全新射頻功率MOSFET系列整合了業(yè)界較強(qiáng)固的芯片與高散熱效率封裝，為設(shè)計(jì)人員實(shí)現(xiàn)更高的可靠性和性能

橫跨多重電子應(yīng)用領(lǐng)域、全球領(lǐng)先的功率半導(dǎo)體供應(yīng)商（STMicroelectronics，簡(jiǎn)稱ST，紐約證券交易所代碼：STM）推出新一代高頻功率晶體管。新產(chǎn)品可有效延長(zhǎng)如醫(yī)用掃描儀和等離子發(fā)生器等大功率射頻設(shè)備的運(yùn)行時(shí)間，并可提高應(yīng)用性能及降低設(shè)備成本。

經(jīng)制程升級(jí)后，意法半導(dǎo)體較新的射頻功率MOSFET晶體管可承受高達(dá)200V的峰值電壓，比同類競(jìng)爭(zhēng)產(chǎn)品高20%以上。更高的耐用性可有效延長(zhǎng)功率晶體管的使用壽命，從而降低設(shè)備的停機(jī)時(shí)間和經(jīng)營(yíng)成本。先進(jìn)的制程還能提高M(jìn)OSFET的增益、能效及大功率特性，進(jìn)而提高設(shè)備性能，并簡(jiǎn)化設(shè)計(jì)。

此外，新產(chǎn)品采用較新的陶瓷封裝和意法半導(dǎo)體的塑膠氣室（STAC^®）封裝技術(shù)，這兩種封裝可加快裸片散熱過(guò)程和提高可靠性，進(jìn)一步降低設(shè)備維護(hù)成本。

SD4931和SD4933分別是150W和300W N溝道射頻功率MOSFET晶體管，適用于50V DC信號(hào)高達(dá)250MHz的應(yīng)用。采用意法半導(dǎo)體的強(qiáng)化垂直硅制程和配備倒螺栓安裝凸緣的密閉陶瓷封裝是這個(gè)系列器件的兩大優(yōu)勢(shì)。

STAC4932B和STAC4932F采用意法半導(dǎo)體的倒螺栓無(wú)凸緣的STAC封裝，適合100V脈沖/額定功率1000W以上的射頻應(yīng)用，如光驅(qū)和核磁共振影像（MRI）。擁有高散熱率和高能效的 STAC封裝配備散熱基座，可直接焊接散熱器，讓MOSFET晶體管能夠輸出大功率的高頻信號(hào)，較大限度地提升應(yīng)用可靠性，延長(zhǎng)設(shè)備的使用壽命。

主要特性：

• 擊穿電壓(V_(BR)DSS) > 200V
• 較大結(jié)溫200°C
• 可承受20:1的全部相位負(fù)載失匹率（SD4931/4933）
• 輸出功率 (P_OUT):：      

1. 在175MHz時(shí)，較低150W，14.8dB增益（SD4931)
2. 在30MHz時(shí)，較低300W，24dB增益（SD4933）
3. 在123MHz時(shí)，較低1000W（正常1200W），26dB增益  （STAC4932B/F）

采用陶瓷封裝的STAC4932B現(xiàn)已量產(chǎn)；采用STAC封裝的STAC4932F預(yù)計(jì)于今年6月量產(chǎn)。

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關(guān)于意法半導(dǎo)體

意法半導(dǎo)體（STMicroelectronics；ST）是全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體解決方案提供商，為各種應(yīng)用領(lǐng)域的電子設(shè)備制造商提供創(chuàng)新的解決方案。憑借公司掌握的大量技術(shù)、設(shè)計(jì)能力和知識(shí)產(chǎn)權(quán)組合、戰(zhàn)略合作伙伴關(guān)系和制造實(shí)力，意法半導(dǎo)體矢志成為多媒體融合和功率應(yīng)用領(lǐng)域無(wú)可爭(zhēng)議的行業(yè)領(lǐng)袖。2010年，公司凈收入為103.5億美元。詳情請(qǐng)?jiān)L問(wèn)意法半導(dǎo)體公司網(wǎng)站 www.st.com