三菱電機搭載第6代IGBT芯片的“MPD系列IGBT模塊” 開始發售
三菱電機株式會社定于
本產品將在2012年的PCIM Europe展 (5月8~10日在德國紐倫堡舉行)上展出。
※1 Mega Power Dual:大容量雙元件功率模塊
※2 Insulated Gate Bipolar Transistor:絕緣柵雙極晶體管
新產品的特點
1.搭載第6代IGBT芯片,有助電力轉換設備小型化和高效化
・采用第6代CSTBT※3,集電極與發射極之間的飽和電壓比以前第5代※4降低約15%
・柵電容比以前※4降低約30~50%
・較高結溫為175℃,比以前※4提高25℃,有助電力轉換設備小型化
※3 Carrier Stored Trench-Gate Bipolar Transistor:載流子存儲式絕緣柵雙極性晶體管
※4 第5世代IGBT模塊「CM900DUC-24NF」「CM1400DUC-24NF」「CM1000DUC-34NF」
2.確保與現有機型互相兼容,可更換
・在外形、端子排列等方面,確保與之前第5代※4互相兼容
・絕緣耐壓為4000V,比以前※4提高14%~60%
環保考慮
符合歐盟成員國限制6種特定有害物質的RoHS※5指令。
※5 Restriction of the use of certain Hazardous Substances in electrical and electronic equipment
發售概要
產品名 |
型號 |
規格 |
發售日期 |
IGBT模塊MPD系列 |
CM900DUC-24S |
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CM1400DUC-24S |
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CM1000DUC-34SA |
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銷售目標
為實現低碳社會,有效利用可再生能源的太陽能發電和風力發電等兆瓦級大規模發電系統的建設正在不斷增加,這同時也對功率調節器等電力轉換設備的小型化和高效化提出更高要求。
2002年,作為處理兆瓦級電力的IGBT模塊,本公司推出了以耐壓1200V、額定電流容量
此外,該新產品不僅有助發電系統小型化和高效化,對工業機器的大容量變壓器和不間斷電源設備(UPS)等的小型化和高效化也有幫助。
主要規格
商標
CSTBTTM是三菱電機株式會社的注冊商標。
制作工廠
三菱電機株式會社 功率器件制作所
〒819-0192 福岡縣福岡市西區今宿東一丁目1番1號
銷售公司
三菱電機機電(上海)有限公司
上海市長寧區興義路8號上海萬都中心29樓
郵編:200336
TEL +86-21-5208-2030 FAX +86-21-5208-1502
三菱電機(香港)有限公司
香港北角電氣道169號宏利保險中心10字樓
TEL +852-2210-0555 FAX +852-2510-9803
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