IR 推出新型DirectFETplus功率MOSFET系列
全球功率半導體和管理方案領導廠商 – 國際整流器公司 (International Rectifier,簡稱IR) 推出DirectFETplus功率MOSFET系列,采用了IR的新一代硅技術,可為 12V輸入同步降壓應用提供較佳效率,這些應用包括新一代服務器、臺式電腦和筆記本電腦。
IRF6811和IRF6894是新系列DirectFETplus的首批器件,比上一代器件減少了導通電阻 (RDS (on) ) 和柵極電荷 (Qg) ,使其效率大幅提高2%。此外,這些器件具有超低柵極電阻 (Rg) ,通過把DC-DC轉換器的開關損耗降至較低來進一步提高效率。
IR亞太區銷售副總裁潘大偉表示:“新款IRF6811和IRF6894芯片組利用IR的DirectFET 封裝技術,并采用IR的新一代硅技術來優化關鍵的 MOSFET參數,為下一代計算需求提供性能卓越、可靠性高及占位空間小的較佳解決方案。”
IRF6811控制MOSFET及IRF6894同步MOSFET分別以小罐及中罐供貨。25V DirectFETplus 組件結合了業界領先的導通電阻和柵極電荷以及低電荷,將傳導和開關損耗降到較低。IRF6894還設有集成式單片肖特基二極管,可降低由體二極管傳導和反向恢復導致的損耗。新型DirectFETplus MOSFET與上一代器件的占位面積兼容。
產品規格
器件編號 |
BVDSS (V) |
10V時的典型導通電阻(mΩ) |
4.5V時的典型導通電阻(mΩ) |
VGS (V) |
典型QG (nC) |
典型QGD (nC) |
概要代碼 |
IRF6811SPBF |
25 |
2.8 |
4.1 |
+/-16 |
11 |
4.2 |
SQ |
IRF6894MPBF |
25 |
0.9 |
1.3 |
+/-16 |
29 |
10 |
MX |
產品詳細數據及應用說明可瀏覽IR網頁 www.irf.com 。
專利和商標
IR 和 DirectFET 是國際整流器公司 (International Rectifier Corporation) 的注冊商標。文中所提及其它產品名稱均為對應持有人所有的商標。
IR簡介
國際整流器公司 (簡稱 IR,紐約證交所代號 IRF) 是全球功率半導體和管理方案領導廠商。IR 的模擬及混合信號集成電路、先進電路器件、集成功率系統和器件廣泛應用于驅動高性能計算設備及降低電機的能耗 (電機是全球較大耗能設備) ,是眾多國際知名廠商開發下一代計算機、節能電器、照明設備、汽車、衛星系統、宇航及國防系統的電源管理基準。
IR 成立于 1947 年,總部設在美國洛杉磯,在二十個國家設有辦事處。IR 全球網站:www.irf.com,中國網站:www.irf.com.cn 。
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