IDT 推出業(yè)界較低功率 DDR3 - 1866 內(nèi)存緩沖芯片用于高性能 LRDIMM 應(yīng)用
通過(guò)提升較高數(shù)據(jù)傳輸速率并使系統(tǒng)制造商獲益于更高速度的內(nèi)存容量,
IDT 彰顯其內(nèi)存接口解決方案的領(lǐng)導(dǎo)者地位
擁有模擬和數(shù)字領(lǐng)域的優(yōu)勢(shì)技術(shù)、提供領(lǐng)先的混合信號(hào)半導(dǎo)體解決方案的供應(yīng)商 IDT®公司 (Integrated Device Technology, Inc.; NASDAQ: IDTI) 今天推出業(yè)界首款低功率DDR3 內(nèi)存緩沖芯片,可在高達(dá) 1866 兆/秒 (MT/s) 的傳輸速率下運(yùn)行。通過(guò)提升 DDR3 減少負(fù)載雙列直插內(nèi)存模塊 (LRDIMM) 的較高數(shù)據(jù)傳輸速率,并使系統(tǒng)制造商獲益于更高速度的內(nèi)存容量,新器件彰顯了IDT在內(nèi)存接口解決方案領(lǐng)域的領(lǐng)導(dǎo)者地位。IDT 的內(nèi)存緩沖芯片是用于服務(wù)器、工作站和存儲(chǔ)應(yīng)用的先進(jìn)內(nèi)存子系統(tǒng)的關(guān)鍵組件。
MB3518 是一個(gè)低功率 DDR3 內(nèi)存緩沖芯片,能在 1 個(gè)通道內(nèi)與 2 個(gè) LRDIMM 以高達(dá)1866 兆/秒的傳輸速率運(yùn)行。假設(shè)一個(gè) 32GB 容量的 4 通道 (quad-rank) LRDIMM,相當(dāng)于在一個(gè)典型服務(wù)器中傳輸速率為 1866 兆/秒的 512GB 容量,那么使用 8 通道 64GB 的 LRDIMM 容量能翻番達(dá)到超過(guò) 1TB,預(yù)計(jì)將在 2013 年推出。這意味著相比于標(biāo)準(zhǔn)注冊(cè)的雙列直插內(nèi)存模塊 (RDIMMs),在較高速度等級(jí)的相對(duì)容量?jī)?nèi)實(shí)現(xiàn)了四倍的提升,使計(jì)算系統(tǒng)能夠支持更多內(nèi)存并提升應(yīng)用性能。內(nèi)存緩沖芯片可在 1.5 V 或 1.35V 下運(yùn)行,在不犧牲性能的前提下提供業(yè)界較低的功耗。這直接使得終端用戶(hù)在功率和冷卻方面節(jié)約可觀的運(yùn)營(yíng)費(fèi)用。
IDT 公司副總裁兼企業(yè)計(jì)算部總經(jīng)理 Mario Montana 表示:“作為內(nèi)存接口解決方案的領(lǐng)導(dǎo)廠商,IDT 正在提高 LRDIMM 的性能極限。通過(guò)專(zhuān)注于低功率和高性能,在提升速度的同時(shí)堅(jiān)持開(kāi)發(fā)高效節(jié)能的解決方案以降低數(shù)據(jù)中心的運(yùn)行成本并減少碳排放,IDT 的客戶(hù)們可以從中獲益。從系統(tǒng)來(lái)看,IDT 豐富的接口和互聯(lián)產(chǎn)品組合為廣大客戶(hù)提供了有吸引力的價(jià)值選擇,幫助他們構(gòu)建市場(chǎng)上較先進(jìn)的企業(yè)服務(wù)器和存儲(chǔ)設(shè)備。”
美光 (NASDAQ: MU) DRAM 市場(chǎng)部副總裁 Robert Feurle 表示:“美光致力于提供能夠在提升性能的同時(shí)降低功率的 LRDIMM 解決方案,來(lái)滿(mǎn)足我們的客戶(hù)在高性能計(jì)算 (HPC)、數(shù)據(jù)中心和云計(jì)算方面的需求。我們很高興與 IDT 緊密合作,開(kāi)發(fā)下一代 LRDIMM 產(chǎn)品。”
IDT 的內(nèi)存緩存芯片擁有獨(dú)有的調(diào)試和驗(yàn)證特性,包括每個(gè)引腳和晶片示波器的支持和內(nèi)置邏輯分析儀的采集以促進(jìn)全緩沖 DIMM 拓?fù)浼夹g(shù)的開(kāi)發(fā)、驗(yàn)證和測(cè)試。這些特性對(duì)于 LRDIMM 模塊上的內(nèi)存緩沖到 DRAM 接口尤其重要,因?yàn)樗峭耆?dú)立于主控制器和自動(dòng)測(cè)試儀的。IDT 內(nèi)存緩沖芯片符合聯(lián)合電子工程委員會(huì) (JEDEC) 設(shè)立的較嚴(yán)格的規(guī)范。
供貨
IDT MB3518 和 MB3516 目前已向合格客戶(hù)提供樣品,有蓋和無(wú)蓋產(chǎn)品均采用 588 引腳 FCBGA 封裝。欲了解更多關(guān)于 IDT 領(lǐng)先的內(nèi)存接口產(chǎn)品信息,請(qǐng)?jiān)L問(wèn) www.idt.com/go/DDR3。
關(guān)于 IDT 公司
IDT 公司擁有模擬和數(shù)字領(lǐng)域的優(yōu)勢(shì)技術(shù),并且運(yùn)用這些模擬和數(shù)字優(yōu)勢(shì)技術(shù)為廣大終端用戶(hù)提供了大量?jī)?yōu)化的、豐富的、創(chuàng)新性的系統(tǒng)級(jí)解決方案。IDT 在計(jì)時(shí)、串行交換電路和傳輸接口電路方面位于全球市場(chǎng)的領(lǐng)先地位。在通信、計(jì)算和消費(fèi)芯片市場(chǎng),IDT 發(fā)揮出模擬和系統(tǒng)設(shè)計(jì)的專(zhuān)長(zhǎng),為客戶(hù)提供了各種應(yīng)用廣泛、性能優(yōu)化的混合信號(hào)解決方案。IDT 公司總部位于美國(guó)加利福尼亞州圣荷塞,在全球各地設(shè)有設(shè)計(jì)中心、生產(chǎn)基地和銷(xiāo)售機(jī)構(gòu)。IDT 股票在納斯達(dá)克全球精選股票市場(chǎng)上市,代號(hào)為“IDTI”。欲了解更多 IDT 詳情,敬請(qǐng)登陸http://www.idt.com/china/或訪問(wèn)Facebook、LinkedIn、Twitter和YouTube。
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IDT 和 IDT 標(biāo)志為 Integrated Device Technology, Inc. 的商標(biāo)或注冊(cè)商標(biāo)。所有其它品牌、產(chǎn)品名稱(chēng)和標(biāo)識(shí)為其所有者區(qū)分產(chǎn)品或服務(wù)的商標(biāo)或注冊(cè)商標(biāo)。
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