意法半導體（ST）展示針對高能效應用的超低功耗技術

2011年04月14日13:37:44 本網站我要評論(2)字號：T | T | T

新的智能功率半導體技術可大幅降低醫療設備和混合動力汽車充電器的耗電量

中國，2011年4月12日——橫跨多重應用領域、全球領先的半導體供應商意法半導體（STMicroelectronics，簡稱ST；紐約證券交易所代碼：STM）成功展示引領全球的新一代智能功率技術，這項新技術將大幅降低從醫療設備到混合動力汽車充電器等各種電子系統的耗電量。

隨著全球市場對電子和電器設備日益增長的需求，以及減少石化燃料發電的趨勢，提高終端設備的能效已成為全球電子廠商的研發重點，而這也推動意法半導體研發新一代智能功率技術。

通過與全球領先的醫療設備廠商合作，意法半導體成功研制出超聲波掃描儀演示芯片，從而驗證了這項新半導體技術商用化的可行性。這款演示芯片可以處理100多個通道，能夠滿足需要數千個通道的下一代掃描儀的需求。這是目前市場上現有技術所無法實現的高集成度，現有的芯片通常只能處理8個通道。

這項技術是先進歐洲研發專案的開發成果。在歐洲，歐盟通過歐洲納電子行動顧問委員會（ENIAC）項目以推動企業在這個領域的研發活動。在ENIAC的框架內，意法半導體與其它17家歐洲企業達成SmartPM（家電和醫療設備智能功率管理）聯盟，以滿足市場對能效的日益提高的需求。SmartPM聯盟包括來自比利時，法國，德國，愛爾蘭，意大利，荷蘭，挪威，西班牙和瑞典9個國家的工商企業和科研機構。SmartPM合作伙伴共同研發創新的半導體技術、電路設計和系統架構。

意法半導體技術研發部副總裁Claudio Diazzi表示：“能夠讓消費電子和工業設備大幅降低耗電量的半導體技術已在實驗室封存多年，雖然這些技術可大幅度降低全球耗電量，但卻礙于成本過高而無法投入商用，我們相信這項新的智能功率技術將大幅改變這個局面。”

關于新一代智能功率技術

這項新技術基于意法半導體領導全球的整合的SOI（絕緣層上硅）襯底與0.16微米蝕刻制程的的BCD（雙極晶體管—CMOS—DMOS）智能功率半導體技術，讓設計人員能夠在芯片上整合完全介質隔離的高密度邏輯電路（1.8V和3.3V CMOS）與多種元器件，包括工作電壓高達300V的功率MOSFET晶體管、低噪音器件及高阻值電阻，實現傳統體硅襯底無法實現的ASIC芯片。

關于SmartPM聯盟

SmartPM聯盟的研發資金來自ENIAC聯合研發項目小組和各種國家級項目/融資機構，包括德國聯邦教育與研究部（BMBF），比利時IWT，法國經濟、財政及工業部，法國工業處（STSI），愛爾蘭企業局，意大利教育部，歐洲科技研究促進署，荷蘭創新中心，挪威科技研究委員會，西班牙教育和科學部以及瑞典科技促進局。

有關ENIAC JU和SmartPM聯盟的詳細信息，請訪問網站 www.eniac.eu 和www.smartpm.eu

關于意法半導體

意法半導體（STMicroelectronics；ST）是全球領先的半導體解決方案提供商，為各種應用領域的電子設備制造商提供創新的解決方案。憑借公司掌握的大量技術、設計能力和知識產權組合、戰略合作伙伴關系和制造實力，意法半導體矢志成為多媒體融合和功率應用領域無可爭議的行業領袖。2010年，公司凈收入為103.5億美元。詳情請訪問意法半導體公司網站www.st.com

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