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愛特梅爾推出用于低成本客戶定義SoC開發的SiliconCity™柔性架構

2009年08月18日14:05:40 本網站 我要評論(2)字號:T | T | T
關鍵字:半導體 

愛特梅爾公司 (Atmel® Corporation)宣布推出用于90nm SiliconCity ASIC開發的全新定制架構,可為客戶提供較高每平方毫米350,000門電路數目,達到標準單元ASIC的門密度范圍。SiliconCity柔性架構可讓設計人員針對多種產品變化型款,創建獨特的基礎晶圓架構,同時通過設計復用大幅縮短客戶的設計時間,減少非經常性工程(NRE)成本,并降低開發風險。

使用SiliconCity柔性架構開發ASIC,可以降低掩模成本,提高上市速度。愛特梅爾公司北美ASIC業務市場總監Jay Johnson稱:“鑒于無晶圓廠半導體公司擁有多種定義的產品,而且各款產品在特性方面略有差異。如果為每款產品創建一種新的ASIC,不單成本高昂,并且也很耗時。傳統在同一塊芯片上使用不同的粘接選項以創建多種產品的方法已后繼乏力,而這正是SiliconCity柔性架構的價值所在。”愛特梅爾廣泛的標準微控制器解決方案的寬廣度,助力SiliconCity柔性架構創建由愛特梅爾通過其AVR® 和AT91SAM標準產品所提供、包含可復用功能和已獲驗證IP的系統級芯片(SoC)。

金屬可編程單元結構(Metal Programmable Cell Fabric, MPCF)是技術核心  MPCF是愛特梅爾支持CAP™ 可定制微控制器產品系列,以及SiliconCity柔性架構的專利ASIC技術。在CAP可定制微控制器中,愛特梅爾就對包含ARM內核和總線子系統、外設及存儲器的平臺進行了定義。而SiliconCity柔性架構則讓用戶自行定義平臺。客戶通過預先定義共同的嵌入式內核和總線、存儲器以及外設組合,能夠為多種產品實施獨特的IP。Silicon City架構給予客戶完全的控制能力,同時MPCF提供了高靈活性。

MPCF通過更佳布線減小內核單元  MPCF技術的關鍵在于一個小于3.2平方微米的6晶體管內核單元。在90nm工藝中,SiliconCity柔性架構ASIC可實現每平方毫米300,000到 350,000門密度。而新穎的布線方案則兩層用于互連的金屬層,將系統門利用率提高至90%。更高的門密度結合基于MPCF的SoC所帶來的更佳布線功能,使得芯片尺寸減少至約為以往130nm工藝芯片的一半。

布線與晶體管幾何對準  利用MPCF,單元尺寸可與布線網格及晶體管間距的整數倍完全匹配,不會造成硅材料的浪費。此外,接觸點和通孔的尺寸也與金屬跡線相同,從而在設計中避免任何可能的重疊,并提供較高效的硅材料垂直利用。相比門陣列和某些早期結構化ASIC產品普遍使用的典型門海(sea-of-gates)架構,MPCF的這些優勢使到確定設計所需的系統門數目變得容易得多,成本效益也得以提高。

而且,MPCF金屬可編程單元和標準單元既可以布局在芯片的不同區域內,也可隨意組合,而不會影響芯片的尺寸。因此,設計的固定平臺部分可通過標準單元技術來實現,而芯片的靈活部分則利用MPCF,快速實現衍生產品。

輕易移植現有的處理器連帶FPGA設計許多現有基于連帶FPGA的業界標準微控制器設計都可以在短短20周內,以較少的重建工程(re-engineering)成本和很低的初始NRE掩模成本,從較終門級網表直接移植到SiliconCity 柔性ASIC中。至于將來的設計迭代,則可在僅僅8-12周內以更低的單金屬掩膜NRE成本來實現。

供貨

愛特梅爾公司現提供基于90nm工藝的 SiliconCity柔性架構產品,亦提供采用130nm工藝的產品。

信息:

要了解有關愛特梅爾SiliconCity柔性架構的更多信息,請訪問網頁:http://www.atmel.com/products/asic/architecture.asp?family_id=615

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