現(xiàn)提供新型500W GaN on SiC晶體管產(chǎn)品

致力于提供幫助功率管理、安全、可靠與高性能半導體技術產(chǎn)品的領先供應商美高森美公司(Microsemi Corporation，紐約納斯達克交易所代號：MSCC) 擴大其基于碳化硅襯底氮化鎵(GaN on SiC)技術的射頻(RF)晶體管系列，推出新型S波段 500W RF器件2729GN-500，新器件瞄準大功率空中交通管制機場監(jiān)視雷達(ASR)應用，ASR用于監(jiān)視和控制在機場大約100英里范圍的飛機。

在2.7 至2.9 GHz頻段上，2729GN-500晶體管具有無與倫比的500W峰值功率、12 dB功率增益和53%漏極效率性能，通過單一器件在這個頻段上提供較大功率，主要特性包括：

• 標準脈沖間歇格式：       100µs, 10 % DF  
• 出色的輸出功率：            500W
• 高功率增益：                    >11.5 dB min
• 漏極偏壓−Vdd：       +65V
• 低熱阻：                            0.2℃/W

使用GaN on SiC高電子遷移率晶體管(HEMT)實現(xiàn)的系統(tǒng)優(yōu)勢包括：

• 具有簡化阻抗匹配的單端設計，替代需要額外合成的較低功率器件
• 較高峰值功率和功率增益，可減少系統(tǒng)功率級數(shù)與末級合成
• 單級對管提供具有余量的1.0 kW峰值輸出功率，通過四路組合提供全系統(tǒng)2kW峰值輸出功率
• 65V的高工作電壓減小電源尺寸和DC電流需求
• 極其穩(wěn)健的性能提升了系統(tǒng)良率，而且
• 放大器尺寸比使用硅雙極結(jié)晶體管(Si BJT)或橫向擴散金屬氧化物半導體(LDMOS)器件的產(chǎn)品減小50%

封裝和供貨：

2729GN-500晶體管采用單端封裝供貨，在密封的焊料密封封裝中采用100% 高溫金鍍金線材布線，實現(xiàn)長期軍用級可靠性。美高森美將為符合資格的客戶提供租借演示單元，并在公司網(wǎng)站www.microsemi.com上提供技術資料表。要了解更多的信息，請發(fā)送電郵至sales.support@microsemi.com。

關于美高森美公司 

美高森美公司(Microsemi Corporation，紐約納斯達克交易所代號：MSCC) 為通信、國防與安全、航天，醫(yī)療與工業(yè)，以及新能源市場提供綜合性半導體與系統(tǒng)解決方案，包括高性能、高可靠性模擬和射頻器件，混合集成電路、射頻集成電路、可定制化片上系統(tǒng)(SoC)、可編程邏輯器件（FPGA）與專用集成電路(ASICS)、功率管理產(chǎn)品、時鐘與語音處理器件，以及以太網(wǎng)供電(PoE)IC與電源中繼(Midspan)產(chǎn)品。美高森美總部設于美國加利福尼亞州Aliso Viejo，全球員工總數(shù)約3,000人。欲獲取更詳盡信息，請訪問網(wǎng)站：http://www.microsemi.com。 

－ 完 －