飛兆半導體650V場截止IGBT提高功率轉換應用的效率和系統可靠性
新產品能夠應對設計人員的高效、有效功率轉換挑戰
太陽能功率逆變器、不間斷電源(UPS)以及焊接應用的設計人員面臨提高能效,滿足散熱法規,同時減少元件數目的挑戰。有鑒于此,飛兆半導體公司(Fairchild Semiconductor)開發了一系列針對光伏逆變器應用的650V IGBT產品,幫助設計人員應對這一行業挑戰。要了解更多的信息及索取樣品,請訪問公司網頁:
http://www.fairchildsemi.com/pf/FG/FGA40N65SMD.html
http://www.fairchildsemi.com/pf/FG/FGA60N65SMD.html
飛兆半導體公司的場截止IGBT技術能夠讓設計人員開發出具有更高輸入電壓的高可靠系統設計,同時提供具有低導通損耗和開關損耗的較佳性能。另外,650V IGBT具有大電流處理能力、正溫度系數、嚴格的參數分布,以及較寬的安全工作區等特點。
更高的擊穿電壓改善了寒冷環境溫度下的可靠性,隨著溫度的降低,IGBT和FRD阻斷電壓亦會下降,因而650V IGBT特別適合較冷氣候之下工作的太陽能光伏逆變器。仔細選擇IGBT和續流二極管是獲得較高效率的必要條件,650V IGBT提供了快速和軟恢復特性,能夠降低功率耗散,并減小開啟和關斷損耗。
特性和優勢
· 具有更高的阻斷電壓能力,無需犧牲性能
· 具有正溫度系數,易于并聯工作,可實現不發熱的嵌板應用,防止系統過載
· 大電流容量,實現大功率DC/AC轉換
· 較高結溫:TJ=175oC
· 低飽和壓降:Ic=40A / 60A額定電流下,VCE(sat)= 1.9V(典型值)
· 高開關速度,可讓系統保持高效率
· 低導通損耗和開關損耗
· 寬安全工作區 – 允許更高的功率耗散
· 嚴格的參數分布
· 滿足RoHS要求
飛兆半導體:解決方案助您成功!
價格:訂購1,000個
FGA40N65SMD 每個2.98美元
FGA60N65SMD 每個4.03美元
供貨: 按請求提供樣品
交貨期: 收到訂單后8至12周內
編輯注:產品的 PDF 格式數據表可從此網址獲取:
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飛兆半導體公司簡介
美國飛兆半導體公司 (Fairchild Semiconductor;紐約證券交易所代號:FCS) - 全球營運、本地支持、創新觀念。飛兆半導體專為功率及便攜設計提供高能效、易于應用及高增值的半導體解決方案。我們幫助客戶開發差異化的產品,并以我們在功率和信號路徑產品上的專業知識解決他們遇到的困難技術挑戰。查詢更多信息,請訪問網站:www.fairchildsemi.com。
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