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飛兆半導體650V場截止IGBT提高功率轉換應用的效率和系統可靠性

2012年03月27日20:49:08 本網站 我要評論(2)字號:T | T | T
關鍵字:應用 半導體 電源 可靠性 

新產品能夠應對設計人員的高效、有效功率轉換挑戰

 

太陽能功率逆變器、不間斷電源(UPS)以及焊接應用的設計人員面臨提高能效,滿足散熱法規,同時減少元件數目的挑戰。有鑒于此,飛兆半導體公司(Fairchild Semiconductor)開發了一系列針對光伏逆變器應用的650V IGBT產品,幫助設計人員應對這一行業挑戰。要了解更多的信息及索取樣品,請訪問公司網頁:

 

http://www.fairchildsemi.com/pf/FG/FGA40N65SMD.html

http://www.fairchildsemi.com/pf/FG/FGA60N65SMD.html

 

飛兆半導體公司的場截止IGBT技術能夠讓設計人員開發出具有更高輸入電壓的高可靠系統設計,同時提供具有低導通損耗和開關損耗較佳性能。另外,650V IGBT具有大電流處理能力、正溫度系數、嚴格的參數分布以及較寬的安全工作區等特點

 

高的擊穿電壓改善了寒冷環境溫度下的可靠性,隨著溫度的降低,IGBTFRD阻斷電壓亦會降,因而650V IGBT特別適合較冷氣候工作的太陽能光伏逆變器。仔細選擇IGBT和續流二極管獲得較高效率的必要條件650V IGBT提供了快速和軟恢復特性,能夠降低功率耗,并減小開啟和關斷損耗。

 

特性和優勢

 

·        具有更高的阻斷電壓能力,無需犧牲性能

·        具有正溫度系數,易于并聯工作,可實現不發熱的嵌板應用,防止系統過載

·        大電流容量,實現大功率DC/AC轉換

·        較高結溫:TJ=175oC

·        低飽和壓降:Ic=40A / 60A額定電流下,VCE(sat)= 1.9V(典型值)

·        高開關速度,可讓系統保持高效率

·        低導通損耗和開關損耗

·        寬安全工作區  允許更高的功率耗散

·        嚴格的參數分布

·        滿足RoHS要求

 

飛兆半導體:解決方案助您成功!

 

價格:訂購1,000

FGA40N65SMD 每個2.98美元

FGA60N65SMD 每個4.03美元

 

供貨: 按請求提供樣品

 

交貨期: 收到訂單后812周內

 

編輯注:產品的 PDF 格式數據表可從此網址獲取:

http://www.fairchildsemi.com/ds/FG/FGA40N65SMD.pdf

 

http://www.fairchildsemi.com/ds/FG/FGA60N65SMD.pdf

 

查看產品和公司信息視頻,聽取產品信息網上音頻,以及閱讀飛兆半導體博客(英文版)請訪問網頁:http://www.fairchildsemi.com/engineeringconnections

閱讀飛兆半導體博客(中文版)并發表評論,請訪問:http://engineeringconnections.cn/

查看飛兆半導體在微博發放的實時產品信息,請訪問:http://t.sina.com.cn/fairchildsemi

 

查詢更多信息,請聯絡飛兆半導體香港辦事處,電話:852-2722-8338;深圳辦事處,電話:0755-8246-3088;上海辦事處,電話:021-3250-7688;北京辦事處,電話:010-6408-8088 或訪問公司網站:http://www.fairchildsemi.com/cn/

 

飛兆半導體公司簡介

 

美國飛兆半導體公司 (Fairchild Semiconductor紐約證券交易所代號FCS) 全球營運、本地支持、創新觀念。飛兆半導體功率便攜設計提供高能效、易于應用及高增值的半導體解決方案。我們幫助客戶開發差異化的產品,并以我們在功率和信號路徑產品上的專業知識解決他們遇到的困難技術挑戰。查詢更多信息,請訪問網站www.fairchildsemi.com

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