安森美半導(dǎo)體高性能器件推進便攜及消費電子產(chǎn)品的能效及保護性能
全面的產(chǎn)品陣容提供高集成度、特性豐富及能耗更低的產(chǎn)品,專門為電池供電、對噪聲敏感且空間受限的設(shè)計而開發(fā)
推動高能效創(chuàng)新的安森美半導(dǎo)體(ON Semiconductor,美國納斯達克上市代號:ONNN)持續(xù)讓多種便攜及消費電子產(chǎn)品更省電,推出擴充陣容的高集成度、特性豐富、低能耗的方案,用于便攜及消費電子產(chǎn)品。
安森美半導(dǎo)體在Electronica 2012推出的便攜及消費應(yīng)用新產(chǎn)品
安森美半導(dǎo)體在本年度的Electronica展會及研討會上推出兩款新的單通道功率MOSFET。新的MCH3383 P溝道MOSFET提供12伏(V)的漏極至源極電壓(VDSS)、3.5安培(A)的漏極電流(ID)及69毫歐((mΩ))的導(dǎo)通電阻(RDS(ON)),而MCH3484 N溝道MOSFET提供20 V的VDSS、
展會上并推出NCP4545、NCP45520/21及NCP45524/25用于高能效電源域開關(guān)的ecoSWITCH系列,它們是極緊湊、先進負載管理方案的新成員。這些器件結(jié)合控制及驅(qū)動功能,均包含以可調(diào)節(jié)歪曲率控制提供的軟啟動功能,集成了低導(dǎo)通電阻功率MOSFET及電荷泵。它們適合于筆記本/平板電腦、便攜式媒體設(shè)備、企業(yè)級計算系統(tǒng)、熱插拔設(shè)備、外設(shè)端口、電信及工業(yè)設(shè)備和各種便攜設(shè)備。
此外,NCP333、NCP334、NCP335、NCP336及NCP337是新推出的高性價比、極緊湊、高性能的負載開關(guān)。這些基于MOSFET的器件輸入電壓范圍涵蓋1.2 V至5.5 V,均內(nèi)置輸出放電通道以消除輸入電壓軌上的殘余電壓。它們經(jīng)過了優(yōu)化,用于手機、筆記本/平板電腦及數(shù)碼相機等應(yīng)用。
安森美半導(dǎo)體還推出了NCP702、NCP703 及NCP729低壓降(LDO)線性穩(wěn)壓器,這些器件的輸入電壓范圍為2.0 V至5.5 V,提供超低靜態(tài)電流和內(nèi)置過熱關(guān)閉機制。這些器件的優(yōu)異性能特性使其非常適合于必須維持信號完整性的噪聲敏感型應(yīng)用,如鎖相環(huán)(PLL)、振蕩器、頻率合成器及低噪聲放大器。它們被證實極適用的終端產(chǎn)品包括智能手機、數(shù)碼相機、平板電腦、便攜式DVD/媒體播放器、無線耳機、WiFi板和便攜式GPS系統(tǒng),以及便攜式醫(yī)療設(shè)備。
請參觀臨安森美半導(dǎo)體于
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