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飛兆半導體PowerTrench® MOSFET器件,提高同步整流應用的系統效率和功率密度

2011年06月03日08:46:41 本網站 我要評論(2)字號:T | T | T
關鍵字:應用 半導體 電源 

相比先前解決方案,品質因數提升多達 66%

 

對于需要提升系統效率并較大限度減少元件數目的高效AC-DC轉換器等應用的設計人員來說,構建一個具備快速開關特性、更高效率和功率密度的現代電源系統是一項非常重要的指標。

 

為了幫助設計人員應對這一挑戰,全球領先的高性能功率便攜產品供應商飛兆半導體公司(Fairchild Semiconductor) 為100V和150V PowerTrench® MOSFET系列器件增添了工業類型封裝選擇,包括TO-220、D2PAK、TO247、I2PAK、TO220 Full Pack和D2PAK-7L。

 

上述器件屬于中等電壓范圍功率MOSFET產品系列成員,是結合低柵極電荷(QG)、低反向恢復電荷(Qrr)和軟反向恢復體二極管的優化功率開關產品,可在AC-DC電源中實現同步整流功能的快速開關。

 

這些器件采用具有電荷平衡功能的屏蔽柵極結構,通過使用這項技術,其品質因數(QG x RDS(ON))較先前之解決方案降低達66%,為包含同步整流、微型太陽能逆變器和離線UPS系統之應用,以及電信功率分配PDU/BFU單元之設計人員提供高效率的解決方案。

 

新產品采用低反向恢復電荷和軟反向恢復體二極管,可以減少系統中的電壓尖刺或振蕩,省去緩沖器電路,或不需替換額定電壓更高的MOSFET器件,有助于提升效率并降低設計的材料清單成本。

 


首批采用工業類型封裝的器件有FDP083N15A_F102FDB082N15AFDP036N10A N溝道PowerTrench MOSFET器件。如同PowerTrench MOSFET系列中的所有器件一樣,這些產品具有快速開關特性和低柵極電荷,并采用高性能技術實現了極低的RDS(ON)。此外,該系列器件采用符合RoHS標準的無鹵素和無鉛封裝,能夠滿足環保法規的要求。

 

新增PowerTrench MOSFET器件豐富了飛兆半導體中等電壓范圍MOSFET產品陣容,作為齊全的PowerTrench MOSFET產品系列的一部分,它能夠滿足現今電子產品的電氣和散熱性能要求,在實現更高能效水平方面發揮重要的作用。

 

飛兆半導體: 卓越技術助您實現成功!

 

價格(訂購1,000個):

FDP083N15A_F102的單價為3.43美元

FDB082N15A的單價為3.45美元

FDP036N10A的單價為3.50美元

 

供貨: 現提供樣品

 

交貨期 收到訂單后8至10周

 

編輯注:產品的 PDF 格式數據表可從此網址獲取:

http://www.fairchildsemi.com/ds/FD/FDP083N15A_F102.pdf

http://www.fairchildsemi.com/ds/FD/FDB082N15A.pdf

http://www.fairchildsemi.com/ds/FD/FDP036N10A.pdf

 

查看產品和公司信息視頻,聽取產品信息網上音頻,以及閱讀飛兆半導體博客(英文版),請訪問網頁:http://www.fairchildsemi.com/engineeringconnections

閱讀飛兆半導體博客(中文版)并發表評論,請訪問:

http://engineeringconnections.cn/

查看飛兆半導體在微博發放的實時產品信息,請訪問:http://weibo.com/fairchildsemi

 

查詢更多信息,請聯絡飛兆半導體香港辦事處,電話:852-2722-8338;深圳辦事處,電話:0755-8246-3088;上海辦事處,電話:021-3250-7688;北京辦事處,電話:010-6408-8088 或訪問公司網站:www.fairchildsemi.com

 


飛兆半導體公司簡介

 

美國飛兆半導體公司 (Fairchild Semiconductor;紐約證券交易所代號:FCS) - 全球營運、本地支持、創新觀念。飛兆半導體專為功率便攜設計提供高能效、易于應用及高增值的半導體解決方案。我們幫助客戶開發差異化的產品,并以我們在功率和信號路徑產品上的專業知識解決他們遇到的困難技術挑戰。查詢更多信息,請訪問網站:www.fairchildsemi.com

 

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