KLA-Tencor 的新一代 TeronTM 600 光罩缺陷檢測平臺解決了 2Xnm 節點下光罩設計不連續的問題
關鍵字:半導體
專為半導體和相關行業提供工藝控制及成品率管理解決方案的全球領先供應商 KLA-Tencor 公司(納斯達克股票代碼:KLAC) 宣布推出了 Teron 600 系列光罩缺陷檢測系統。全新的 Teron 600 平臺中加入了可編程掃描機曝光功能,并且靈敏度和模擬光刻計算功能上與當前行業標準平臺 TeraScanTMXR 相比,有明顯改進,為 2Xnm 邏輯(3Xnm HP內存)節點下的光罩設計帶來了一次重大轉型。這些優勢對開發和制造2Xnm 節點的創新光罩是非常必要的。過去,光罩設計人員首先從與目標晶圓圖形相似的光罩圖形著手,對光罩的特性(光學近似校正或 OPC)進行小范圍調整,直到獲得所需的晶圓結構為止。該方法在 2Xnm 節點處開始失效,因為 193nm 的光刻延伸至一個極端次波長范圍。因此,在 2X nm 節點上使用反向光刻技術(ILT)和源光罩優化(SMO)等模擬計算光刻技術變成可行。ILT 通常會產生一個復雜的光罩圖形和大量非常細小的結構,使光罩生產變得非常困難。更有甚者,源光罩優化(SMO)涉及到計算不均勻的掃描機光強分布。該分布旨在與 ILT 光罩一起,在晶圓上呈現較佳的光刻效果。
KLA-Tencor 光罩檢測部的副總裁兼總經理 Brian Haas 表示:“新一代 2Xnm 工藝在光罩策略上的顯著變化導致光罩缺陷檢測技術飛躍。”光罩細微結構比從 3Xnm 到 2Xnm 預計的縮小要小得多。另外,光罩圖形如此破碎,使得工程師根本無法查找光罩缺陷的位置并確定其是否可以印刷到晶圓上——可能會導致半導體廠產生嚴重的成品率損失。對于 2X nm 節點,我們必須能夠輸入一個用戶定義的掃描機曝光分布,考慮極化效應和光阻,并精確地計算光罩缺陷對晶圓的影響。Teron 600 利用了 KLA-Tencor 在模擬計算光刻方面的實力,以及我們在開發和制造 6 代光罩檢測平臺方面的經驗。因此,該系統是一個具有超高分辨率和低噪聲的光罩檢測系統,專用于解決新的 2Xnm 工藝問題。這是 KLA-Tencor 的一項重大成果,我們相信,該產品將使我們的客戶和行業受益匪淺。”
Teron 600 平臺的設計旨在提高靈活性和可擴展性。該系統已成功的檢測了為 ILT / SMO、兩次成形光刻(DPL)和 EUV(光罩和空片)創建的原型光罩。系統設計考慮了延伸至潛在的 1Xnm 工藝的光學解決方案。另外,Teron 600 系列可與 KLA-Tencor 的 TeraScan 500 系列光罩缺陷檢測系統一起,以混搭的策略,為制造包括關鍵和非關鍵層在內的光罩提供一個經濟實惠的解決方案。
全新的 Teron 600 系列光罩缺陷檢測系統將包括多種功能,旨在用于生產高級光學光罩和開發 EUV 光罩,其中包括:
全新 193nm 波長、更小的像素,改良的圖像處理和超低噪聲運行,從而提供高分辨率的光罩平面檢測(RPI); 模-數據庫(Die to database)和模-模(Die to die)的運行模式,可捕獲各種布局的模和切割道的缺陷; 晶圓平面檢測(WPI)用于預測光罩缺陷的可印刷性,通過光阻閾值,次波長衍射和極化效應模擬來實現; 全新的用戶設置掃描機曝光模型, 可在實施 SMO、ILT 或其它非標準掃描機曝光幾何形狀時,預測光罩缺陷的可印刷性; 通過虛像平面過濾噪聲缺陷,在光罩生產過程中,促進早期工藝開發并縮短生產周期; Teron 和 TeraScan 平臺的兼容性,可對關鍵和非關鍵層的數據進行產能優化和有效整合。
有關 Teron 600 系列光罩缺陷檢測系統如何使光罩制造商生產2Xnm 節點無可印刷缺陷的光罩的更多信息,請瀏覽以下網站:http://www.kla-tencor.com/reticle/teron-600.html。
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