新的1,200 V器件為大功率電磁感應(yīng)加熱及變頻器應(yīng)用提供極優(yōu)方案。 

應(yīng)用于高能效電子產(chǎn)品的首要高性能硅方案供應(yīng)商安森美半導(dǎo)體(ON Semiconductor，美國納斯達(dá)克上市代號：ONNN)推出新系列的場截止型(Field Stop) 絕緣門雙極結(jié)晶體管(IGBT)，目標(biāo)應(yīng)用為工業(yè)電機(jī)控制及消費(fèi)類產(chǎn)品。NGTB15N120、NGBT20N120及NGBT25N120應(yīng)用于高性能電源轉(zhuǎn)換方案，適合多種要求嚴(yán)格的應(yīng)用，包括電磁爐、電飯煲及其它廚房小家電應(yīng)用。

能源價格不斷上升及圍繞碳排放的環(huán)保因素，持續(xù)帶動更高性能功率分立元器件的需求，尤其是在大功率電磁感應(yīng)及變頻器的應(yīng)用。這些新的額定電壓1,200伏(V)的IGBT采用深溝槽技術(shù)及先進(jìn)的晶圓薄化及加工處理技術(shù)，提供極低的關(guān)閉損耗，同時在導(dǎo)通期間維持低通態(tài)電壓，因而提供更低的開關(guān)損耗及導(dǎo)電損耗。這些器件提供15安培(A)、20 A及25 A額定電流等不同選擇，且與極低正向壓降及軟恢復(fù)快速整流器組合封裝，符合客戶對高能效的嚴(yán)格要求，同時為他們提供高空間利用率的完整方案。 

安森美半導(dǎo)體功率分立產(chǎn)品分部高級總監(jiān)兼總經(jīng)理John Trice說：“安森美半導(dǎo)體為汽車應(yīng)用提供高性能及可靠的IGBT已超過十年，一直是市場上領(lǐng)先的供應(yīng)商。新的1,200 V系列的高性能IGBT充分利用了我們在高壓溝槽型技術(shù)及晶圓工藝技術(shù)的知識產(chǎn)權(quán)及能力，同時為多種終端市場的客戶提供高質(zhì)量及強(qiáng)固的方案，用于他們講究高能效的電源應(yīng)用。”

封裝及價格

采用TO-247封裝的場截止型IGBT器件節(jié)省電路板空間，經(jīng)過優(yōu)化，提供極低的通態(tài)壓降和關(guān)閉開關(guān)損耗。NGTB15N120IHLWG、NGTB20N120IHLWG及NGTB25N120IHLWG電磁感應(yīng)加熱專用IGBT每批量2,500片的單價分別為1.50、1.80及2.00美元。NGTB15N120LWG、NGTB20N120LWG及NGTB25N120LWG電機(jī)驅(qū)動專用IGBT每批量2,500片的單價分別為1.75、2.10及2.35美元。

PCIM – 安森美半導(dǎo)體展位 – 12號館，371號展臺 – 

安森美半導(dǎo)體于5月8日至10日在PCIM現(xiàn)場展示電磁爐用功率模塊及分立IGBT、高能效電機(jī)驅(qū)動及太陽能變頻器等產(chǎn)品，地點(diǎn)為德國紐倫堡展覽中心12號館371號展位。

關(guān)于安森美半導(dǎo)體

安森美半導(dǎo)體(ON Semiconductor，美國納斯達(dá)克上市代號：ONNN)是應(yīng)用于高能效電子產(chǎn)品的首要高性能硅方案供應(yīng)商。安森美半導(dǎo)體公司的產(chǎn)品系列包括電源和信號管理、邏輯、分立及定制器件，幫助客戶解決他們在汽車、通信、計算機(jī)、消費(fèi)電子、工業(yè)、LED照明、醫(yī)療、軍事/航空及電源應(yīng)用的獨(dú)特設(shè)計挑戰(zhàn)，既快速又符合高性價比。安森美半導(dǎo)體公司在北美、歐洲和亞太地區(qū)之關(guān)鍵市場運(yùn)營包括制造廠、銷售辦事處及設(shè)計中心在內(nèi)的世界一流、增值型供應(yīng)鏈和網(wǎng)絡(luò)。更多信息請訪問http://www.onsemi.cn。