Vishay的新型功率MOSFET刷新業(yè)界較佳導(dǎo)通電阻記錄

Vishay Intertechnology, Inc.推出一款新型 25V n 通道器件 --- SiR476DP，從而擴(kuò)展了其 Gen III TrenchFET® 功率 MOSFET 系列，對(duì)于采用 PowerPAK® SO-8 封裝類型且具有該額定電壓的器件而言，該器件具有業(yè)界較低的導(dǎo)通電阻以及導(dǎo)通電阻與柵極電荷之乘積。

SiR476DP 在 4.5V 柵極驅(qū)動(dòng)時(shí)較大導(dǎo)通電阻為 2.1mΩ，在 10V 柵極驅(qū)動(dòng)時(shí)較大導(dǎo)通電阻為 1.7mΩ。導(dǎo)通電阻與柵極電荷乘積是直流到直流轉(zhuǎn)換器應(yīng)用中針對(duì) MOSFET 的關(guān)鍵優(yōu)值 (FOM)，在 4.5V 時(shí)為 89.25nC。

與為實(shí)現(xiàn)低導(dǎo)通損失及低開關(guān)損失而優(yōu)化的較接近的同類競(jìng)爭(zhēng)器件相比，這些規(guī)格意味著在 4.5V 及 10V 時(shí)導(dǎo)通電阻分別低 32% 與 15%，FOM 低 42%。更低的導(dǎo)通電阻及柵極電荷可轉(zhuǎn)變成更低的傳導(dǎo)損失及開關(guān)損失。

Siliconix SiR476DP 將在同步降壓轉(zhuǎn)換器以及二級(jí)同步整流及 OR-ing 應(yīng)用中作為低端 MOSFET。其低導(dǎo)通及低開關(guān)損失將使穩(wěn)壓器模塊 (VRM)、服務(wù)器及使用負(fù)載點(diǎn) (POL) 功率轉(zhuǎn)換的眾多系統(tǒng)實(shí)現(xiàn)功效更高且更節(jié)省空間的設(shè)計(jì)。

Vishay 還推出了新型 25V SiR892DP 及 SiR850DP n 通道 MOSFET。這些器件在 4.5V 時(shí)提供了 4.2mΩ 與 9mΩ 的導(dǎo)通電阻，在 10V 時(shí)為 3.2mΩ 及 7mΩ，典型柵極電荷為 20nC 及 8.4nC。所有這三款新型功率 MOSFET 均采用 PowerPAK SO-8 封裝類型。這些器件無鉛 (Pb)，無鹵素，并且符合 RoHS，因此符合有關(guān)消除有害物質(zhì)的國(guó)際法規(guī)要求。

目前，SiR476DP、SiR892DP 及 SiR850DP 的樣品及量產(chǎn)批量已可提供，大宗訂單的供貨周期為 10～12 周。

www.vishay.com

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