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意法半導(dǎo)體(ST)發(fā)布先進(jìn)功率MOSFET系列產(chǎn)品, 抓住新興生態(tài)設(shè)計(jì)標(biāo)準(zhǔn)和綠色能源市場(chǎng)機(jī)會(huì)

2012年09月14日13:26:10 本網(wǎng)站 我要評(píng)論(2)字號(hào):T | T | T

 橫跨多重電子應(yīng)用領(lǐng)域、全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體供應(yīng)商意法半導(dǎo)體(STMicroelectronics,簡(jiǎn)稱(chēng)ST;紐約證券交易所代碼:STM)推出較新系列高可靠性、高能效的功率晶體管,助力技術(shù)型企業(yè)滿足日益嚴(yán)格的生態(tài)設(shè)計(jì)標(biāo)準(zhǔn)對(duì)功率和能效的要求,瞄準(zhǔn)太陽(yáng)能逆變器、光伏模塊串逆變器和電動(dòng)汽車(chē)等綠色能源應(yīng)用。

 

新產(chǎn)品包括業(yè)內(nèi)首個(gè)可承受950V峰值電壓的超結(jié)晶體管(MOSFET)、同類(lèi)產(chǎn)品中能效較高的900V晶體管和全球上唯一采用節(jié)省空間的PowerFLAT 8x8 HV超薄封裝的850V器件。超結(jié)技術(shù)可提高MOSFET管的工作電壓,降低導(dǎo)通電阻-芯片尺寸比,使電源產(chǎn)品在縮減封裝總體尺寸的同時(shí)提高系統(tǒng)可靠性和能效。

 

意法半導(dǎo)體是超結(jié)MOSFETsuper-junction MOSFETs)的主要供應(yīng)商,現(xiàn)在開(kāi)始提供目前市場(chǎng)上額定電壓較高的解決方案,同時(shí)還是目前僅有的兩家900V超結(jié)晶體管供應(yīng)商之一。此外,該系列產(chǎn)品不久后將增加800V器件。

 

超結(jié)技術(shù)讓世界更環(huán)保

在展示SuperMESH 5器件的高能效的同時(shí),意法半導(dǎo)體還公布了首個(gè)成功應(yīng)用超高壓MOSFET的客戶(hù)設(shè)計(jì)的細(xì)節(jié)。意大利固態(tài)照明創(chuàng)新企業(yè)TCI (www.tcisaronno.net)在其較新的LED驅(qū)動(dòng)器設(shè)計(jì)中選用LEDIPAK封裝的950V STU6N95K5做主電源,為設(shè)計(jì)先進(jìn)且功能豐富的LED照明燈供電,使其成為高成本效益的小型LED照明市場(chǎng)的能效標(biāo)桿。意法半導(dǎo)體功率晶體管產(chǎn)品部市場(chǎng)總監(jiān)Maurizio Giudice表示:“ 意法半導(dǎo)體較新的SuperMESH 5技術(shù)讓TCI創(chuàng)立了市場(chǎng)上較高的能效和安全系數(shù),為客戶(hù)提供極具吸引力的價(jià)值主張。”

 

意法半導(dǎo)體新的超結(jié)MOSFET的其它主要應(yīng)用包括平板電視、PC電源、LED照明驅(qū)動(dòng)器和高壓氣體放電燈(HID)電子鎮(zhèn)流器。MOSFET將讓設(shè)計(jì)人員能夠達(dá)到美國(guó)能源之星(Energy Star)和歐盟能源相關(guān)產(chǎn)品(Energy-related ProductsErP)指令等生態(tài)設(shè)計(jì)標(biāo)準(zhǔn)中日益嚴(yán)格的功率上限和能源下限要求。

 

例如,較新的能源之星電視機(jī)能效規(guī)范(5.3版)提出了更嚴(yán)格的生態(tài)設(shè)計(jì)規(guī)定,要求50英寸以及以上的平板電視的較大絕對(duì)功率為108.0瓦。另一個(gè)生態(tài)設(shè)計(jì)標(biāo)準(zhǔn)日益嚴(yán)格的例子是,ErP的照明指令提高了2012年至2017年期間制造的各類(lèi)HID燈的能效下限標(biāo)準(zhǔn)。

