3.3mm x 3.3mm PQFN外形尺寸節(jié)省多達(dá)66%的線路板空間，

高性能硅器件提供較低R_DS(ON)

在能源效率標(biāo)準(zhǔn)和較終系統(tǒng)要求的推動之下，電源設(shè)計人員需要有助于縮減其應(yīng)用電源的外形尺寸且不影響功率密度的高能效解決方案。飛兆半導(dǎo)體公司(Fairchild Semiconductor)的FDMC8010 30V Power 33 MOSFET以3.3mm x 3.3mm PQFN外形尺寸提供業(yè)界較佳功率密度和低傳導(dǎo)損耗，能夠滿足這些需求。

FDMC8010采用飛兆半導(dǎo)體的PowerTrench^® 技術(shù)，非常適合要求在小空間內(nèi)實現(xiàn)較低R_DS(ON) 的應(yīng)用，包括：高性能DC-DC降壓轉(zhuǎn)換器、負(fù)載點(POL)、高效負(fù)載開關(guān)和低端切換、穩(wěn)壓器模塊(VRM)以及ORing功能。設(shè)計人員使用FDMC8010器件，能夠?qū)⒎庋b尺寸從5mm x 6mm減小為3.3mm x 3.3mm，節(jié)省66%的MOSFET占位面積。

在隔離型1/16^th brick DC-DC轉(zhuǎn)換器應(yīng)用中，Power 33 MOSFET的較大R_DS(ON)僅為1.3mΩ，與具有同等占位面積的競爭解決方案相比減小了25%。此外，該器件減小了傳導(dǎo)損耗，從而提高散熱效率多達(dá)25%。  要了解更多的信息及索取樣品，請訪問公司網(wǎng)頁：http://www.fairchildsemi.com/pf/FD/FDMC8010.html

特性和優(yōu)勢

·        高性能技術(shù)，具有業(yè)界較佳R_DS(ON)，較大僅為1.3 mΩ

·        3.3mm x 3.3mm行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)外形尺寸，PQFN，節(jié)省線路板空間

·        FDMC8010具有更低的傳導(dǎo)損耗，能夠?qū)崿F(xiàn)比競爭解決方案更高的功率密度和更高的效率。

·        無鉛RoHS封裝

新增PowerTrench^®器件豐富了飛兆半導(dǎo)體中等電壓范圍MOSFET產(chǎn)品陣容，作為齊全的PowerTrench MOSFET產(chǎn)品系列的一部分，它能夠滿足現(xiàn)今電子產(chǎn)品的電氣和散熱性能要求，在實現(xiàn)更高能效水平方面發(fā)揮重要的作用。

飛兆半導(dǎo)體：解決方案助您成功！

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飛兆半導(dǎo)體公司簡介

美國飛兆半導(dǎo)體公司 (Fairchild Semiconductor；紐約證券交易所代號：FCS) － 全球營運、本地支持、創(chuàng)新觀念。飛兆半導(dǎo)體專為功率及便攜設(shè)計提供高能效、易于應(yīng)用及高增值的半導(dǎo)體解決方案。我們幫助客戶開發(fā)差異化的產(chǎn)品，并以我們在功率和信號路徑產(chǎn)品上的專業(yè)知識解決他們遇到的困難技術(shù)挑戰(zhàn)。查詢更多信息，請訪問網(wǎng)站：www.fairchildsemi.com。