安森美半導體180 nm工藝技術嵌入Sidense的1T-OTP存儲器
安森美半導體將使用Sidense的OTP宏模塊開發ASIC和ASSP
2011年4月1日 – 領先的邏輯非易失性存儲器(LNVM)一次性可編程(OTP)存儲器知識產權(IP)內核開發商Sidense與應用于高能效電子產品的首要高性能硅方案供應商(ON Semiconductor,美國納斯達克上市代號:ONNN)宣布,Sidence已將其180納米(nm) OTP存儲器SLP產品線移配到安森美半導體的180 nm數字及混合信號技術平臺ONC18。
此特許協議將使SLP宏模塊能夠用于安森美半導體的專用標準產品(ASSP),以及那些期望安森美半導體制造的專用集成電路(ASIC)產品中包含OTP IP的客戶。此外,Sidence也將能夠服務他們公司期望使用SLP宏模塊及安森美半導體晶圓代工服務的客戶。單個SLP宏模塊的密度范圍較高達250 Kb。
安森美半導體數字及混合信號產品部高級副總裁Bob Klosterboer說:“隨著我們的產品中內嵌Sidence安全可靠的OTP宏模塊,安森美半導體在為客戶提供涵蓋多種應用的前沿硅產品方面,比競爭對手多了一項新增優勢。我們選擇Sidense的OTP IP,既是因為它功耗低、占位面積小,也因為它不用我們更改或增添標準工藝流程。”
Sidence總裁兼首席執行官(CEO) Xerxes Wania說:“我們非常高興與安森美半導體這樣的業界領袖合作。此次協作將為安森美半導體添加又一珍貴IP資源,用于期望使用Sidence OTP以獲得安全可靠及高性價比存儲器的安森美半導體客戶,還使Sidense能夠服務我們那些期望使用安森美半導體晶圓代工資源的客戶。”
關于SLP
SLP是Sidence SiPROM產品系列的尺寸更小、功耗更低的版本,較大宏模塊尺寸為256 Kb。SLP宏模塊較初采用180 nm工藝技術制造,針對手持通信設備、芯片及產品識別(ID)、模擬微調和校準以及代碼存儲等關注成本及功耗的應用。
關于Sidense
Sidense公司提供安全、極高密度及可靠的非易失性一次性可編程(OTP)存儲器IP,用于標準邏輯CMOS工藝,不要求額外掩膜或工藝步驟、對產品良率沒有影響。公司創新的單晶體管1TFuse?架構提供業界占位面積較小、較可靠及較低功耗的邏輯非易失性存儲器(NVM) IP方案。Sidense OTP擁有70多項獲批或待批專利,在眾多OTP及多次可編程(MTP)應用中為閃存、掩膜ROM及eFuse提供了現場可編程方案的又一選擇。
超過150項客戶設計中嵌入了Sidense的 SiPROM、SLP及ULP存儲器產品。這些產品支持從180 nm到40 nm工藝,還可調整至支持28 nm或更小。所有頂級半導體代工廠商及一些卓越集成器件制造商(IDM)均提供并已采用這些IP。客戶將Sidense的OTP用于模擬微調,代碼存儲,高帶寬數字內容保護(HDCP)、無線家庭數字接口(WHDI)、射頻識別(RFID)及芯片識別(Chip ID)等加密密鑰,醫療,汽車及可配置處理器和邏輯。更多信息請訪問www.sidense.com。
關于安森美半導體
安森美半導體(ON Semiconductor,美國納斯達克上市代號:ONNN)是應用于高能效電子產品的首要高性能硅方案供應商。公司的產品系列包括電源和信號管理、邏輯、分立及定制器件,幫助客戶解決他們在汽車、通信、計算機、消費電子、工業、LED照明、醫療、軍事/航空及電源應用的獨特設計挑戰,既快速又符合高性價比。公司在北美、歐洲和亞太地區之關鍵市場運營包括制造廠、銷售辦事處及設計中心在內的世界一流、增值型供應鏈和網絡。更多信息請訪問http://www.onsemi.cn。
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