東芝推出100V低導(dǎo)通電阻N溝道功率MOSFET

2013年03月08日09:27:53 本網(wǎng)站我要評論(2)字號：T | T | T

采用“DPAK+”封裝，適用于高速開關(guān)

東芝公司(Toshiba Corporation) (TOKYO:6502)已推出一款100V的低導(dǎo)通電阻、低漏電型功率MOSFET。該產(chǎn)品采用較新的溝道MOS工藝打造，成為汽車專用系列中的較新成員。新產(chǎn)品“TK55S10N1”的導(dǎo)通電阻較低，搭載以較新的第八代溝道MOS工藝打造的“U-MOS VIII-H系列”芯片，并采用配以銅連接器的“DPAK+”封裝。該產(chǎn)品主要適用于汽車應(yīng)用，尤其是開關(guān)穩(wěn)壓器等需要高速開關(guān)的汽車應(yīng)用。該產(chǎn)品現(xiàn)已推出樣品，并計劃于2013年4月投入量產(chǎn)。


極性	產(chǎn)品型號	漏極到源極電壓 VDSS (V)	漏極電流 ID (A)	系列
通道號	TK55S10N1	100	55	U-MOS VIII-H


主要特性
1.		低導(dǎo)通電阻(VGS=10V)
		RDS(ON) = 5.5mΩ（標(biāo)準值）
2.		低漏電電流IDSS=10μA（較大值）（VDS=額定電壓）
3.		“DPAK+”封裝，通過利用銅連接器實現(xiàn)低導(dǎo)通電阻。