芯片設計解決方案供應商微捷碼（Magma®）設計自動化有限公司（納斯達克代碼：LAVA）日前宣布，行業(yè)標準SiliconSmart IP特征化和建模產(chǎn)品線又添新成員SiliconSmart® ACE Memory Characterization（SiliconSmart® ACE存儲器特征化）。通過嵌入微捷碼超快FineSim™ Pro仿真器和利用微捷碼專有的存儲器電路優(yōu)化技術，SiliconSmart ACE Memory Characterization較競爭對手工具提供了更快速精確的存儲器單元級電路時序、功耗和噪聲特征化。采用SiliconSmart ACE Memory Characterization，集成電路（IC）設計師能夠縮短28納米（nm）和更小工藝節(jié)點設計的設計周期并交付更好結果。

在當今的片上系統(tǒng)（SoC）設計中，要想實現(xiàn)設計收斂，精確的存儲器單元級電路時序、功耗和噪聲模型必不可少。存儲器編譯器通過利用數(shù)據(jù)擬合技術經(jīng)由內(nèi)插和外延產(chǎn)生存儲器單元級電路模型，常常未能滿足精度需求。基于仿真地完整重新特征化這類存儲器編譯器所生成的存儲器單元級電路已成為IP特征化工具的較關鍵功能。微捷碼的SiliconSmart ACE特征化技術與FineSim Pro仿真技術的完美結合提供了一種帶有充分仿真能力的優(yōu)化特征化方法，可取得所有數(shù)據(jù)點上所有時序功耗參數(shù)，交付已生成模型所需的精度。

“SiliconSmart ACE Memory Characterization通過自動化提供了易用性、通過優(yōu)化提供了效率、通過仿真提供了精度，顯著減少了存儲器單元級電路建模的時間和工作，”微捷碼定制設計業(yè)務部總經(jīng)理Anirudh Devgan表示。“擁有簡單的用戶友好型功能描述和多種自動化技術，IP特征化工程師無需深入了解存儲器設計相關知識即可快速建立流程并實現(xiàn)存儲器單元級電路特征化。通過在SiliconSmart ACE特征化工具中集成進微捷碼業(yè)界領先的FineSim Pro仿真器，微捷碼不僅改善了特征化的精度和速度，而且還降低了我們客戶對存儲器特征化工具的總體擁有成本。”

更快速精確的存儲器特征化

存儲器電路由于納入了更多器件，也更為復雜，因此勢必會帶來比標準單元等其它IP更大的仿真問題。考慮到RC網(wǎng)絡所帶來的多電源域和信號耦和，存儲特征化工具所需的仿真器不僅要具有處理敏感模擬電路的精度，而且還要具有仿真大規(guī)模電路的速度。SiliconSmart ACE memory characterization的核心是FineSim Pro仿真技術，它可通過智能網(wǎng)表修剪（netlist pruning）、自動內(nèi)部節(jié)點識別、約束加速和以模板為導向的矢量集功能描述，實現(xiàn)動態(tài)電路削減。這款工具安裝之所以這些容易，這些功能功不可沒，而且這些功能還可在無損精度的前提下提供非并行的基于仿真的完全特征化吞吐量。

SiliconSmart ACE Memory Characterization 以下列功能滿足了這些需求：

• FineSim Pro仿真技術可在單臺電路仿真器中同時集成進了SPICE 仿真和Fast-SPICE仿真功能。SiliconSmart ACE Memory Characterization通過利用其“多模”引擎，實現(xiàn)了精度與速度間適當權衡。例如：它為如讀出放大器等模擬電路分配了SPICE仿真功能以確保精度；為如控制邏輯等數(shù)字電路分配了Fast-SPICE仿真功能以確保速度。FineSim Pro具有業(yè)界領先的存儲器電路非理想性電源網(wǎng)格分析功能，通過對電源網(wǎng)格RC網(wǎng)絡、信號RC和MOS晶體管進行智能分區(qū)，從而大大提高了整體仿真速度。
• 針對特征化中特定衡量標準來切除存儲器電路的激勵信號或矢量通常是經(jīng)由電路特定部分進行傳播。為提高吞吐量，存儲器特征化工具必須有能力從仿真中去除電路的無源部分。不同于傳統(tǒng)基于路徑的削減方法不僅單一且不精確，SiliconSmart ACE memory characterization部署了一種智能的網(wǎng)表修剪算法，通過利用FineSim Pro仿真進行電路結構分析，從而識別并去除非必要性有源器件和RC。經(jīng)過這種高效的按衡量矢量集的動態(tài)電路削減后實際仿真層較較初網(wǎng)表要小得多，從而縮短了仿真運行時間。
• 存儲器特征化中建立和保持等約束衡量標準不僅非常耗時，而且還很難探測；這是因為數(shù)據(jù)和時鐘通常只到達內(nèi)節(jié)點，難以在全RC提取的網(wǎng)表進行定位。SiliconSmart ACE Memory Characterization運行FineSim Pro仿真來監(jiān)控潛在候選部分的切換動作，經(jīng)過徹底的試探分析，自動識別適合約束衡量標準的正確內(nèi)節(jié)點。除了在SiliconSmart ACE所包含的標準單元約束加速技術以外，SiliconSmart ACE Memory Characterization還包含進了存儲器約束加速技術，它可選擇性保存存儲器狀態(tài)，然后智能地再利用這些狀態(tài)來改善多個時鐘周期迭代流程的運行時間，同時還不會造成任何精度損失。
• 類似SiliconSmart ACE通過自動化功能識別功能提供對標準單元特征化的輕松使用，SiliconSmart ACE Memory Characterization通過提供了具有各類存儲器功能描述的模板庫從而減輕存儲器安裝負擔。這種高水平的功能性描述可針對所有時序弧自動生成所有控制文件和所有必要仿真矢量，重新特征化具有相同模型結構且經(jīng)仿真后數(shù)量更為精確的存儲器單元級電路。

定價和供貨

SiliconSmart ACE Memory Characterization是SiliconSmart ACE 的一款延伸產(chǎn)品，現(xiàn)已開始供貨。