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IR推出IRF6708S2和IRF6728M DirectFET MOSFET芯片組專為注重成本的DC-DC應(yīng)用而設(shè)計

2010年12月14日15:34:45 本網(wǎng)站 我要評論(2)字號:T | T | T
關(guān)鍵字:應(yīng)用 半導體 汽車 電源 計算機 

全球功率半導體和管理方案領(lǐng)導廠商 – 國際整流器公司 (International Rectifier,簡稱IR) 推出了IRF6708S2和IRF6728M 30V DirectFET MOSFET芯片組,特別為注重成本的19V輸入同步降壓應(yīng)用 (如筆記本電腦) 而設(shè)計。

IRF6708S2小罐和IRF6728M中罐器件可減少元件數(shù)量達30%,大幅降低了整體系統(tǒng)成本。這些新款DirectFET MOSFET具有低電荷和低導通電阻 (RDS(on))  ,較大限度減少了傳導及開關(guān)損耗。IRF6728M還備有單片型集成式蕭特基二極管 (Schottky) ,可以降低與體二極管導通和反向恢復相關(guān)的損耗。

IR亞太區(qū)銷售副總裁潘大偉表示:“IRF6708S2和IRF6728M芯片組能夠為注重成本的DC-DC開關(guān)應(yīng)用提供高效率、且具有成本效益的解決方案,而DirectFET確保的卓越熱特性充分體現(xiàn)了一流的整體價值!

IRF6708S2和IRF6728M采用了IR較新一代的30V MOSFET硅技術(shù)。這些新器件除了擁有低導通電阻和低電荷,也具有DirectFET封裝低寄生電阻電感和卓越的散熱性能。

產(chǎn)品規(guī)格

器件編號

BVDSS (V)

10V下的典型RDS(on)  (m)

4.5V下的典型RDS(on)  (m)

VGS (V)

4.5V下的典型QG  (nC)

4.5V下的典型QGD (nC)

IRF6728M

30

1.8

2.8

+/-20

28

8.7

IRF6708S2

30

7.5

12.0

+/-20

6.6

2.2

產(chǎn)品詳細數(shù)據(jù)及應(yīng)用說明可瀏覽IR網(wǎng)頁www.irf.com。

新器件符合電子產(chǎn)品有害物質(zhì)管制規(guī)定 (RoHS) ,現(xiàn)已接受批量訂單。

專利和商標

DirectFET 和 IR 是國際整流器公司 (International Rectifier Corporation) 的注冊商標。文中所提及其它產(chǎn)品名稱均為對應(yīng)持有人所有的商標。

IR簡介

國際整流器公司 (簡稱 IR,紐約證交所代號 IRF) 是全球功率半導體和管理方案領(lǐng)導廠商。IR 的模擬及混合信號集成電路、先進電路器件、集成功率系統(tǒng)和器件廣泛應(yīng)用于驅(qū)動高性能計算設(shè)備及降低電機的能耗 (電機是全球較大耗能設(shè)備) ,是眾多國際知名廠商開發(fā)下一代計算機、節(jié)能電器、照明設(shè)備、汽車、衛(wèi)星系統(tǒng)、宇航及國防系統(tǒng)的電源管理基準。

IR 成立于 1947 年,總部設(shè)在美國洛杉磯,在二十個國家設(shè)有辦事處。IR 全球網(wǎng)站:www.irf.com ,中國網(wǎng)站:www.irf.com.cn 。

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