IBM 32nm eDRAM擁有更低的延時循環時間

IBM Corp.半導體研發中心（SRDC,紐約East Fishkill）采用了32nm絕緣體上硅（silicon-on-insulator,SOI）技術制作了一個16Mb的嵌入式DRAM (eDRAM)測試芯片。這款eDRAM擁有低于2ns的存取時間，與業內其他32nm嵌入式SRAM技術相比，存儲密度是其4倍。

IBM將在即將到來的IEDM上詳細介紹其32nm eDRAM

eDRAM與邏輯晶體管全兼容，且邏輯性能不會退化。它采用了深溝槽電容結構，結合了高k介質和金屬內襯電容器技術。IBM將在12月7-9號在Baltimore舉行的國際電子器件會議（IEDM）上詳細介紹其32nm eDRAM。

IBM SRDC副總裁Gary Patton表示，SOI eDRAM延時和循環時間低于2ns，功耗比SRAM低4倍，軟錯誤（soft-error）率更是降低了1000倍，相比熟悉的SRAM，它更節能、更可靠。

除了將SOI eDRAM用于該款產品中，IBM也正在將其提供給較早授權的晶圓代工客戶。IBM正與ARM的設計部門合作，將其納入他們的32nm庫中；目前初始化的32nm ARM庫已經可以獲取。IBM說，他們正在與ARM一起開發22nm SOI技術，“這使得ARM能較早地獲得這項技術�！�

IBM聲稱，eDRAM單元的存儲密度是此前他們發布的任何22nm嵌入式SRAM單元的兩倍——包括IBM在2008年8月發布的號稱全球較小的22nm SRAM。

“我們正在將這項32nm技術授權給客戶，”Patton說，并補充說，它將標志著“通往22nm SOI技術的明顯進步”。除了服務器，這款eDRAM還將針對打印機、存儲器和網絡應用，以及低功耗的車載、消費和游戲系統。

Power 7 的L3緩存

IBM發言人Jeff Couture表示，IBM正在將eDRAM用于其45nm Power 7服務器處理器中。在去年八月于加州Palo Alto舉行的Hot Chips會議上，IBM已經討論了其MPU旗艦產品Power 7。每個芯片達到了8核，每個核執行32 gigaflop（每秒 10 億次浮點運算），它由SRAM存取，板上eDRAM作為L3高速緩存。

Insight 64 (加州Saratoga)的微處理器分析師Nathan Brookwood表示，在IBM奧斯汀實驗室（德州Austin）有很多Power 7服務器。Power 7服務器預計在明年開始發貨，而高端Power 595服務器則采用了64個處理器。

Power 7核的板上有32Mb的L3緩存，這是SOI eDRAM的第一次嵌入使用。Brookwood說，如此大的L3緩存使得許多應用能夠完全在芯片上運行，而沒有離開芯片運行而帶來的總線延遲。“任何時候你都可以將緩存密度提高4倍，而無需增加面積，這是一個極其巨大的優勢。同時，當從45nm轉入32nm時，你還可以假想他們能夠將緩存容量提高一倍，”他說。

隨著MPU進入多核架構，大的緩存變得更加重要，保持緩存連貫性將是個極大的挑戰。

eDRAM正好是較新的例子，Brookwood說，IBM在改進技術上令人贊嘆的成果帶來了Power MPU系列�！霸谶^去的八年內，曾經發布了Power 4，IBM就像時鐘一樣不斷前行，我很期待明年的Power 7的發布。”

GlobalFoundries也將SOI eDRAM技術納入了其線路圖中，目前的問題是AMD將何時把這項技術引入其處理器中。

相關閱讀:

• ...2018/09/11 15:00·IBM研發基于PCM的個性化AI芯片，算力是GPU百倍
• ...2017/10/24 13:32·打造安全的數字能源基礎設施：英飛凌、IBM、GreenCom Networks和icentic通力合作
• ...2015/07/09 10:42·格羅方德半導體完成對IBM微電子業務的收購
• ...2014/11/18 16:56·Altera和IBM發布具有一致性共享存儲器的FPGA加速POWER系統
• ...2014/04/04 14:12·AT&T、思科、通用電氣、IBM和英特爾組建工業互聯網聯盟，促進物理世界與數字世界的融合
• ...2014/03/25 17:04·Altera加入IBM OpenPOWER聯盟，支持下一代數據中心的開發