東芝公司(Toshiba Corporation) (TOKYO: 6502)今天宣布，該公司已經基于其較初的NANO FLASH™，為嵌入式微控制器開發出訪問速度更快的NANO FLASH™-100閃存。

開發背景：

嵌入式微控制器的豐富功能和高速性能需要更多訪問速度更快的閃存。在意識到這一需求后，東芝開發了融合兩大特性，即基于NAND閃存單元設備技術的高速編程和NOR閃存電路技術的NANO FLASH™。隨后，東芝將這一高端性能帶給其獨創的微控制器和ARM內核微控制器。如今，隨著越來越多的用戶使用ARM內核微處理器，市場上開始需求速度更快的大內存容量。NANO FLASH™-100便非常適合該市場。

特性：

• 隨機訪問頻率為業界較高的100MHz（見注1）時，新開發的NANO FLASH™-100的等待周期為零。這就讓ARM微處理器的內核能夠充分利用需要高速、大容量內存應用的出色性能和代碼密度。
• 通過利用NANO FLASH™微控制器的超低功耗技術，就可開發出多種高速、低功耗應用。

繼其首款NANO FLASH™-100產品TMPM440F10XBG之后，東芝將推出更多基于ARM內核的產品，并將一如既往地為嵌入式微控制器積極開發閃存技術。

注1：根據東芝對嵌入式微控制器閃存所做的研究（截至2013年1月）

注2：ARM和Cortex是ARM Limited在歐盟和其他國家的商標或注冊商標。

注3：NANO FLASH是東芝公司的商標。

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