IDT壓電MEMS振蕩器不僅僅比一粒米小很多……

——IDT公司MEMS業務總經理Harmeet Bhugra解讀全球首款針對高性能應用的壓電MEMS振蕩器

根據IHS iSuppli公司MEMS與傳感器研究總監兼首席分析師Jérémie Bouchaud的說法：“MEMS計時已經贏得石英和晶體振蕩器的市場份額，將應用從消費器件擴展到電信基礎設施和硬盤驅動器。隨著復合年增長率達到驚人的72.3% 其收入將從2010年的0.135億美元增長至2015年的2.05億美元。”

作為12億美元硅計時市場排名第一的硅計時供應商IDT公司推出全球首款針對高性能通信、消費、云和工業應用的CrystalFree™ 壓電MEMS（pMEMS™）LVDS/LVPECL振蕩器。在北京的發布會上，IDT公司MEMS業務總經理Harmeet Bhugra表示，IDT的新型振蕩器可在緊湊業界標準封裝中以遠低于1皮秒的相位抖動運行，使其成為傳統六管腳晶體振蕩器（XO）的理想替代。

不僅僅比一粒米小很多

全球首款針對高性能應用的壓電MEMS振蕩器非常小，由于采用了IDT pMEMS技術，還具有其他優異特性：全球較小的WLP諧振器（更佳的可靠性與更低的成本）；無需電源（無源，酷似石英）；與生俱來的更高頻率（高達1GHz）；更低的插入損耗（IL約10dB），具有更優的噪聲性能；可靠的生產（無約100nm電極間距要求）；沒有引起失效的靜電問題。

圖1：除了比一粒米小很多還有更多特性。

Harmeet Bhugra介紹說，IDT的4M系列高性能LVDS/LVPECL振蕩器利用IDT專利的CrystalFree pMEMS諧振器技術，讓IDT能夠迅速在出廠時編程所需的輸出頻率，無需微調昂貴的晶體。此外，由于pMEMS的本征諧振頻率遠高于石英晶體，4M振蕩器能夠以更低的成本實現更高的頻率而無需損耗關鍵性能。4M系列是IDT廣泛MEMS-based器件組合的首款產品，將為客戶提供便利、精確和低抖動的計時參考。

據了解，IDT的4M振蕩器已向合格客戶提供樣品，并提供基于頻率、電壓、輸出類型和工業標準封裝的多種配置。

致力于高性能應用

Harmeet Bhugra說：“作為計時領域的領導者，我們的客戶一直期望IDT的pMEMS技術能夠擴展至通信這樣的高性能應用，通信是40億美元頻率控制市場的重要細分市場。IDT專利的pMEMS諧振器技術將壓電材料的強機電耦合與單晶硅的穩定性和低阻尼相結合，允許我們憑借無與倫比的性能和可靠性實現便利且具有成本效益的XO替代。這些產品與我們屢獲殊榮的固態振蕩器相得益彰，可提供完整的頻率控制產品組合，從而在不斷增加的細分市場中替代石英器件。”

圖2：CrystalFree™ MEMS振蕩器用途廣泛。

IDT的4M振蕩器可在-40℃至85℃的廣泛工業溫度范圍內以±50ppm的頻率精度運行。器件支持低壓差分信號（LVDS）和低電壓正發射極耦合邏輯（LVPECL），頻率高達625MHz，可滿足大多數通信、網絡和高性能計算應用的嚴格要求。除了7.0 x 5.0mm（7050）尺寸，IDT的pMEMS振蕩器還提供5.0 x 3.2mm（5032）小型標準塑料封裝，可節省成本并在高密度的應用領域將封裝尺寸降至較低。經過設計，它們與傳統的XO管腳兼容，使其成為理想的升級替代解決方案。

圖2：IDT頻率控制產品系列。

IDT是硅計時技術領域一流的專家，擁有世界一流的應用工程師，不斷創新使公司擁有4,000多個獨一無二的計時器件，而且可以針對客戶計時器件的快速轉換模式，提供無與倫比的服務與支持。Harmeet Bhugra稱：“IDT在改變40億美元硅頻率控制市場的同時保護并增長12億美元的硅計時市場，已成為頻率控制產品的‘一站式’提供商。”

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