全球先進半導(dǎo)體解決方案的領(lǐng)導(dǎo)品牌三星電子股份有限公司，今天在臺北六福皇宮酒店舉辦的第六屆三星行動解決方案論壇中，正式宣布已開始量產(chǎn)512-Megabit (Mb)相位變化隨機存取記憶體晶片(PRAM, phase change random access memory)。 PRAM這種新型的非揮發(fā)性記憶體技術(shù)兼具了高效能及低耗電的特色，預(yù)期將可使行動裝置的記憶體技術(shù)進入新的階段。

高密度及高效能乃是智能手機較主要的技術(shù)要求，然而這兩種特性都會使耗電量大幅增加。而相位變化隨機存取記憶體晶片(PRAM)則大幅簡化了資料存取的邏輯，對DRAM的支持仰賴程度較低，因此其用電效率極高。在使用PRAM的情況下，手機電池的使用時間將可延長20%以上。

三星電子公司記憶體事業(yè)部行動記憶體企劃處副總裁Sei-Jin Kim表示：“我們相信PRAM可為手機效能的設(shè)計做出極大貢獻，尤其是多媒體手機以及智慧型手機。三星預(yù)期PRAM將成為公司未來的核心記憶體產(chǎn)品之一。”

這種512MbPRAM能在80毫秒內(nèi)消除64KW(千字單位)，此速度比NOR快閃記憶體要快上十倍；而在大小為500萬位元組(MB)的資料段落中，PRAM消除及重寫資料的速度也要比NOR快閃記憶體快上七倍。

PRAM比目前正在研發(fā)當(dāng)中的其他各種記憶體架構(gòu)都更具規(guī)模彈性，一方面利用RAM極快的處理速度提供操作功能，同時又利用快閃記憶體的非揮發(fā)特性儲存資料。

三星這項第一款PRAM產(chǎn)品是運用60奈米級技術(shù)生產(chǎn)，而這也正是目前用以生產(chǎn)NOR快閃記憶體的技術(shù)。至于未來的新世代PRAM則將采用更先進的技術(shù)節(jié)點制造，以加速產(chǎn)品的商業(yè)化應(yīng)用。