IR推出IRF6708S2和IRF6728M DirectFET MOSFET芯片組專為注重成本的DC-DC應用而設計
全球功率半導體和管理方案領導廠商 – 國際整流器公司 (International Rectifier,簡稱IR) 推出了IRF6708S2和IRF6728M 30V DirectFET MOSFET芯片組,特別為注重成本的19V輸入同步降壓應用 (如筆記本電腦) 而設計。
IRF6708S2小罐和IRF6728M中罐器件可減少元件數量達30%,大幅降低了整體系統成本。這些新款DirectFET MOSFET具有低電荷和低導通電阻 (RDS(on)) ,較大限度減少了傳導及開關損耗。IRF6728M還備有單片型集成式蕭特基二極管 (Schottky) ,可以降低與體二極管導通和反向恢復相關的損耗。
IR亞太區銷售副總裁潘大偉表示:“IRF6708S2和IRF6728M芯片組能夠為注重成本的DC-DC開關應用提供高效率、且具有成本效益的解決方案,而DirectFET確保的卓越熱特性充分體現了一流的整體價值。”
IRF6708S2和IRF6728M采用了IR較新一代的30V MOSFET硅技術。這些新器件除了擁有低導通電阻和低電荷,也具有DirectFET封裝低寄生電阻電感和卓越的散熱性能。
產品規格
器件編號 |
BVDSS (V) |
10V下的典型RDS(on) (m) |
4.5V下的典型RDS(on) (m) |
VGS (V) |
4.5V下的典型QG (nC) |
4.5V下的典型QGD (nC) |
IRF6728M |
30 |
1.8 |
2.8 |
+/-20 |
28 |
8.7 |
IRF6708S2 |
30 |
7.5 |
12.0 |
+/-20 |
6.6 |
2.2 |
產品詳細數據及應用說明可瀏覽IR網頁www.irf.com。
新器件符合電子產品有害物質管制規定 (RoHS) ,現已接受批量訂單。
專利和商標
DirectFET 和 IR 是國際整流器公司 (International Rectifier Corporation) 的注冊商標。文中所提及其它產品名稱均為對應持有人所有的商標。
IR簡介
國際整流器公司 (簡稱 IR,紐約證交所代號 IRF) 是全球功率半導體和管理方案領導廠商。IR 的模擬及混合信號集成電路、先進電路器件、集成功率系統和器件廣泛應用于驅動高性能計算設備及降低電機的能耗 (電機是全球較大耗能設備) ,是眾多國際知名廠商開發下一代計算機、節能電器、照明設備、汽車、衛星系統、宇航及國防系統的電源管理基準。
IR 成立于 1947 年,總部設在美國洛杉磯,在二十個國家設有辦事處。IR 全球網站:www.irf.com ,中國網站:www.irf.com.cn 。
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