三菱電機攜新MPD系列IGBT模塊亮相PCIM 亞洲展

散熱好、功率大、更可靠

三菱電機較新開發(fā)的新MPD系列IGBT模塊，將在6月19至21日于上海世博展覽館舉行的PCIM亞洲展 2012（展位號：301）中亮相，新MPD系列非常適合水冷散熱設計，是一款散熱性能好、可靠性強的大電流功率模塊。

新MPD系列IGBT模塊外型緊湊，采用新型無焊接AI基板，提供更高的溫度循環(huán)能力。針對大電流專用的內(nèi)部結構采用專門的封裝，內(nèi)部封裝電感低。采用低損耗的CSTBTTM硅片技術制成的第6代IGBT模塊，享有更寬的安全工作區(qū)，杰出的短路魯棒性，并擁有較佳的VCE(sat) Vs. Eoff折衷性能。新MPD適合于大電機驅(qū)動、分散式電力發(fā)電（如風力發(fā)電）及大功率UPS等場合。

此外，新MPD系列IGBT模塊分1200V及1700V兩種額定電壓，其中CM2500DY-24S的額定電流高達2500A。其硅片較高結溫可達175°C，硅片運行溫度較高可達150 °C。為了提高散熱效率，新MPD專為水冷散熱系統(tǒng)設計，從而提高產(chǎn)品的性能。其多孔型端子使得接觸阻抗更低，實現(xiàn)更可靠的長期電氣連接，交流和直流主端子分離，便于直流母排連接。

圖片說明：新MPD 照片

三菱電機機電（上海）有限公司副總經(jīng)理兼半導體事業(yè)部部長谷口豐聰先生說：“由于市場對IGBT模塊的散熱功能十分重視，三菱電機推出的新MPD系列IGBT，非常適合水冷散熱，更能切合市場需求。”

現(xiàn)在，半導體功率器件都是采用硅材料，業(yè)內(nèi)人士認為硅材料的節(jié)能能力已經(jīng)接近極限。目前，人們把注意力放到開發(fā)碳化硅材料。碳化硅由于有著優(yōu)良的物理和電氣特性，可以期待在電力變換容量、低耗等方面大大超越硅材料。

三菱電機在2010年在世界上首先開發(fā)成功完全采用碳化硅、搭載驅(qū)動電路和保護電路的全碳化硅IPM。和采用硅材料的IPM相比，電力消耗減少70%、器件體積減少50%。另外，在世界上首次將搭載碳化硅二極管的功率器件用于家用空調(diào)，并使之商品化。

在這次展會中，三菱電機同時展出多個系列的產(chǎn)品，包括汽車用的J系EV-IPM和EV T-PM模塊； 工業(yè)和變頻家電用的DIPIPMTM（雙列直插式智能功率模塊）等等，旨在向中國市場提供更低功耗、更低成本和更高穩(wěn)定性的產(chǎn)品和技術。

三菱電機機電（上海）有限公司簡介

三菱電機創(chuàng)立于1921年，是全球知名的綜合性企業(yè)集團。在較新的《財富》500強排名中，名列第203。

作為一家技術主導型的企業(yè)，三菱電機擁有多項領先技術，并憑強大的技術實力和良好的企業(yè)信譽在全球的電力設備、通信設備、工業(yè)自動化、電子元器件、家電等市場占據(jù)著重要的地位。

三菱電機機電（上海）有限公司把弘揚國人智慧，開創(chuàng)機電新紀元視為責無旁貸的義務與使命。憑借優(yōu)越的技術與創(chuàng)造力貢獻產(chǎn)業(yè)的發(fā)展以促進社會繁榮。

三菱電機半導體產(chǎn)品包括三菱功率模塊（IGBT、IPM、DIPIPMTM、HVIGBT、MOSFET等）、三菱微波/射頻和高頻光器件、光模塊等產(chǎn)品，其中三菱功率模塊在電機控制、電源和白色家電的應用中有助于您實現(xiàn)變頻、節(jié)能和環(huán)保的需求；而三菱系列光器件和光模塊產(chǎn)品將為您在各種模擬/數(shù)字通訊、有線/無線通訊等應用中提供解決方案。

更多信息，請登陸三菱電機機電（上海）有限公司網(wǎng)站：http://www.MitsubishiElectric-mesh.com或三菱電機半導體全球網(wǎng)站：http://www.mitsubishichips.com/。

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