臺積電40/45納米制程傳出好消息，對岸的晶圓代工廠中芯國際也緊跟在后！中芯國際表示，45納米搭上IBM技術陣營的共通平臺 (Common Platform)，進展也將愈追愈快，預計2009年底將正式投產(Tape-out)，2010年放量生產。中芯國際認為在機器設備折舊攤提持續下降與高階制程加入雙重效果下，2010年期待實現獲利。

IBM陣營愈來愈壯大，除了三星電子(Samsung Electronics)、新加坡特許(Chartered)與全球晶圓(Global Foundries)以外，中芯國際也在45納米世代制程起加入，預料搭上這班技術的列車，將會促使中芯追趕先進制程的速度加快。目前中芯的45納米芯片已經通過客戶驗證，預料2009年底前正式投產。

中芯在日前首次舉辦的國際分析師日中表示，退出存儲器市場的策略不變，將全速邏輯IC制程世代挺進，其中45納米年底投產是重頭戲，而預計到了2010年 45納米若順利量產將可望挹注中芯國際營收。目前90納米、0.13微米的先進制程已經占中芯國際營收比重約45%，而0.18微米以下主流制程的比重約 55%。

中芯國際表示，來自北美客戶的訂單約60%，對于0.13微米先進制程的需求依舊強勁；而相當看好大陸本地客戶對于0.13微米先進制程的需求，甚至還有供不應求的狀況，在大陸內地市場，中芯國際不斷擴張市占率，目前來自大中華地區的客戶比重已經占營收35%。

中芯國際24日也宣布，采用Virage Logic嵌入式一項多次可程序設(MTP)的非揮發性存儲器 (NVM) 解決方案，應用于射頻識別(RFID)芯片之中。中芯表示，目前此IP正在0.18微米低漏電(LL)制程技術開發中，能夠提供高性能射頻。