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意法半導體(ST)進一步擴大抗輻射航天用模擬芯片產(chǎn)品陣容

2011年10月10日09:29:53 本網(wǎng)站 我要評論(2)字號:T | T | T
關(guān)鍵字:航天 應(yīng)用 半導體 通信 可靠性 

創(chuàng)新的模擬放大器,獲得 QML V認證

 

橫跨多重電子應(yīng)用領(lǐng)域、全球領(lǐng)先的航天用半導體芯片供應(yīng)商意法半導體(STMicroelectronics,簡稱ST;紐約證券交易所代碼:STM)宣布其歐洲抗輻射航天用半導體產(chǎn)品組合新增款獲得QML  V官方認證的放大器芯片。新產(chǎn)品認證進一步鞏固了意法半導體抗輻射模擬器件的堅實基礎(chǔ)。意法半導體的抗輻射模擬器件具有極強的抗輻射性能,在已發(fā)現(xiàn)的惡劣太空環(huán)境中能夠正常運行,確保設(shè)備具有更長的耐用性。

 

意法半導體高可靠性和標準產(chǎn)品部總經(jīng)理Alberto De Marco表示:“衛(wèi)星產(chǎn)業(yè)協(xié)會研究報告數(shù)據(jù)顯示,全球衛(wèi)星產(chǎn)業(yè)正在健康發(fā)展。2010年全球衛(wèi)星市場收入總計1681億美元,近五年來平均增長率超過11.2%[1] 。在娛樂、導航、通信等很多日常生活方面我們都離不開衛(wèi)星,衛(wèi)星的功能和可靠性極其重要,意法半導體推出的這四款全新產(chǎn)品能夠在太空中承受現(xiàn)已發(fā)現(xiàn)的輻射強度對于衛(wèi)星正常運轉(zhuǎn)至關(guān)重要。”

 

意法半導體以300 krad(Si)的標準抗離子化輻射能力總離子化劑量測試,簡稱TID(包括抗低速率輻射測試)而成為航天工業(yè)的半導體器件抗輻射參考標準。無增強型低劑量速率敏感效應(yīng)ELDRS-free芯片讓意法半導體成為首家獲得抗輻射保證 RHA認證的半導體供應(yīng)商。通過推出無單粒子閂鎖SEL效應(yīng)和無單粒子錯誤中斷SEFI效應(yīng)的器件,意法半導體取得了市場上較高的抗離子化輻射能力,將防止重離子引起燒傷的抗輻射技術(shù)提高至新的水平。在這些新產(chǎn)品中,意法半導體領(lǐng)先市場的尖端技術(shù)還包括單粒子瞬變(SET)保護功能。單粒子瞬變現(xiàn)象是重離子引起的瞬間錯誤,是航天用模擬器件必須克服的一大挑戰(zhàn)。

 

新產(chǎn)品包括以下四款芯片:

-  RHF4844RHF43B組成的4路運算放大器,可替代工業(yè)標準運算放大器芯片,采用Flat-14W封裝,2011年通過QML V認證。

-  RHF310RHF330是超低功耗5V運算放大器,是各種信號調(diào)節(jié)應(yīng)用的理想選擇。120MHz1.0GHz兩個型號已取得QML V證書。另一款產(chǎn)品550 MHz RHF350預計于2011年第季度通過認證。

 

意法半導體航天用模擬器件在設(shè)計方面特別關(guān)注單粒子瞬變效應(yīng),并經(jīng)過了全面的特征化分析,擁有瞬間錯誤脈沖的振幅低,時間短的特性。

 

意法半導體的抗輻射模擬芯片均采用BICMOS制程,功耗極低。在法國國家宇航空研究中心CNES的積極支持下,這些器件通過測試后直接進入歐洲產(chǎn)品目錄EPPL

 

意法半導體 QML V模擬產(chǎn)品主要特性

·         通過QML  V質(zhì)量認證300 krad (Si)總離子化劑量TID測試

·         ELDRS增強型低劑量速率敏感性效應(yīng)

·         單粒子閂鎖(SEL)防護能力:110 MeV/mg/cm²125 °C

·         完整的單粒子瞬變特征化分析

·         氣密封裝

·         歐洲出口認證產(chǎn)品

 

關(guān)于航天用半導體產(chǎn)品

抗輻射是航天元器件的主要要求。在太空中存在大量的輻射源,例如,范艾倫輻射帶、太陽風、太陽耀斑、銀河宇宙射線。

 

抗輻射器件能夠在這種環(huán)境條件下長時間正常運行,可靠性或使用壽命不會因為粒子(大多數(shù)是質(zhì)子、電子和重離子)輻射而受到影響。在受到重離子輻射時,半導體的瞬態(tài)特性至關(guān)重要。

 

總離子化劑量測試用于在給定劑量速率條件下測量某一個產(chǎn)品抵抗質(zhì)子和電子引起的離子化的抗輻射性能,測量單位為krad (Si),劑量速率分為高、低或增強三個級別。

 

為驗證輻射對每個元器件的影響程度,意法半導體對認證產(chǎn)品進行了重離子抗輻射測試。每個測試過程均是從連續(xù)提高輻射能量直到發(fā)現(xiàn)被測器件失效為止。BICMOS模擬產(chǎn)品經(jīng)過以下各種測試:

-  單粒子閂鎖測試

-  單粒子瞬變測試

-  單粒子錯誤中斷測試

 

航天工業(yè)的高可靠性要求遠遠高于抗輻射要求。歐洲航天器件委員會(ESCC)或美國國防后勤局(哥倫布國防物資中心的前身)等政府機構(gòu)負責指定廠商的認證和產(chǎn)品制造及質(zhì)檢相關(guān)規(guī)范。

 

意法半導體積極參與這些機構(gòu)的活動(1977年成為第一個ESCC認證企業(yè)) ,并按照這兩大全球認可的質(zhì)量體系研發(fā)航天用半導體技術(shù)產(chǎn)品。

 

QML V器件的質(zhì)量和制程符合美國國防后勤局公布的MIL-STD-38535MIL-STD-883軍用產(chǎn)品標準。QML V質(zhì)檢包括QML V 規(guī)范明確規(guī)定的一系列可靠性和抗輻射測試。

 

關(guān)于意法半導體

意法半導體(STMicroelectronicsST)是全球領(lǐng)先的半導體解決方案提供商,為各種應(yīng)用領(lǐng)域的電子設(shè)備制造商提供創(chuàng)新的解決方案。憑借公司掌握的大量技術(shù)、設(shè)計能力和知識產(chǎn)權(quán)組合、戰(zhàn)略合作伙伴關(guān)系和制造實力,意法半導體矢志成為多媒體融合和功率應(yīng)用領(lǐng)域無可爭議的行業(yè)領(lǐng)袖。2010年,公司凈收入為103.5億美元。詳情請訪問意法半導體公司網(wǎng)站 www.st.com

 



[1] Satellite Industry Association: 2011 State of the Satellite Industry Report

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