采用Power-SO8封裝的NextPower技術MOSFET

中國上海，2010年12月6日訊——恩智浦半導體NXP Semiconductors N.V.（Nasdaq: NXPI）今天發(fā)布了NextPower系列首款30V Power-SO8 MOSFET，擁有業(yè)界較低R_DSon，4.5V時僅為1.4mΩ。全新的MOSFET器件PSMN1R0-30YLC，專門針對4.5V開關應用優(yōu)化，采用LFPAK封裝技術，是目前業(yè)界較牢固的Power-SO8封裝。NextPower技術已專門針對高性能DC-DC轉換應用進行了優(yōu)化，例如隔離電源和電源OR-ing中的同步降壓調(diào)節(jié)器、同步整流器。

技術要點：

·         特性和優(yōu)勢：

o  針對4.5V柵極驅(qū)動的低R_DSon而專門優(yōu)化的先進NextPower技術

o  Power-SO8封裝確保高可靠性，溫度較高可達175˚C

o  超低Q_G、Q_GD和Q_OSS確保了高系統(tǒng)效率

·         PSMN1R0-30YLC現(xiàn)已開始供貨。

·         PSMN1R0-30YLC是25V和30V NextPower LFPAK系列MOSFET的首款產(chǎn)品，全系列產(chǎn)品將在未來幾個月中陸續(xù)推出。

積極評論：

·         恩智浦半導體Power MOSFET營銷經(jīng)理Charles Limonard表示：“恩智浦NextPower系列MOSFET將幫助設計者實現(xiàn)高性能（高效率）、小尺寸和低成本。恩智浦致力于開發(fā)和創(chuàng)新，并不斷改善導通電阻R_DSon、開關速度和熱效率等關鍵參數(shù)，從而推出具有業(yè)界領先水平的MOSFET器件�！�

·         Limonard還表示，“PSMN1R0-30YLC具有領先于同類器件的超低R_DSon，可顯著降低功耗；這反過來能提高新一代電子產(chǎn)品的能效，使能效等級更高，尺寸更小”。

鏈接

·         采用LFPAK封裝的N溝道30 V 1.15 mΩ 邏輯電平MOSFET－PSMN1R0-30YLC數(shù)據(jù)手冊和產(chǎn)品信息：http://www.nxp.com/pip/PSMN1R0-30YLC.html

·         恩智浦MOSFET

關于恩智浦半導體

恩智浦半導體NXP Semiconductors N.V. (Nasdaq: NXPI)以其領先的射頻、模擬、電源管理、接口、安全和數(shù)字處理方面的專長，提供高性能混合信號（High Performance Mixed Signal）和標準產(chǎn)品解決方案。這些創(chuàng)新的產(chǎn)品和解決方案可廣泛應用于汽車、智能識別、無線基礎設施、照明、工業(yè)、移動、消費和計算等領域。公司總部位于歐洲，在全球超過25個國家擁有大約28,000名員工，2009年公司營業(yè)額達到38億美元。