通過提升較高數據傳輸速率并使系統制造商獲益于更高速度的內存容量，

IDT 彰顯其內存接口解決方案的領導者地位

擁有模擬和數字領域的優勢技術、提供領先的混合信號半導體解決方案的供應商 IDT^®公司 (Integrated Device Technology, Inc.; NASDAQ: IDTI) 今天推出業界首款低功率DDR3 內存緩沖芯片，可在高達 1866 兆/秒 (MT/s) 的傳輸速率下運行。通過提升 DDR3 減少負載雙列直插內存模塊 (LRDIMM) 的較高數據傳輸速率，并使系統制造商獲益于更高速度的內存容量，新器件彰顯了IDT在內存接口解決方案領域的領導者地位。IDT 的內存緩沖芯片是用于服務器、工作站和存儲應用的先進內存子系統的關鍵組件。

MB3518 是一個低功率 DDR3 內存緩沖芯片，能在 1 個通道內與 2 個 LRDIMM 以高達1866 兆/秒的傳輸速率運行。假設一個 32GB 容量的 4 通道 (quad-rank) LRDIMM，相當于在一個典型服務器中傳輸速率為 1866 兆/秒的 512GB 容量，那么使用 8 通道 64GB 的 LRDIMM 容量能翻番達到超過 1TB，預計將在 2013 年推出。這意味著相比于標準注冊的雙列直插內存模塊 (RDIMMs)，在較高速度等級的相對容量內實現了四倍的提升，使計算系統能夠支持更多內存并提升應用性能。內存緩沖芯片可在 1.5 V 或 1.35V 下運行，在不犧牲性能的前提下提供業界較低的功耗。這直接使得終端用戶在功率和冷卻方面節約可觀的運營費用。

IDT 公司副總裁兼企業計算部總經理 Mario Montana 表示：“作為內存接口解決方案的領導廠商，IDT 正在提高 LRDIMM 的性能極限。通過專注于低功率和高性能，在提升速度的同時堅持開發高效節能的解決方案以降低數據中心的運行成本并減少碳排放，IDT 的客戶們可以從中獲益。從系統來看，IDT 豐富的接口和互聯產品組合為廣大客戶提供了有吸引力的價值選擇，幫助他們構建市場上較先進的企業服務器和存儲設備。”

美光 (NASDAQ: MU) DRAM 市場部副總裁 Robert Feurle 表示：“美光致力于提供能夠在提升性能的同時降低功率的 LRDIMM 解決方案，來滿足我們的客戶在高性能計算 (HPC)、數據中心和云計算方面的需求。我們很高興與 IDT 緊密合作，開發下一代 LRDIMM 產品。”

IDT 的內存緩存芯片擁有獨有的調試和驗證特性，包括每個引腳和晶片示波器的支持和內置邏輯分析儀的采集以促進全緩沖 DIMM 拓撲技術的開發、驗證和測試。這些特性對于 LRDIMM 模塊上的內存緩沖到 DRAM 接口尤其重要，因為它是完全獨立于主控制器和自動測試儀的。IDT 內存緩沖芯片符合聯合電子工程委員會 (JEDEC) 設立的較嚴格的規范。

供貨

IDT MB3518 和 MB3516 目前已向合格客戶提供樣品，有蓋和無蓋產品均采用 588 引腳 FCBGA 封裝。欲了解更多關于 IDT 領先的內存接口產品信息，請訪問 www.idt.com/go/DDR3。

關于 IDT 公司

IDT 公司擁有模擬和數字領域的優勢技術，并且運用這些模擬和數字優勢技術為廣大終端用戶提供了大量優化的、豐富的、創新性的系統級解決方案。IDT 在計時、串行交換電路和傳輸接口電路方面位于全球市場的領先地位。在通信、計算和消費芯片市場，IDT 發揮出模擬和系統設計的專長，為客戶提供了各種應用廣泛、性能優化的混合信號解決方案。IDT 公司總部位于美國加利福尼亞州圣荷塞，在全球各地設有設計中心、生產基地和銷售機構。IDT 股票在納斯達克全球精選股票市場上市，代號為“IDTI”。欲了解更多 IDT 詳情，敬請登陸http://www.idt.com/china/或訪問Facebook、LinkedIn、Twitter和YouTube。

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