備市面上較佳的性能、電流處理能力和可靠性,大大減少了PCB板占位面積,令用戶實現更多設計自由。恩智浦這兩款產品以創新的架構、成熟的開發環境和市場應用潛力,勇奪“2013中國年度電子成就獎較佳產品殊榮。

 

相關鏈接:

l         恩智浦高性能RF產品技術專區,請訪問:http://www.nxp.com/techzones/hprf-techzone/overview.html

l         恩智浦MOSFET產品,請訪問:http://www.nxp.com/mosfets

l         視頻:用于廣播應用的高效Doherty架構:

http://v.youku.com/v_show/id_XNDY5NzIwNTI0.html

 

l         更多“2013中國年度電子成就獎詳情,請點擊:http://www.eet-china.com/ace/index.html

 

關于恩智浦半導體

恩智浦半導體NXP Semiconductors N.V. (Nasdaq: NXPI) 以其領先的射頻、模擬、電源管理、接口、安全和數字處理方面的專長,提供高性能混合信號High Performance Mixed Signal和標準產品解決方案。這些創新的產品和解決方案可廣泛應用于汽車、智慧識別、無線基礎設施、照明、工業、移動、消費和計算等領域。公司在全球逾25個國家都設有業務執行機構,2012年公司未經審核的營業額達到43.6億美元。更多恩智浦相關信息,請登錄公司官方網站http://cn.nxp.com/查詢。

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