器件能夠減小電源占位面積，提高功率密度并提升設計效率

DC-DC電源、馬達控制、熱插拔和負載開關應用，以及服務器的次級同步整流應用的設計人員，需要使用具有更低傳導損耗和開關損耗的MOSFET器件以期提高設計的效率。

為了滿足這一需求，全球領先的高性能功率和便攜產品供應商飛兆半導體公司(Fairchild Semiconductor)開發出N溝道PowerTrench® MOSFET器件FDMS86500L，該器件經專門設計以較大限度地減小傳導損耗和開關節點振鈴，并提升DC-DC轉換器的整體效率。

FDMS86500L是采用行業標準5mm x 6mm Power 56封裝的器件，它結合了先進的封裝技術和硅技術，顯著降低了導通阻抗R_DS(ON) (2.5mΩ @ V_GS = 10V, I_D=25A)，實現更低的傳導損耗。

此外，FDMS86500L使用屏蔽柵極功率MOSFET技術，提供極低的開關損耗 (Q_gd 14.6 nC Typ.)，結合該器件的低傳導損耗，可為設計人員提供其所需的更高的功率密度。

FDMS86500L MOSFET器件具有更好的品質因數(R_{DS(ON) *} Q_G)，提供高效率和低功耗，以期滿足效率標準和法規的要求。

FDMS86500L器件的其它特性包括采用下一代增強型體二極管技術以實現軟恢復；MSL1穩固封裝設計；經過100% UIL測試，并符合RoHS標準。

FDMS86500L是飛兆半導體新型60V MOSFET產品系列中的首款器件，這些新型 60V MOSFET器件的推出，進一步強化公司中等電壓MOSFET產品系列。飛兆半導體擁有業界較廣泛的 MOSFET產品系列，向設計人員提供多種技術選擇，以便為應用挑選合適的MOSFET器件。飛兆半導體充分認識到空間受限的應用場合對電流更高、占位面積更小的DC-DC電源的需求，并且了解客戶及其所服務的市場，因而能夠提供具有獨特功能、工藝和封裝創新組合的量身定做解決方案，實現電子設計差異化。

飛兆半導體： 卓越技術助您實現成功！

價格(訂購1,000個):

FDMS86500L 的單價為0.90美元

供貨: 現提供樣品

交貨期 ：收到訂單后8至10周

編輯注：產品的 PDF 格式數據表可從此網址獲取：

http://www.fairchildsemi.com/ds/FD/FDMS86500L.pdf

查看產品和公司信息視頻，聽取產品信息網上音頻，以及閱讀飛兆半導體博客(英文版)，請訪問網頁：http://www.fairchildsemi.com/engineeringconnections

閱讀飛兆半導體博客(中文版)并發表評論，請訪問：

http://engineeringconnections.cn/

查看飛兆半導體在微博發放的實時產品信息，請訪問：http://t.sina.com.cn/fairchildsemi

查詢更多信息，請聯絡飛兆半導體香港辦事處，電話：852-2722-8338；深圳辦事處，電話：0755-8246-3088；上海辦事處，電話：021-3250-7688；北京辦事處，電話：010-6408-8088 或訪問公司網站：www.fairchildsemi.com。

飛兆半導體公司簡介

美國飛兆半導體公司 (Fairchild Semiconductor；紐約證券交易所代號：FCS) － 全球營運、本地支持、創新觀念。飛兆半導體專為功率及便攜設計提供高能效、易于應用及高增值的半導體解決方案。我們幫助客戶開發差異化的產品，并以我們在功率和信號路徑產品上的專業知識解決他們遇到的困難技術挑戰。查詢更多信息，請訪問網站：www.fairchildsemi.com。