 

意法半導(dǎo)體的新超結(jié)MOSFET耐高壓特性可提高系統(tǒng)安全性和可靠性。對(duì)于HID燈鎮(zhèn)流器和其它的以電網(wǎng)或更高電壓為電源的電力應(yīng)用系統(tǒng),例如太陽(yáng)能微逆變器和電動(dòng)汽車(chē)充電樁,耐高壓是一個(gè)重要優(yōu)點(diǎn)。為較大限度減少電動(dòng)汽車(chē)的充電時(shí)間和運(yùn)行成本,充電樁需要極高的功率轉(zhuǎn)換效率。在微型發(fā)電機(jī)逆變器內(nèi),高能效的MOSFET讓設(shè)計(jì)人員能夠使用更高的開(kāi)關(guān)頻率,輸出高質(zhì)量的交流電能,同時(shí)降低能耗和解決方案尺寸。

 

SuperMESH™ 5 MOSFET的主要特性:

新推出的MOSFET晶體管是首批采用意法半導(dǎo)體的 SuperMESH™ 5第五代超結(jié)技術(shù)的產(chǎn)品。新產(chǎn)品包括采用各種封裝的900V STx21N90K5950V STx20N95K5950V STx6N95K5STL23N85K5 850V采用PowerFLAT 8x8 HV高壓表面貼裝封裝,占位面積為64mm2, 比工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)的D2PAK封裝小56%。此外,這款產(chǎn)品的安裝高度為1mm,比工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)的D2PAK封裝低77%,適用于超薄型應(yīng)用設(shè)計(jì)。

 

900V STP21N90K5的靈敏值(Figure of MeritFOM)反映了該產(chǎn)品接通電源以及導(dǎo)通和關(guān)斷時(shí)的總體能效,比市場(chǎng)上唯一可比產(chǎn)品低62.5%。如果不使用其它品牌而選用STP21N90K5,設(shè)計(jì)人員即可大幅提高能效。

 

產(chǎn)品型號(hào)

額定電壓

RDS(ON)

封裝選項(xiàng)

注釋

STx23N85K5

850V

0.275Ω

TO-247, PowerFLAT 8x8 HV

PowerFLAT 1mm厚表面貼裝

較低的FOM (RDS(ON) x Qg)

超低柵電荷

100%雪崩測(cè)試

G-S齊納二極管保護(hù)

STx21N90K5

900V

0.299Ω

TO-220, TO-220FP, TO-247, D2PAK

TO-220封裝的900V-950VRDS(ON)較低

較低的FOM (RDS(ON) x Qg)

超低柵電荷

100%雪崩測(cè)試

G-S齊納二極管保護(hù)

STx20N95K5

950V

0.330Ω

TO-220, TO-220FP, TO-247, D2PAK

STx6N95K5

950V

1.25Ω

TO-220, TO-220FP, TO-247, DPAK, IPAK

較低的FOM (RDS(ON) x Qg)

超低柵電荷

100%雪崩測(cè)試

G-S齊納二極管保護(hù)

        

新的SuperMESH 5產(chǎn)品已開(kāi)始提供樣片并接受生產(chǎn)訂單,詳情請(qǐng)查詢(xún)www.st.com/pmos

 

 

關(guān)于意法半導(dǎo)體

意法半導(dǎo)體(STMicroelectronicsST)是全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體解決方案供應(yīng)商,為傳感及功率技術(shù)和多媒體融合應(yīng)用領(lǐng)域提供創(chuàng)新的解決方案。從能源管理和節(jié)能技術(shù),到數(shù)字信任和數(shù)據(jù)安全,從醫(yī)療健身設(shè)備,到智能消費(fèi)電子,從家電、汽車(chē),到辦公設(shè)備,從工作到娛樂(lè),意法半導(dǎo)體的微電子器件無(wú)所不在,在豐富人們的生活方面發(fā)揮著積極、創(chuàng)新的作用。意法半導(dǎo)體代表著科技引領(lǐng)智能生活(life.augmented)的理念。

 

意法半導(dǎo)體2011年凈收入97. 3億美元。詳情請(qǐng)?jiān)L問(wèn)公司網(wǎng)站www.st.com

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