全球功率半導體和管理方案領導廠商 – 國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 推出一系列采用TSOP-6封裝、搭載IR較新低壓HEXFET MOSFET硅技術的器件，適用于電池保護與逆變器開關中的負載開關、充電和放電開關等低功率應用。

全新的功率MOSFET具備極低的導通電阻(RDS(on))，能夠大幅降低傳導損耗。新產品可以作為N及P通道配置里的20V或30V器件，較大柵極驅動從12Vgs到20Vgs不等。

IR 亞太區銷售副總裁潘大偉表示：“采用TSOP-6封裝的IR全新功率MOSFET系列，與采用SOT-23和SO-8封裝的現有器件相輔相成，為客戶設計系統提供了更大的靈活性。這個平臺擁有極低的導通電阻，因而這些新器件能夠取代封裝尺寸較大的MOSFET，有助于減少電路板面積和系統成本。”

所有新器件均達到第一級潮濕敏感度 (MSL1) 業界標準，并符合電子產品有害物質管制規定 (RoHS)，不含鉛、溴化物和鹵素。

產品規格

新器件正接受批量訂單。相關數據及MOSFET產品選型工具，請瀏覽IR的網站www.irf.com。

商標

IR® 和HEXFET® 是國際整流器公司 (International Rectifier Corporation) 的注冊商標。文中所提及其它產品名稱均為對應持有人所有的商標。