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飛兆半導體與英飛凌科技簽署創新的汽車級MOSFET H-PSOF TO-Leadless 封裝工藝許可協議;協議確保設計人員可獲得可靠的創新封裝技術供應渠道

2012年04月06日09:06:33 本網站 我要評論(2)字號:T | T | T
關鍵字:應用 半導體 汽車 電源 

 

德國紐必堡與加州圣何塞——英飛凌科技股份公司(FSE: IFX / OTCQX: IFNNY)與飛兆半導體公司(NYSE: FCS)近日宣布簽署英飛凌先進汽車級MOSFET封裝工藝H-PSOF(帶散熱盤的塑料小外形扁平引腳封裝)——符合JEDEC標準的TO-Leadless封裝(MO-299)——的許可協議。

 

 

這種封裝適用于大電流汽車應用,包括混合動力汽車的電池管理、電動助力轉向系統(EPS)、主動式發電機和其他重載電氣系統。TO-Leadless封裝是首個實現300安培電流能力的封裝。這種封裝相對于現有的D2PAK,PCB板面積和高度分別降低20%和50%,從而大幅節省空間。

 

開發全新的啟停系統、電動助力轉向系統、電池管理和主動式發電機,以滿足更苛刻的能效和排放要求的汽車電子公司,正在尋求各種創新解決方案,但他們還必須較大程度規避僅從一家供應商采購器件的風險。為確保可靠的器件供應,飛兆半導體與英飛凌簽署該許可協議,旨在將領先業界的TO-Leadless MOSFET封裝解決方案應用于汽車行業,同時較大程度降低從一家供應商采購器件的風險。

 

飛兆半導體公司計劃將TO-Leadless功率器件封裝工藝應用于其較新的MOSFET技術。采用TO-Leadless封裝的首批MOSFET樣品,預計將于2012年下半年開始提供,批量生產有望于2013年中期開始。

 

飛兆半導體汽車業務部副總裁Marion Limmer指出:“憑借多年來在汽車行業積累的豐富經驗,飛兆半導體在滿足當前各大汽車廠商的功率半導體需求方面,遙遙領先。通過采用這種TO-Leadless功率器件封裝工藝,飛兆半導體幫助設計人員充分利用較新的低阻MOSFET技術,從而進一步提高我們在汽車市場的份額。”

 

英飛凌科技股份公司汽車電子業務部總裁Jochen Hanebeck表示:“擁有這個協議,汽車行業將受益于從其他可靠供應商訂購空間、能效及性能方面具備優勢的大電流功率器件。作為汽車功率應用技術的領導者,英飛凌利用其技術專長為汽車系統供應商提供可提高能效和性能的MOSFET,同時還可較大程度降低從一家供應商采購的風險。”

 

飛兆半導體與世界領先的汽車制造商和系統供應商合作,開發出廣泛支持汽車應用的半導體解決方案,包括優化現代汽車的電源管理架構、降低燃耗和環境污染等等。

 

有關H-PSOF TO-Leadless封裝的JEDEC標準的更多信息請登錄http://www.jedec.org/,搜索“MO-299A.pdf”。

 

關于飛兆半導體

飛兆半導體(NYSE: FCS)不僅業務遍及全球,而且在世界各地提供本地化支持,并提出許多奇思妙想。飛兆半導體針對功率設計和移動設計,推出易用的增值高能效半導體解決方案。我們立足于在功率產品和信號通道產品方面積累的豐富經驗,為客戶提供幫助,使其產品在競爭中脫穎而出,同時使其能夠有效應對巨大的技術挑戰。請登錄www.fairchildsemi.com網站,與我們聯系。

 

關于英飛凌

總部位于德國紐必堡的英飛凌科技股份公司,為現代社會的三大科技挑戰領域——高能效、移動性和安全性提供半導體和系統解決方案。2010財年(截止到9月30日),公司實現銷售額40億歐元,在全球擁有約26,000名雇員。英飛凌科技公司的業務遍及全球,在美國苗必達、亞太地區的新加坡和日本東京等地擁有分支機構。英飛凌公司目前在法蘭克福股票交易所(股票代碼:IFX)和美國柜臺交易市場(OTCQX)International Premier(股票代號:IFNNY)掛牌上市。

 

英飛凌在中國

英飛凌科技股份公司于1995年正式進入中國市場。自1996年在無錫建立第一家企業以來,英飛凌的業務取得非常迅速的增長,在中國擁有1300多名員工,已經成為英飛凌亞太乃至全球業務發展的重要推動力。英飛凌在中國建立了涵蓋研發、生產、銷售、市場、技術支持等在內的完整的產業鏈,并在銷售、技術研發、人才培養等方面與國內領先的企業、高等院校開展了深入的合作。

 

更多信息可在以下網站找到:www.infineon.com。

本新聞稿可在以下網站找到:www.infineon.com/press/。

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